Место роста кристалла

Изменения пористой структуры и поверхности обусловливаются двумя процессами кристаллизацией и спеканием. При кристаллизации катализаторов имеет место рост кристаллов и упорядочение всей структуры с устранением дефектов и других искажений в решетке кристаллов. В результате исчезают наиболее мелкие частицы, увеличивается размер пор, сокращается удельная поверхность. Однако общий объем пор при этом изменяется незначительно. В процессе кристаллизации формируется относительно стабильная и более однородная структура. [c.53]

Скорость протекания всего процесса в целом контролируется стадией, сопровождающейся наибольшими торможениями. Причинами торможения могут быть замедленная доставка разряжающихся ионов к катоду — концентрационное перенапряжение (1-я стадия) замедленный разряд ионов, который обусловлен медленным переносом заряда через двойной электрический слой и связанным с этим изменением физико-химического и энергетического состояния ионов (дегидратация, десольватация, распад комплексных ионов и др.) — электрохимическое перенапряжение (2-я стадия) трудности, связанные с построением кристаллической решетки замедленная диффузия ад-атомов (ад-ионов) по поверхности катода к местам роста кристаллов, задержка при вхождении атомов в кристаллическую решетку или при образовании двух- или трехмерных кристаллических зародышей, т. е. то, что характеризует так называемое кристаллизационное перенапряжение (3-я стадия). Величина последнего сравнительно невелика и зависит от природы металла и от состояния поверхности катода, которое в ходе электролиза меняется в результате адсорбции посторонних ионов, молекул и органических веществ. [c.335]

Рост двухмерных зародыщей можно представить следующим образом. Ад-атомы (ад-ионы) присоединяются прежде всего к недостроенным участкам (ступенькам) кристаллической решетки как энергетически наиболее выгодным местам для продолжения роста грани. Здесь восстановленный ион имеет двух соседей и присоединяется к поверхности электрода, а следовательно, он должен быть наиболее прочно связан с кристаллической решеткой (рис. ХМ,/), После завершения ряда растущей плоскости наиболее вероятным местом роста кристалла будет положение 2, где присоединяющийся ад-атом (ад-ион) имеет одного соседа и одновременно связан с поверхностью электрода. В этом положении образуются места, подобные положению 1 (отмечены пунктиром), которые [c.336]

ЭЛЕКТРОКРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, образование и рост кристаллов в объеме р-ра (расплава) или на пов-сти электрода в результате протекания электрохим. р-ции. Является фазовым переходом I рода. Имеет много общего с кристаллизацией из пара и р-ра, но в отличие от этого процесса в условиях Э. происходит акт переноса заряда, к-рый предшествует встраиванию атомов в места роста кристаллов или протекает одновременно с ним. [c.430]

Для получения более крупных кристаллов этот метод непригоден, и нужно переходить к обеспечению длительного и замедленного поступления реагентов к месту роста кристаллов. Как это сделать [c.88]

В целом создать достаточно ясную картину границы сопряжения двух кристаллов, претерпевающих превращение, и тех путей, которые избирают молекулу для перехода от места в старой решетке на место в повой, нелегко. Действительно, нельзя ожидать, что места роста кристалла, находящегося в процессе декристаллизации и в процессе роста, находятся прямо друг против друга и что если бы такое сочетание случайно и возникло, то оно бы длительно сохранялось. Так возникает убежденность в необходимости движения атомов вдоль границ зерен, составляю- [c.65]

Если имеется возможность охлаждать и транспортировать насыщенный раствор к месту роста кристалла, где расположен зародыш, то можно добиться непрерывного его роста в изотермических условиях (см. рис. 15, б). Главными условиями для этого являются существование у кристалла достаточно широкой метастабильной области и достаточно большого положительного температурного коэффициента растворимости. Многие сложные органические соединения, имеющие широкую метастабильную область, могли бы удовлетворять этим условиям. [c.214]

Управление кристаллизацией, необходимое для осаждения блестящих металлопокрытий, достигается путем добавления блескообразующих присадок. Способ воздействия этих присадок основан на том, что продукты их восстановления и распада адсорбируются катодной поверхностью. Адсорбция должна происходить преимущественно на остриях шероховатостей, а также н на местах роста. На таких местах рост кристаллов в смысле повторяющейся подачи (см. стр. 28) затормаживается и ионы металла вынуждены разряжаться преимущественно в углублениях и на неактивных местах. Присадки действуют как ингибиторы , тормозящие кристаллизацию. Многие блескообразующие [c.59]

Возможен процесс кристаллизации и без образования кристаллических зародышей. Он происходит при низкой поляризации на участках поверхности электрода, имеющих винтовые дислокации, которые и служат местом роста кристалла. [c.151]

Прежде всего необходимо остановиться на стадии, предшествующей встраиванию атома в кристаллическую решетку металла-основы, которой может являться либо другой металл, либо осаждающийся металл. Перенос иона на подложку может осуществляться двумя путями прямой перенос в вакантное место на поверхности подложки, где ион в результате переноса электрона закрепляется, и перенос на поверхность с последующей поверхностной диффузией к месту роста кристалла или образования зародыша. Во втором случае перенос электрона может произойти при первом контакте иона с поверхностью и тогда он превращается в адсорбированный атом (адатом), или при поверхностной диффузии будет происходить уменьшение координационной сферы иона с одновременным увеличением числа связей с атомами металла подложки и, следовательно, с постепенным переносом заряда. Окончательный перенос заряда произойдет в месте встраивания в кристаллическую решетку. [c.28]

Если же провести аналогичный опыт, но колбу с сус- 0,20 пензией вращать медленно (4—6 об мин) вокруг своей оси так, что кристаллы все о,15 время находятся в контакте друг с другом и, кроме того, раствор медленно перемеши- О, вается, то, как и следовало ожидать, имеет место рост кристаллов в диффузионной области, но, в отличие от предыдущего случая, изменение -i-Ar линейных размеров кристаллов описывается уравнением [c.153]

Переход метастабильной фазы В в стабильную согласно схеме (3.14) может - осуществляться и в результате прямого, неэлектрохимического, превращения, протекающего путем поверхностной диффузии атомоц В к местам-роста кристаллов В°. При этом механизме процесс образования фазы B также будет термодинамически возможным, поскольку Цв >(хво. [c.133]

По теории Косселя и Странского на поверхности кристалла имеется три различных положения атомов или ионов. Схематически это показано на рис. 103. Состояние а на рис. 103 соответствует нахождению атома (иона) вне твердой фазы (металлической фазы). В положении б находится атом (ион) на плоскости решетки в виде ад-атома (ад-иона), в положении е — на кристаллической ступени из — в полукристаллическом положении, которое называется также местом роста кристалла. Только в местах роста атом (ион) по настоящему включается в кристаллическую решетку. Для места роста существенно, чтобы при единич- [c.314]

Кость-ткань более сложная, чем хрящ. Костный матрикс секретируют остеобласты, которые лежат на поверхности существующего матрикса и наслаивают на него новый костный материал (рис. 16-47). Некоторые остеобласты остаются свободными на поверхности, в то время как другие постепенно погружаются в продукт своей собственной секреции. Этот свежеизготовленный материал (состоящий главным образом из коллагена) называется остеоидом. Он быстро превращается в плотный костный матрикс в результате отложения кристаллов фосфата кальция (точнее, гидроксиапатита). Специфический костный белок остеотютн, который прочно связывается с коллагеном и с гидроксиапатитом, по-видимому, определяет места роста кристаллов и прикрепления их к органическому матриксу. Оказавшись заключенной в твердый матрикс, исходная костеобразующая клетка, называемая теперь остеоцитом, уже не может больше делиться или секретировать в заметных количествах матрикс. Подобно хондроциту, остеоцит занимает небольшую полость, или лакуну, в матриксе, но в отличие от хондроцитов он не отделен от своих собратьев от кавдой лакуны отходят очень узкие канальцы, которые содержат отростки лежащего в лакуне остеоцита, позволяющие ему устанавливать связи типа щелевого контакта с соседними остеоцитами. Хотя сети остеоцитов [c.176]

Согласно теории Брандеса, Эрдей-Груца и Фольмера, дегидратированный ион металла перемещается внутри наружной части двойного слоя до места (роста кристалла) катодной поверхности, Отсюда ион металла проходит через двойной слой, нейтрализуется и осаждается на катоде. [c.23]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология