Свободные электроны возникновение

Упрощенно возникновение электродного потенциала объясняется тем, что при соприкосновении металлического тела (электрода) с раствором между ними сразу же происходит самопроизвольный обмен частицами поверхность электрода адсорбирует из раствора растворенные вещества, а от электрода в раствор уходят катионы кристаллической решетки металла (сы. разд. 1.21). При этом в электроде остаются свободные электроны, принадлежавшие ранее катионам, ушедшим в раствор. В результате электрод заряжается отрицательно и на нем возникает электростатический потенциал. Чем больше катионов покидает электрод, тем больше накапливается в нем свободных электронов и тем большим становится его электростатический потенциал. [c.235]

При возникновении короны образуются ионы обоих знаков и свободные электроны. Под действием электрического поля положительные ионы движутся к коронирующему электроду и нейтрализуются на нем, а отрицательные ионы и свободные электроны перемещаются к осадительному электроду. Соприкасаясь со встречными пылинками и капельками, [c.239]

У поверхности металла свободные электроны являются носителями отрицательного заряда. У поверхности металла образуется двойной электрический слой, характеризующийся разностью (скачком) потенциалов между поверхностью металла и слоем раствора, прилегающего к поверхности металла. Причина возникновения скачка потенциалов - переход катионов из металла в электролит (рис. 3.1, а) или из электролита на металл (рис. 3.1, б) (так называемый электродный потенциал металла). [c.28]

Обрыв цепи. Конец роста цепи связан с исчезновением свободного электрона у конечного звена макромолекулы. Чаще всего это происходит в результате соединения между собой двух радикалов (реакция рекомбинации), что приводит к возникновению цепи, которая не способна к дальнейшему росту [c.392]

Возникновение э. д. с. в гальванических элементах связано также с контактной разностью потенциалов, возникающей на границе соприкосновения двух металлов. Образование последней вызвано различной концентрацией свободных электронов (электронного газа) у отдельных металлов. Поэтому при контакте часть электронов переходит от металла с более высокой их концентрацией к металлу с меньшей концентрацией. Обычно измеряют относительные потенциалы металлов, принимая условно за нуль потенциал нормального водородного электрода. [c.121]

В гомолитических реакциях исходными веществами пли конечными продуктами служат свободные радикалы (молекулы с неспаренными электронами). Возникновение связей здесь осуществляется путем спаривания электронов двух реагирующих ча- [c.340]

При наличии в кристалле электрического поля электроны приобретают добавочную скорость направленного движения р. Такое движение электронов приводит к направленному перемещению зарядов, т. е. к возникновению тока. Очевидно, что число электронов, проходящих в единицу времени через единицу поверхности, перпендикулярной к направлению скорости оёр равно nv p, где п — концентрация свободных электронов. Отсюда плотность тока / равна [c.119]

Уменьшение концентрации свободных электронов в металле (ниже обычной для него величины) благоприятствует смещению равновесия вправо, т. е. дополнительному возникновению положительных ионов и их переходу в раствор. Наоборот, увеличение концентрации свободных электронов способствует смещению равновесия влево, т. е. превращению положительных ионов в нейтральные атомы (с выделением последних на поверхности металла). [c.201]

В простых гидридах H3N, Н2О и HF атомы N, О и F намного более электроотрицательны, чем водород, и, кроме того, обладают свободными электронными парами. В результате молекулы этих веществ за счет возникновения водородных связей могут образовывать разновидность свободно связанного полимера, структура которого изображена ниже (водородные связи обозначены пунктирными линиями) [c.175]

Металлические кристаллы отличаются от всех остальных кристаллов высокой пластичностью, электрической проводимостью и теплопроводностью. Эти свойства, а также и многие другие обусловлены особым видом связи между атомами металла — металлической связью. Она возникает между атомами металлов в результате их сближения за счет перекрытия внешних орбиталей. Эта связь не является ковалентной неполярной связью, так как электроны не фиксируются между двумя атомами, а переходят в состояние проводимости и могут принадлежать всем атомам данного кристалла и даже куска металла, содержащего громадное количество кристаллических зерен. Эти мигрирующие электроны, или обобщенные электроны, — электроны проводимости (свободные электроны или электронный газ) — и осуществляют ненаправленную связь между остовами атомов в кристаллической решетке металлов (подробнее о возникновении связи см. гл. 10). [c.108]

Возникновение тока непосредственно связано с различной концентрацией свободных электронов в отдельных металлах (1П 8) и стремлением ее к выравниванию при их контакте. На границе раздела между металлом и раствором его соли одновременно имеют место равновесия (для однозарядных ионов) [c.158]

Изменение работы выхода электронов при хемосорбции на металлах свидетельствует о возникновении дипольных адсорбционных слоев, а знак изменения работы выхода позволяет судить о направлении дипольного момента хемосорбционной связи. Изменения электропроводности образцов позволяют судить об изменении числа носителей тока, т. е. об участии свободных электронов или дырок (см. гл. IX) в образовании хемосорбционной связи. [c.16]

Чтобы подойти к ответу иа эти вопросы, прежде всего рассмотрим одно следствие, вытекающее из факта существования прочной формы хемосорбции, при которой хемосорбированная частица удерживает на себе (или около себя) свободный электрон или свободную дырку кристаллической решетки. Следствием этого является заряжение поверхности полупроводника при адсорбции. А следствием заряжения поверхности в свою очередь является возникновение в приповерхностном слое полупроводника объемного заряда, по знаку противоположного заряду поверхности и его компенсирующего. Результатом этого имеет место искривление энергетических зон вблизи поверхности полупроводника [9]. [c.26]

Процесс ионизации нейтрального атома примеси С можно трактовать как одновременное возникновение свободного электрона А и дырки В, связанной с атомом примеси. Наряду с этим процессом происходит обратный процесс нейтрализации иона примеси, представляющий собой рекомбинацию электрона с дыркой. Условия равновесия выражаются уравнениями [3,2] и [12,2], в которых, однако, следует принять X = О и У = Z (отсутствие биографического беспорядка). Действительно, число дырок равно общему числу электронов, переведенных в коллективизированное состояние. Эти коллективизированные электроны складываются из электронов, остающихся свободными, и из электронов, вступивших в связь с газовыми молекулами. Имеем [c.371]

При подаче на электроды разности потенциалов в несколько киловольт между ними зажигается тлеющий разряд. Возникновение газового разряда обусловлено тем, что в объеме ячейки всегда имеется некоторое число свободных электронов, либо блуждающих, либо появившихся в результате автоэлектронной эмиссии с острых кромок электродов. Под действием электрического поля эти электроны ускоряются, но магнитное поле препятствует их прямолинейному движению непосредственно к аноду, заставляя двигаться по спиральным траекториям взад и вперед в ячейке между катодами, пока, наконец, не попадут на анод. [c.60]

В связи с развитием электронных теорий адсорбции, согласно которым свободные валентности (свободные электроны и дырки) не локализованы в решетке кристалла, а способны перемещаться, стали складываться представления о миграции самих активных центров. Появились взгляды о непрерывном возникновении и исчезновении активных центров в процессе контакта катализатора с реагентами [60]. [c.152]

Мы уже видели, что непосредственным результатом поглощения излучения соответствующей длины волны является возникновение экситонов или свободных электронов и сопутствующих им положительных дырок. Наличие этих дефектов в кристаллической решетке может вызвать ряд вторичных явлений. Необходимо учитывать, что поглощение фотона приводит к увеличению общей энергии кристалла, который, находясь в возбужденном состоянии,. может использовать эту энергию различными путями. [c.90]

Теория Писаржевского — Изгарышева. Механизм возникновения электродного потенциала, основанный на сольватационных явлениях, был сформулирован впервые Л. В. Писаржевским (1912— 1914). Он полагал, что при возникновении электродного потенциала решающее значение имеют следующие два процесса. Первый процесс — ионизация электродного металла с появлением в нем ионов и свободных электронов [c.219]

Возникновение электрического тока в гальваническом элементе связано с различной концентрацией свободных электронов в металлах и стремлением к ее выравниванию при контакте между ними. Электрод, отдающий электроны (окисление), называется анодом, электрод, принимающий электроны (восстановление), называется катодом. Анодом бывает более активный в сравнении с катодом металл (рис. 75). [c.77]

При отсутствии константана можно использовать нихромовую проволоку из обычной спирали от электроплитки. Но в этом случае отклонение стрелки будет меньше, чем в приборе с константаном. Этот опыт показывает возникновение термотока благодаря наличию в металлах свободных электронов. [c.245]

Снижение стабильности растворов с 95 до 60—90% отражает увеличение количества сплава, восстановленного в объеме раствора, т. е. возникновение системы со значительной удельной поверхностью. Считая, что действие стабилизаторов связано с их преимущественной адсорбцией на поверхности каталитически активных микрочастиц за счет взаимодействия s-электронов токсичных ионов (РЬ +, Т1+) или свободных электронных пар серы с незаполненным d-подуровнем никеля, авторы работ [12, 35] делают вывод, что присутствие такого рода ионов в растворе приводит к частичному блокированию микрочастиц, противодействуя тем самым уменьшению стабильности раствора. [c.169]

Возможность применения квантовохимических расчетов для определения преимущественного направления реакции Хюккель продемонстрировал в 1937 г. на ряде примеров. Так, присоединение брома к бутадиену рассматривается им следующим образом. Первая стадия — присоединение атома брома к бутадиену может привести к возникновению двух радикалов (где е — свободный электрон) [c.175]

То, что этилен образуется распадом только н. С3Н7, объясняется тем, что разрыв в последнем связи СНдСНо—СНд сразу приводит к воз-никновенхтю группировки СН.,—СНд, в которой созданием пары из двух свободных электронов непосредственно формируется двойная связь. В случае же изо-СзН. разрыв по С—С-связи привел бы к возникновению бирадикала СНд—СН, превращение которого в этилен потребовало бы предварительной миграции атома Н из группы СН3 в группу СН. Ясно, что образование этилена энергетически выгоднее путем распада Н.С3Н,, чем изо-СзН,. [c.244]

В то же время при более высоких концентрациях иХелочного металла (выше 0,05 М) электроны, отщепляемые атомами металла, не полностью связываются молекулами аммиака и, оставаясь свободными, обусловливают возникновение очень высокой электронной проводимости. [c.316]

Рассмотрим металлический стержень, погруженный в воду (рис. 119). Поскольку совершенно нерастворимых веществ не существует, любой металл хотя бы в ничтожно малой степени растворяется в воде, что обусловлено возрастанием энтропии при растворении (вследствие стремления системы к разупорядоченному состоянию). При этом в раствор переходят положительно заряженные ионы металла, а не нейтральные атомы. В металле же остаются избыточные свободные электроны, т. е. на границе раздела двух фаз возникает двойной электрический слой, электрическое поле в котором направлено так, что препятствует дальнейшему растворению металла в воде. В результате нарушения условия электронейтральности и возникновения на границе раздела разности потенциалов ионы металла в растворе не диффундируют в его объем, а скапливаются в тонком приповерхностном слое раствора. Образующийся раствор, состоящий из гидратиро- [c.285]

На рис. 72 изображены схемы появления дырки в атомной решетке элементарного полупроводника и возникновение электрона проводимости. Электрон, появившийся в междоузлии, является подвижным носителем заряда. Такие электроны, как и дырки, могут свободно пе-ремеш,аться по кристаллу (диффундировать). Если поместить кристалл в электрическое поле с напряжением, падающим справа налево, то свободный электрон приобретает направленное движение против [c.237]

Образование комплексных соединений происходит за счет электронной пары одного из соединяющихся атомов. Это донорно-акцепторная или координационная связь. Возникновением такой связи мы уже объясняли образование иона аммония (стр. 162) свободная электронная пара атома азота аммиаке перешла в общее владение с ионом водорода, а положительный заряд иона водорода сделался общим для всего комплекса. Образовался комплексный ион аммония NH4 +. Поэтому все соединения аммония следует рассматривать как комплексные соединения (например, NH4 1=NH3 НС1). [c.222]

Возбуждение электрона в зону проводимости, отвечающее полной ионизации, приводит к возникновению свободных электрона и дырки, способных независимо двигаться под действием приложенного поля. Существует и другая возбужденная конфигурация (экситон — см. главы П, V) с более низкой энергией, с которой электрон и дырка движутся как связанные нейтральные образования. Экситон Френкеля (см. гл. II) совершенно аналогичен позитронию (связанной позитрон-электронной паре) и энергетические уровни этого экситона, так же как и позитрония, задаются боровской моделью атома водорода с заменой массы свободного электрона на приведенную массу т . Далее, так как экситон существует в кристалле, а не в вакууме, кулоновское взаимодействие ослабляется за счет диэлектрической проницаемости. Поэтому энергетический спектр экситона (рис. 174) задается выражением [8, 41 [c.421]

При рассмотрении внутренней дифракции подвижных валентных электронов на кристаллической решетке твердого тела было найдено, что условия возникновения дифракции накла-дынают ряд ограничении на длину волны, энергию и свободу перемещения электронов. Более конкретно — запрещается, чтобы на любой стадии движения свободных электронов выполнялся бы закоР Брэгга, Свободные электроны в металлах или полупроводпиках имеют различную энергию и. следовательно, различную длину волны. При оценке возможности дифракции электронов необходимо учитывать длину волны л, угол дифракции 6 и межплоскостное расстояние d. [c.68]

Дальнейшее развитие эта теория получила в модели автора работ [231, 232], который изучал продукты реакции на межфазной поверхности, состоящие, согласно его данным, главным образом из Снх8, при X равном 1,8-2,0. Первой стадией при возникновении адгезии является образование Снх8. Этот слой может увеличиваться за счет катионной диффузии, то есть переноса ионов металла и свободных электронов через сульфидный слой. На границы поверхности "сера-сульфид происходит реакция [c.223]

Экспериментальный материал в общем логично интерпретируется с предлагаемой точки зрения. Особенно показательны данные по меди, атомы кристаллической решетки которой не обладают ни в одном из реальных валентных состояний двумя свободными -электронами, и для образования АКЦ необходим или разрыв кохези-онной связи 28, 29], или возникновение дефектной структуры. Отсюда понятно, почему на сублимированн 1х [c.81]

Возникновение радикальных или ионо-радпкальных форм обусловлено той ролью, которую играют при хемосорбции свободные электроны и дырки кристаллической решетки, а именно тем, что они, как было показано [6, 7, 8], выполняют функции свободных валентностей поверхности, положительных и отрицательных соответственно. [c.23]

Поглощение энергии в элементарных объемах может приводить либо к образованию экситонов (см. гл. 3), либо к возникновению пар электрон — положительная дырка [59]. Экситоны представляют собой возбужденные состояния кристалла, в которых электрон связан полем положительной дырки. Поэтому экситоны должны быть подвижны и способны 1) исчезать, передавая свою энергию колебаниям решетки, 2) взаимодействовать с фононами, диссоциируя на свободный электрон и положительную дырку, и 3) взаимодействовать с атомами, ионами или молекулами на поверхностях раздела элементарных объемов, вызывая тохимические превращения. Во втором случае трудно, если вообще возможно, экспериментально установить различие между механизмами возбуждения и ионизации для первичного акта поглощения света. При взаимо-действии экситонов с атомами, ионами или молекулами фотохимические превращения могут происходить либо в результате процессов возбуждения, сопровождаемых перегруппировками, либо в результате ионизационных процессов. В последнем случае, вероятно, освобождаются только одни электроны, а компенсирующий положительный заряд остается на поверхности в виде заряда иона. При исследовании фотопроводимости должно быть при этом обнаружено отсутствие компонента фототока, обусловленного движением положительных дырок [60]. Если бы пары электронов и положительных дырок освобождались непосредственно при первичном акте поглощения света, то при низких температурах можно было бы обнаружить компонент фототока, обусловленный движением дырок, даже если бы их пробеги были гораздо меньше пробегов электронов. Экспериментальных подтверждений существования такого [c.421]

Существует и второй менее общий механизм возникновения объемного заряда в граничном слое полупроводника, находящегося в контакте с металлом. Он реализуется в особом случае, когда полупроводник способен приобретать от металла атомы (в виде ионов и электронов) в условиях, когда оба твердых вещества находятся в термодинамическом равновесии. Примером такого рода системы может служить цинк со слоем окиси цинка, поскольку окись цинка способна поглотить избыточное количество атомов цинка с образованием междуузельных ионов цинка и свободных электронов. Теорию этого процесса разработали Мотт и Кабрера 170] и применили ее к реакциям окисления металлов при низких температурах. Объемный заряд образуется следующим образом. У самой границы раздела между металлом и полупроводником концентрация п- [c.502]

Механизм возникновения потенциала на границе металл— раствор связан с особой структурой металлов, в кристаллической решетке которых часть атомов находится в виде ионов Ме+", а свободные электроны пе образуют так называемый электронцый газ. Концентрация этого газа в различных металлах неодинакова и определяется равновесием [c.76]

Если АН — кислота и В — основание, атом которого обладает свободной электронной парой, то образование водородного мостика АН... В сдаровождается растяжением связи А—Н. Водород в какой-то е тепени протонизируется, атом А заряжается отрицательно. Этим обусловлено возникновение [c.269]