Вторичное излучение электронов

Механизм возбуждения. Чтобы атом испустил квант рентгеновского излучения hv, ему необходимо сообщить энергию. Это можно осуществить облучением пробы потоком электронов эмиссионная спектроскопия) или рентгеновским излучением достаточной энергии рентгенофлуоресцентная спектроскопия). Практически ввиду более легкого осуществления используют только второй способ возбуждения. Его преимущество заключается еще в том, что возникающий спектр флуоресценции имеет только характеристические спектральные линии, в то время как на эмиссионный спектр накладывается спектр непрерывного излучения. В рентгенофлуоресцентной спектроскопии пробу облучают полихроматическим излучением рентгеновской трубки и наблюдают возникающее вторичное излучение. Для перемещения электрона с занимаемого им основного уровня необходимо, чтобы энергия поглощаемого рентгеновского кванта hv была по меньшей мере равна работе ионизации. Если поглощаемая энергия больше, то избыточная энергия высвобождается в виде кинетической энергии фотоэлектрона. По истечении 10 с ионизированный атом ступенчато переходит в основное состояние. Рассматривая уменьшение энергии электрона при его переходе с верхнего уровня на нижний, можно заметить, что рентгеновский квант излучается не при каждом электронном переходе. Эффективной в этом отношении оказывается только часть переходов (/ij). Остальное число переходов п — () вызывает эмиссию электронов из внешних электронных оболочек атома, поскольку они воспринимают всю энергию, освобождающуюся при осуществлении внутренних электронных переходов, и вследствие этого отрываются от атома оже-эффект). Под выходом флуоресценции W понимают отношение /if/n. Величина W для различных оболочек не одинакова и возрастает с увеличением атомного номера элемента. Зависимость выхода флуоресценции для /С-оболочки от атомного номера элемента можно представить следующей полу эмпирической формулой [c.201]

Отражательный электронный микроскоп. На поверхность непрозрачного образца в отражательном микроскопе направляется под углом (tti) пучок электронов, который частично отражается и одновременно возбуждает вторичные излучения. В формировании изображения участвуют те электроны, которые отражаются от поверхности образца под углом наблюдения (аг), а также рассеян- [c.154]

При взаимодействии рентгеновского излучения, электронов и нейтронов с веществом часть их энергии превращается в различные виды внутренней энергии вещества и в энергию вторичного излучения. Это приводит к частичному поглощению падающего на образец излучения. Поэтому интенсивность рассеяния не может быть правильно определена без внесения поправки на поглощение. Эта поправка зависит от формы образца и угла рассеяния. В случае плоского образца при съемке на прохождение лучей эта поправка вычисляется по формуле [c.101]

Линейной потерей энергии (ЛПЭ) называют линейную скорость потери энергии частицей или излучением, проходящим через материал. В первом приближении ЛПЭ может быть вычислена простым делением общей потери энергии частицы на длину ее пути. Такое вычисление, однако, весьма неточно, так как потеря энергии меняется при уменьшении скорости частицы, а энергия ионизирующей частицы не поглощается локально, а передается среде с помощью вторичного излучения. Например, энергия 7-излучения и рентгеновского излучения передается в итоге посредством вторичных электронов, которые имеют широкий спектр энергий с разной ЛПЭ. В тех случаях, когда средний потенциал возбуждения известен, можно ЛПЭ вычислить, например, по уравнению (УП.1) или по другим уравнениям, описывающим иные механизмы потери энергии. Значени.ч ЛПЭ увеличиваются в ряду 7-кванты < электроны высоких энергий < рентгеновское излучение малых энергий < р-частицы < тяжелые частицы. Для электронов, проходящих через полиэтилен, ЛПЭ = (980/ )1 (0,2 ) 10- эВ/нм, при Е — 0,25 МэВ ЛПЭ ==2-10 эВ/нм и возрастает до 23-10- эВ/м при Е = 1 кэВ. [c.214]

Из выражения (7.25) нетрудно получить значение чувствительности к толщине и проанализировать погрешность ее измерения. Погрешность измерения толщины обусловлена тремя основными причинами нестабильностью блоков толщиномера — источника излучения, преобразователя вторичного излучения, электронных блоков обработки сигналов и индикаторного прибора непостоянством свойств контролируемого объекта из-за изменения его химического состава, формы, положения и др. статистическим характером получения сигналов при радиационном контроле качества. Первые две причины возникновения погрешностей измерений характерны для многих областей измерительной техники и неразрушающего контроля, а статистическая составляющая погрешности специфична для аппаратуры, использующей ионизирующие излучения, и требует принятия специальных мер и компромиссных решений при создании толщиномеров. [c.344]

Рентгеновское излучение рассматриваемого интервала длин волн (0,7-2,3 А ), проходя через вещество, рассеивается электронами (доля рассеяния ядрами атомов пренебрежимо мала) или вызывает процессы типа фотоэффекта выбиваются электроны с различных уровней облучаемого образца, а это вызывает появление вторичного рентгеновского излучения. По длине волны и интенсивности вторичного излучения можно определить содержание того или иного элемента в образце, что используется в рентгенофлуоресцентном анализе. При съемке рентгенограмм такое вторичное излучение лишь увеличивает уровень фона, т.е. снижает качество рентгенограмм. Поскольку вторичное излучение и первичное, используемое для съемки, имеют близкие длины волн, применение амплитудных анализаторов для уменьшения влияния вторичного излучения на уровень фона обычно неэффективно. [c.8]

Рассмотренные явления имеют место, например, падающие мощные кванты у-излучения вызывают появление всех отмеченных эффектов, а возникшие вторичные движущиеся электроны, позитроны и фотоны могут вызывать появление новых частиц и фотонов и т. д. Из-за многократного взаимодействия частицы и фотоны в итоге движутся в любых направлениях, что и ведет к значительному расширению сектора, в котором выходит вторичное излучение— появляется широкий пучок , В результате общий линейный коэффициент ослабления излучения определяется [c.296]

Рентгенографические, электронографические и нейтронографические исследования атомной и молекулярной структур жидкостей и аморфных тел основываются на анализе углового распределения интенсивности рассеянного рентгеновского излучения, электронов и нейтронов. Рассеяние веществом этих трех видов излучений не одинаково, что объясняется различием их физической природы. Рентгеновское излучение рассеивается электронами атомов и молекул. Процесс рассеяния не характерен обычному отражению или преломлению. Рентгеновское излучение, взаимодействуя с электронами, приводит их в колебательное движение. Колеблясь с той же частотой, что и электрический вектор первичной электромагнитной волны, электроны порождают вторичное электромагнитное излучение, распространяющееся во всех направлениях. Интенсивность рассеянного излучения, фиксируемая в некоторой точке, пропорциональна электронной плотности атомов и молекул. [c.26]

Рентгеноскопическая спектрометрия. Если металлическое покрытие подвергнуть рентгеновскому облучению, то возникнет вторичное излучение, по длине волн которого можно оценить присутствие характерных элементов как покрытия, так и основного металла. Используя монокристаллический спектрометр, можно выбрать характерную длину волны, излучаемую определенным металлом, для проведения измерений интенсивности с помощью электронно-импульсной техники. Измеренная интенсивность относится к покрытию вплоть до предельных значений его толщины. [c.138]

Поскольку бомбардировка электронами вызывает распад в-ва, при анализе и изучении хим. связей применяют вторичное излучение, как, напр., в рентгеновском флуоресцентном анализе (см. ниже) и в рентгеноэлектронной спектроскопии. Только в рентгеновском микроанализе (см. Электронно-зондовые методы) используют первичные рентгеновские спектры, т. к. пучок электронов легко фокусируется. [c.239]

Исходя из характера используемого излучения, Ф.м. а. можно разделить на три фуппы 1) методы, использующие первичное излучение, поглощаемое образцом 2) применяющие первичное излучение, рассеиваемое образцом 3) использующие вторичное излучение, испускаемое образцом. К примеру, масс-спектрометрия относится к третьей фуппе -первичным излучением здесь служит поток электронов, квантов света, первичных ионов или др. частиц, а вторичное излучение представляет собой ионы разл. масс и зарядов. [c.94]

Поскольку фотоэффект имеет место при поглощении рентгеновского излучения, после поглощения рентгеновского кванта атом остается в возбужденном ионизированном состоянии. Далее атом переходит из возбужденного в стационарное состояние по такому же механизму релаксации, который обсуждался при рассмотрении ионизации под действием электронной бомбардировки. Таким образом, в результате поглощения рентгеновского излучения может возникать характеристическое рентгеновское излучение. Это явление называется флуоресценцией, возникающей под действием рентгеновского излучения, или вторичным излучением, в отличие от первичного, обусловленного непосредственной электронной ионизацией. Так как вторичное излучение может возникать как за счет характеристического, так и непрерывного рентгеновского излучений, то следует различать оба этих явления. [c.89]

Непрерывное излучение содержит кванты с энергией, достаточной для возбуждения любого характеристического излучения, которое может возбуждаться непосредственно электронным лучом, в диапазоне от р до Ео, поскольку всегда имеется непрерывное излучение. Расчет интенсивности вторичного излучения, возбуждаемого непрерывным спектром, сложен по следующим соображениям [c.27]

Экспериментально доказано, что одно химическое действие не является прямой и непосредственной причиной излучения электронов, возможно, что вызванное химическим путем излучение электронов из щелочных металлов является скорее исключением. Даже исследователи, склонные признавать химическую точку зрения, указывают, что обычно наблюдаемое излучение электронов может быть приписано взаимодействию между горячим металлом и малейшими следами остаточного газа, а не прямому результату химического действия. В случае вольфрама все газы, оказывающие химическое действие на металл, снижали, а не увеличивали излучение электронов. Ленгмюр [252] установил, что водород вызывает огромное снижение излучения электронов из вольфрама он приписывал это скорее действию паров воды, образовавшихся в результате вторичных реакций, чем непосредственному действию водорода. Была попытка доказать, что излучение электронов может происходить в результате прямого химического действия. [c.249]

Важное значение для аналитической практики имеет рентгеновский флуоресцентный анализ. При облучении исследуемого вещества рентгеновскими лучами от атомов отрываются электроны внутренних уровней, которые занимаются электронами выше расположенных орбиталей. Освобожденная при этом энергия выделяется в виде вторичного рентгеновского излучения с меньшей частотой, чем у возбуждающего. Длина волны полученного вторичного излучения служит характеристикой элементов, присутствующих в исследуемой пробе, а интенсивность соответствующих рентгеновских спектральных линий — мерой содержания этих элементов в пробе. [c.170]

При прохождении монохроматического пучка рентгеновских лучей через кристалл электронное облако каждого атома становится источником вторичного излучения, имеющего ту же длину волны. Рентгеновское излучение этой трехмерной совокупности источников (атомных электронных облаков) вследствие интерференции суммируется в некоторых направлениях, удовлетворяющих определенным соотношениям между длиной волны и межатомными расстояниями данного твердого вещества, и погашается по всем остальным направлениям. Количественная теория этого явления, предложенная Брэггом [4], является одним из основных законов дифракции рентгеновских лучей. [c.72]

Электромагнитная волна индуцирует в атоме, молекуле или ионе периодический электрический диполь, так как электрический вектор падающего излучения стремится сдвинуть электроны от их положения равновесия относительно ядра. Энергия, связанная с электрической поляризацией, немедленно высвобождается, если частота падающего излучения не является характеристической частотой, которая поглощается частицей. Это вторичное излучение частицы интерферирует с падающим излучением подобная интерференция является основой таких явлений, как отражение, преломление и рассеяние света. [c.220]

Радиационная химия изучает воздействие на вещества частиц и излучений с энергией 10 —10 эВ ( -кванты, быстрые электроны, а-частицы, протоны отдачи и осколки деления тяжелых ядер). При прохождении через вещество все эти частицы производят сильную ионизацию, которая приводит к образованию большого количества вторичных б-электронов (например, у-квант с энергией 1 МэВ создает 10 н-10 вторичных электронов). Последние характеризуются широким спектром энергии и играют основную роль в радиационно-химических превращениях. При. неупругих соударениях электронов с молекулами происходят процессы ионизации и возбуждения молекул. Для разных молекул максимум сечений процессов возбуждения соответствует энергиям электронов около 10ч-20 эВ, процессов ионизации — около 70- 100 эВ. [c.86]

Цель настоящего обзора — ознакомить читателя с основными принципами и возможностями электронно-зондовых методов в исследованиях атомной, электронной, микроскопической структуры и химического состава поверхности и тонких пленок. Здесь будут кратко рассмотрены механизмы взаимодействия электронного зонда с веществом и виды вторичного излучения будет дано общее описание электронно-зондовых устройств с указанием характеристик отдельных методов просвечивающей и [c.216]

Энергия медленных или тепловых нейтронов недостаточна для того, чтобы вызывать упругую отдачу, способную разорвать связи в органической молекуле. Так, они не вызывают никаких химических изменений, за исключением вторичного излучения например, атом натрия-23 (в загустителе консистентной смазки), захватывая нейтрон, превращается в натрий-24, который испускает гамма-кванты и электроны. [c.53]

Здесь мы ограничимся несколькими общими замечаниями о рентгенографическом и электронографическом методах и остановимся подробно только на рассмотрении полученных этими методами данных. Сравнение достоинств обоих методов приводит к заключению, что каждый из них имеет свою область применения Для исследования кристаллических структур (в случае углеводородов — это молекулярные кристаллы ) рентгеновы лучи более применимы вследствие их большей проникающей способности. Для определения расположения атомов в газовых молекулах дифракция быстрых электронов более применима, во-первых, вследствие более сильного взаимодействия электронных лучей с материей, чтэ значительно снижает ( в 10000 раз) длинные выдержки, обусловленные малой плотностью рассеивающих центров, и, во-вторых, вследствие того, что электроны (как корпускулярные лучи) рассеиваются преимущественно ядрами атомов, тогда как рентгеновы лучи (как электромагнитные) рассеиваются атомными электронами (вторичное излучение электронных оболочек). В обоих методах влияние атомов, рассеивающих рентгеновы или электронные лучи, связано с зарядом их ядра и увеличивается с увеличением по1)ядкового номера элемента. [c.420]

В печной теплотехнике тормозное излучение электронов имеет практическое применение в электрор олутевых -печах (см рис. 62). Поток электронов со скоростью, достигающей десятых долей скорости света, бьющий в анод, вызывает теплогенерацию в результате превращения кинетической энергии электронов. Однако часть этой энергии в виде тормозного излучения рассеивается и поглощается охлаждаемым ограждением печи. Таким образом, тормозное излучение в электроннолучевых печах наряду с вторичной эмиссией электронов (с анода) уменьшает коэффициент полезного использования энергии. [c.233]

Применение вакуума возможно только при использовании кессонного охлаждения, так как требуется абсолютная тазоплотность ограждения. В данных случаях не может быть использовано понятие температуры в термодинамическом смысле, и поэтому нельзя говорить о разности температур между внутрипечным пространством и внутренней поверхностью ограждения. Тепло генерируется на внутренней поверхности ограждения за счет облучения ее плазмой (тормозное и рекомбинационное излучения), а также за счет кинетической энергии электронов и ионов, попадающих на внутреннюю поверхность ограждения вследствие эффекта рассеивания заряженных частиц и вторичной эмиссии электронов с анода. Сюда следует, однако, добавить непосредственное излучение раскаленного анода, а также поверхности расплава. Все вместе взятое создает приток тепла на внутреннюю поверхность ограждения, требующий отвода его за счет охлаждения водой. Унос тепла с водой охлаждения может быть существенным и в энергетическом балансе достигает 20—40%-Таким образом, ограждение вакуумно-дуговых и электроннолучевых печей энергетически несовершенно, однако этот недостаток перекрывается многими другими достоинствами печей данного типа, оправдывающими с технико-экономической точки зрения применение холодного ограждения. [c.243]

Комбинационное рассеяние (раман-эффект) . Колебательное движение ядер (и вращение молекул) можно вызвать косвенным воздействием, а именно возбуждением электронов. Для этого вещество просвечивают видимым светом или ультрафиолетовым излучением, волновое число которого достаточно сильно отличается от волнового числа Vд, поглощаемого веществом излучения. Возбуждающий свет вызывает периодическое смещение электронов в молекуле и тем самым индуцирует наведенный электрический диполь. Образуется своего рода источник вторичного излучения, волновое число которогоз1 совпадает с возбуждающей частотой (релеевское рассеяние). [c.220]

Методы, основанные на возбуждении глубинных электронов атомов — рентгенофлуоресцентный и рентгеноэмиссионный методы анализа. В более распространенном рентгенофлуоресцентном методе пробу подвергают действию излучения рентгеновской трубки. Атомы пробы возбуждаются внутренние электроны, находящиеся на ближайшей к ядру атома орбитали, так называемые К-электроны, выбиваются из атома. Их место занимают электроны с более отдаленных от ядра орбиталей. Переход этих электронов сопровождается возникновением вторичного рентгеновского излучения, длина волны которого связана функциональной зависимостью с атомным номером элемента. Измерение длины волны вторичного излучения дает возможность установить, какие именно элементы входят в состав пробы интенсивность же вторичного излучения зависит от количества данного элемента в пробе, т. е. ее измерение является основой количественного рентгенофлуоресцентного метода анализа. [c.32]

АБСОРБЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ, изучает спектры поглощения электромагн. излучения атомами и молекулами в-ва в разл. агрегатных состояниях. Интенсивность светового потока при его прохождении через исследуемую среду уменьшается вследствие превращения энергии излучения в разл. формы внутр. энергии в-ва и (илн) в энергию вторичного излучения. Поглощат. способность в-ва зависит гл. обр. от электронного строения атомов и молекул, а также от длины волны и поляризации падающего света, толщины слоя, концентрации в-ва, т-ры, наличия электрич. и магн. полей. Для измерения поглощат. способности используют спектрофотометры-оптич. приборы, состоящие из источника света, камеры для образцов, монохроматора (призма или дифракционная решетка) н детектора. Сигнал от детектора регистрируется в виде непрерывной кривой (спектра поглощения) или в виде таблиц, если спектрофотометр имеет встроенную ЭВМ. [c.14]

Энергия излучения, переданная среде, расходуется на образование ионов (атомных и молекулярных), вторичных (выбитых) электронов с энергией, достаточной для ионизации еще неск. молекул среды (т. наз. энергетические, или 8-электроны), сверхвозбужденных состояний. Расстояние, на к-ром происходит каждая послед, ионизация, прогрессивно уменьшается, достигая неск. нм при потере энергии вторичным электроном до величины, меньшей потенциала ионизации молекул среды. Вторичные электроны, не производящие ионизации, имеют еще достаточно энергии для возбуждения молекул. Взаимод. их со средой приводит к появлению возбужденных состояний молекул и ионов и дaJ ьнeйшeмy снижению энергии вторичных электронов до нек-рой пороговой энергии электронного возбуждения Е . Электроны с энергией Ец < Е < кТ (< Г-тепловая энергия среды, постоянная Больцмана, Т-абс. т-ра) наз. электронами не-довозбуждения. В конденсир. фазах на физ. стадии происходит также образование коллективных возбуждений-плазмонов, за время существования к-рых (10 -10 с) энергия, составляющая от 15 до 25 эВ, локализуется на отдельных молекулах, в результате чего происходит ионизация последних или переход их в высоковозбужденные состояния. [c.152]

Растровая (сканирующая) микроскопия. В растровых электронных микроскопах (РЭМ рис. 2) электронный луч, сжатый магн. линзами в тонкий (1-10 нм) зонд, сканирует пов-сть образца, формируя на ней растр из неск. тыс. параллельных линий. Возникающее при электронной бомбардировке пов-сги вторичные излучения (вторичная эмиссия электронов, оже-электронная эмиссия и др.) регистрируются разл. детекторами и преобразуются в видеосигаалы, модулирующие электронный луч в ЭЛТ. Развертки лучей в колонне РЭМ и в ЭЛТ синхронны, поэтому на экране ЭЛТ появляется изображение, представляющее собой картину распределения интенсивности одного из вторичных излучений по сканируемой [c.440]

Выбор ретсгрируемого вторичного излучения обусловлен задачей исследования. Основной режим работы РЭМ - регистрация вторичных электронов (ВЭ). Поскольку интенсивность эмиссии ВЭ сильно зависит от ила падения электронного луча на пов-сть, получаемое изображение весьма близко к обычному макроскопич. изображению рельефа объекта, освещаемого со всех сторон рассеянным светом иначе говоря, формируется тс)по1рафич. котрасг. Эмиссия ВЭ отличается наиб, интенсивностью по сравнению с др. вторичными излучениями. Кроме того, в этом режиме достигается макс. разрешение. [c.440]

Процессы упругого и неупругого рассеяния конкурируют между собой. За счет упругого рассеяния электроны пучка отклоняются от их первоначального направления движения, а затем диффундируют в твердом теле. Неупругое рассеяние значительно уменьшает энергию электрона пучка до те.х пор, пока он не захватывается твердым телом, ограничивая, таким образом, длину передвижения электрона в твердом теле. Область, внутри которой электроны пучка взаимодействуют с твердым телом, теряя энергию и создавая те формы вторичного излучения, которые мы измеряем, называется областью взаимодействия. Знание размера и формы области взаимодействия и их зависимости от параметров объекта и пучка чрезвычайно необходимы для точной интерпретации изображений в РЭМ и для микроа-нализа. [c.28]

Рентгеновские лучи способны к дифракции (рассешию), а кристаллы служат естественной дифракционной решеткой. Расстояния между плоскостями трехмерной кристаллической решетки (определяющие параметры элементарной ячейки) имеют такой же порядок, как и длина волны рентгеновского излучения, поэтому кристаллическая решетка и ведет себя подобно дифракционной решетке. Если монохроматический пучок рентгеновских лучей направить на кристалл, рентгеновские лучи рассеиваются когерентно, т е. при сохранении во времени постоянства соотношения между фазами волн и, следовательно, длины волны. Это создает возможность интерференции (сложения амплитуд волн) дифрагированного (вторичного) излучения, возникающего при взаимодействии первичного излучения с электронными орбиталями атомов кристаллической решетки. Получаемая дифракционная картина отражает трехмерную периодичности распределения электронных плотностей в кристаллической решетке, характеризующих расположение атомов. [c.145]

Быстро развивается и показывает хорошие результаты рентгенофлуоресцентный метод, основанный на том, что падающее первичное излучение создает при взаимодействии с материалом покрытия характеристические электромагнитные волны [25], имеющие кванты определенных длин волн и интенсивности. Спектральный состав излучения зависит от того, какие элементы имеются в материалах контролируемого объекта, а интенсивность — от массы данного элемента. Подбирая фильтры, выделяющие необходимую спектральную линию, характерную для материала покрытия, анализируя интенсивность и энергию квантов вторичного излучения с помощью различных электронных дискриминаторов, можно определить толщину одного или нескольких не очень толстых покрытий. Используемые при рентгенофлуоресцентном методе эффекты более сложны в приборной реализации, поэтому аппаратура на базе этого метода пока не выпускается крупными сериями. Вместе с тем имеются примеры успешного внедрения таких приборов в практику неразрушающего контроля толщин покрытий при разных сочетаниях материалов хром, олово, цинк, алюминий, титан или серебро на стали, медь на алюминии, хром на цинке, кадмий на титане и др. Решающим фактором применимости рентгенофлуоресцентного метода является наличие достаточной интенсивности вторичного излучения в диапазоне, где его регистрация эффективна. Также его ценным качеством является возможность из гpeний толщины многослойных покрытий, причем, когда их толщины соизмеримы, можно проводить в ряде случаев раздельный контроль. Успешно производится измерение толщины серебра на фотобумаге и ферролаковом покрытии. [c.352]

Причина светорассеяния состоит в том, что переменное электрическое поле световой волны вызывает колебание электроно частиц, постоянное уменьшение и увеличение )асстояния между зарядами (индуцирование диполей), что обусловливает возникно-в ние вторичного излучения, распространяющегося, по йсем направлениям. Чем крупнее частица, тем больше в ней появляется подобных диполей, а чем менее прочно электроны связаны с атомными ядрами, т. е. чем выше поляризуемость (деформируемость) электронных оболочек, тем легче происходит индуцирование диполей. Поэтому с возрастанием числа и размеров частиц с увеличе нием коэффициента рефракции, зависящего от поляризуемости, уве.цичивается интенсивность рассеянного света [c.534]

При рассмотрении взаимодействий с электронной оболочкой следует обратить внимание на два важных свойства 1) в противоположность бета-излучениро можно провести четкую границу между исходным и вторичным излучением. Последнее состоит из электронов и фотонов 2) статистически энергия, переданная электрону мишени входящей частицей, зависит от соотношения масс обеих взаимодействующих частиц. Протоны, дейтоны и альфа-частицы с энергиями около I Мэе могут сообщать электрону энергию в количестве лишь 1 кэв. Поэтому, когда мишени состоят из элементов с атомными номерами большими 10, при облучении частицами с энергией менее нескольких миллиоьюв электрон-вольт только внешние электроны могут взаимодействовать с поступающими частицами. Кроме того, в случае протонов, дейтонов и альфа-частиц, энергия которых значительно больше 1 кэв, основным фактором, обусловливающим рассеяние энергии, является возбуждение, а не ионизация, тогда как при бета-излучении этот процесс становится заметным лишь для энергий меньших 100 эв. [c.200]

В результате взаимодействия электронного зонда с веществом возникают различные типы сигналов, изображенные на рис. 7.2, которые могут быть использованы для исследования объекта. В зависимости от регистрируемого сигнала различают следующие основные виды электронно-зондовых устройств просвечивающие микроскопы и электронографы (упруго отраженные или рассеянные электроны), растровые микроскопы (отраженные, вторичные, поглощенные электроны, катодолюмннес-ценция, возбужденная проводимость), микрорентгеноспектральные анализаторы (рентгеновское излучение), Оже-электронные [c.223]

Здесь следует также указать па возможность крекинга предельных газов под действием жестких излучений бомбардировки атомными остатками и ускоро 1пыми элементарными частицами и облучения у-лу-чами. В связи с расширением источников жестких излучений исс,ледование подобных процессов приобретает также известный практический интерес. Одной из существенных проблем является установление условий, при которых продукты крекинга не дают не затухающих быстро вторичных излучений. Представляет интерес также выяснение химического влияния па протекание крекинга нестабильных атомоподобных образований тина .-мезоатомов, открытых в недавнее время. Время жизни, например, мезоатомов, в которых электрон заменен отрицательным х-мезоном, составляет сек., т. е. близко по величине к времени жизни радикалов, играющих основную роль нри крекинге. [c.55]

Проходя через вещество, рентгеновские лучи вызывают, ионизацию атомов, возбуждение в них флоуресцентного (вторичного) излучения и образование Оже-электронов. Эти процессы ответственны за поглощение рентгеновских лучей. Кроме того, интенсивность лучей, проходящих через вещество в направлении падающего пучка, уменьшается из-за рассеяния его электронами вещества по всем направлениям. Наконец, рентгеновские кванты очень-большой энергии (/lv>l МэВ), пролетая около ядер, вызывают появление электронно-позитронных пар. Все-это уменьшает интенсивность проходящего пучка тем больше, чем толще пронизываемый им слой вещества. [c.147]

Наряду с описанным процессом ядерного рассеяния электронов возможно превращение их энергии в электромагнитную энергию, т. е. в энергию рентгеновских лучей, в результате неупругого рассеяния под дейсгвием поля ядра. Этот вид вторичного излучения, так называемое [c.25]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология