Изломы на ступенях

При высокой температуре плотность изломов на ступени высока, а член, содержащий величину 0 в уравнении (34), очень мал. Следовательно, вблизи направления [100] величина р не зависит от направления ступени, поэтому график зависимости р в полярных координатах представляет окружность, [c.371]

Бартон с сотрудниками пытались показать, что мономолекулярная ступень на кристаллической грани будет содержать очень большое количество изломов. Изломы позволяют молекулам присоединяться к ступени по всей ее длине. В качестве доказательства этого устанавливается присутствие большого количества изломов на ступени при равновесии, хотя существование большого количества изломов на растущей ступени не установлено. Даже несмотря на это идея о том, что молекулы могут присоединяться к ступени в любой ее точке, должна быть принята, чтобы объяснить высокие значения коэффициента а, реально наблюдаемые для многих кристаллов. [c.207]

Истинный механизм действия травителя, благодаря которому он либо равномерно снимает материал, либо воздействует преимущественно на дислокации, остается в большинстве случаев неясным. Однако ряд травителей простого химического состава изучен довольно обстоятельно и механизм их действия хорошо раскрыт. Такие исследования дают веские основания полагать, что механизм действия по крайней мере некоторых химически более сложных травителей одинаков. Так, Гилман и. др. [52], а также Сирс [53], изучавшие механизм травления кристаллов Ь р водным раствором РеРз, обнаружили, что срыв атомов с поверхности начинается в местах выхода дислокаций на поверхность. Это объясняется тем, что из-за упругой деформации и деформации в ядре дислокации атомы здесь слабее связаны друг с другом. Роль фторида железа заключается в преимущественном подавлении перемещения ступеней по поверхности сравнительно с возникновением новых ступеней у дислокации. Отсюда растворение в ямках перпендикулярно поверхности кристалла идет быстрее растворения параллельно этой поверхности. Молекулы РеРз химически адсорбируются в изломах ) на ступенях, где они образуют сильные связи с ионами Р. Когда же ионов Ре + (или ионов АР+, аналогично действующих) нет, ямки травления не возникают. При молярной же концентрации Ре +, меньшей примерно 10 , ямки травления имеют незначительную глубину. Таким образом, травитель во многих случаях содержит примеси, роль которых заключается в преимущественной адсорбции или хемосорбции на изломах ступени. В табл. 1.1 дан неполный перечень травителей, применяющихся для изучения совершенства кристаллов. [c.42]

Если плотность изломов превосходит плотность ступеней, а скорость двумерной диффузии атома по поверхности соизмерима со скоростью его одномерной диффузии вдоль ступени, то четвертую и пятую стадии можно исключить из числа лимитирующих факторов. Полагая, что энергия образования и,злома на ступени равна приблизительно Vio энергии испарения ), Франк вычислил, что при минимальных температурах, обеспечивающих достаточное для роста кристалла давление пара, изломы на ступени образуются через три-четыре атома. [c.115]

Пусть среднее расстояние между изломами на ступени в чистой системе составляет Jo (в типичном случае 5—10 периодов решетки) ). Тогда для роста из паровой фазы в присутствии примеси с парциальным давлением pi изотерма лэнгмюровской адсорбции в одномерном варианте описывается формулой [c.500]

Если число изломов на ступени недостаточно велико, то нормальная скорость роста в окрестности винтовой дислокации отличается от идеального случая (когда изломов много) множите- [c.500]

Структура поверхности подложки, т. е. наличие ступеней, углублений, выступов, изломов на ступенях и др. [c.307]

Критич. зародыши образуются на активных центрах пов-сти электрода. Такими центрами м. б. поры в оксидной пленке, выходы винтовых дислокаций, вакансии, изломы на ступенях роста и др. энергетич. неоднородности пов-сти. Число активных центров, участвующих в процессе электрохим. нуклеации, возрастает с увеличением Г). Вокруг возникшего и растущего криста ша образуются зоны экранирования ( дворики роста ), в к-рых нуклеации не происходит. Радиус зон экранирования уменьшается с ростом л. Постепенно происходит исчерпание числа свободных активных центров и прекращение з ождения новых кристаллов, наступает насыщение. Адсорбция примесей из р-ра на электроде снижает число активных центров и, соотв., общее число зародышей. Стадия зарождения кристаллов определяет в конечном итоге осн. физ.-мех. св-ва гальванич. покрытий, в т. ч. их пористость. [c.430]

На атомногладкой фани кристалла его рост происходит путем образования двумерного критич. зародыша и его последующего разрастания. Возникновение двумерного зародыша требует определенного перенапряжения Т1, связанного с возникновением новой пов-сти - ступени роста и, соотв., избыточной краевой энергии. Распространение раст чцего слоя по пов-сти грани происходит тангенциально, путем присоединения атомов к местам роста (изломам на ступени). Такая Э. наблюдается на бездислокационных фанях монокристаллов Ag, полученных электролизом в капиллярах. При повышении [c.430]

Если адсорбция примесей не-локализована, такие примеси, ад- сорбированные на гладких участках грани, не могут быть частоколом перед ступенями. Однако в изломах на ступенях они могут адсорбироваться достаточно прочно. При этом число свободных, доступных для ОСНОВНО- 2 го вещества изломов снижается и скорость движения ступени по грани уменьшается. Соответственно происходит и уменьшение скорости роста грани. Однако в отличие от случая неподвижной адсорбции отравление изломов не приводит к полному тор-моженик грани, так как всегда возможен обмен между частицами примеси, адсорбировавшимися в изломах, и частицами основного вещества. Кроме того, все время флуктуативно возникают новые изломы. На рис. [c.51]

А — изломы на ступени В — адсорбированные молекулы С — вакансии i5 — пйры атомов, адсорбированных в смежных положениях. [c.162]

Чтобы предусмотреть случаи, когда предположения, использованные при выводе соотношения (17.11), не выполняются для тех или иных материалов (например, для молекулярных веществ в отличие от моноатомных), Бартон, Кабрера и Франк[41] ввели в правую часть формулы (17.11) два дополнительных множителя и Со, каждый из которых меньше или равен единице. Если число изломов на ступени недостаточно велико, т. е. если условие Хз >> Хо не выполняется, то со < 1 если же обмен адатомов или молекул между адсорбционным слоем и изломами происходит недостаточно быстро (что возможно, например, когда существует стерическое препятствие встраиванию молекулы в излом), в результате чего равновесная концентрация на [c.447]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология