Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Фарнсворт

    В дальнейшем Фарнсворт показал, что пространства Райта, Мак Адама и Манселла отличаются главным образом различным растяжением по оси от фиолетового до зелено-желтого. Следовательно, три соответствующих криволинейных графика не могут совпасть благодаря простым линейным преобразованиям. Предполагалось, что за различия ответственны различные условия наблюдения, используемые в этих трех работах. [c.349]


    Криволинейный характер преобразования обуславливается показателями степени, отличными от единицы. Это также показано на рис. 2.85, на котором линии постоянных значений х и у искривлены. Между графиком Фарнсворта на рис. 2.84 и графиком Мак Адама на рис. 2.85 наблюдается очевидное сходство. Фарнсворт не выводил уравнений преобразования для своего графика, а построил его непосредственно. [c.352]

    Детализация состояния адсорбированных молекул (эпитаксия, поверхностная диффузия) на гранях кристаллов металлов и полупроводников дана в статье Фарнсворта. [c.6]

    Дифракция медленных электронов от поверхности кристалла дает прямой метод изучения кристаллической поверхности совершенно чистой или с незначительным количеством примесей. Кроме того, этим методом, по-видимому, можно получить более подробные и точные данные о новерхности, чем любым другим. Преимущества подобных исследований известны уже более тридцати лет, и все же, несмотря на важность выяснения свойств чистых кристаллических поверхностей, а также эффективности самого метода, число работ, проведенных до настоящего времени в этой области, сравнительно невелико. Только Фарнсворт и его сотрудники [1] изучали чистые и почти чистые кристаллические поверхности с помощью дифракции электронов. Достижения этой небольшой группы исследователей можно, несомненно, признать значительными. [c.112]

    Новым методом непосредственного изучения адсорбированных фаз может явиться метод электронной микродифракции, Шлир и Фарнсворт 166а] показали, что чистая грань (100) монокристалла никеля, которую удалось получить с помощью ионной бомбардировки и откачки в очень высоком вакууме (10"мм рт, ст.), при давлении 2-10 мм рт. ст. адсорбирует монослой кислорода, в котором кислородные атомы образуют вполне упорядоченную решетку. [c.105]

    ТО определить положение его атомов в этой структуре невозможно.) Еще точно не известно, но кажется весьма вероятным [461], что при достаточно низких температурах адсорбция водорода не должна сопровождаться перестройкой граней 110 , но точно установлено [463], что при хемосорбции окиси углерода на гранях 110 при обычных температурах не происходит никакой поверхностной перестройки. Парк и Фарнсворт [465] показали, что на чистой грани 110 окись углерода адсорбируется таким образом, что на каждый атом чистой поверхности никеля приходится одна молекула СО. Следовательно, двумерная новерхностная ячейка структуры с окисью углерода имеет те же самые размеры, что и ячейка никелевой подложки. [c.140]

    В последние годы снова было предпринято несколько попыток исследовать влияние дислокаций на каталитическую активность. При этом особое внимание обращали на чистоту поверхности и старались использовать хорошо охарактеризованные твердые тела. Используя метод ионной бомбардировки, кратко описанный в разд. 3.2.2.6, Фарнсворт и Вудкок [48] получили чистые никелевые и платиновые поверхпости и показали, что каталитическая активность этих металлов при гидрировании этилена увеличивалась после проведения ионной бомбардировки. Однако авторам работы не удалось однозначно установить, вызвано это усиление активности присутствием отдельных дислокаций или сложной системой дислокаций и других дефектов. По-видимому, одно из наиболее ценных и интересных исследований выполнено Соснов- [c.228]


    Если пе проведены независимые контрольные измерения, выбирать электрод сравнения следует осторожно. Диллон и Фарнсворт [24], например, нашли, что ПП для кислорода на золотой пластинке, которую использовали в качестве отсчетной для измерений на германии, равен —0,40 В. Правда, этот результат, по-видимому, не отличается от результатов работы Гопкинса, Ми и Паркера [59], так как электрод представлял собой золотую пластинку весом 4,8 г на никелевой подложке и очистка его производилась только спеканием при 350° С. Следовательно, он мог быть загрязнен активными примесями. [c.128]

    Следует отметить, что теории Фаулера и дю Бриджа, как уже указывалось в разд. 11,7, применимы только к свободным электронам металлов. И действительно фотоэлектрическая работа выхода для чистых металлов близко совпадает со значениями, полученными другими методами. В то же время значения поверхностного потенциала, полученные фотоэлектрическим методом для целиком заполненных поверхностей металлов, часто не согласуются с измеренными другими методами фотоэлектрический метод дает, как правило, заниженные значения. Это можпо прежде всего объяснить фотодесорбцией, которая непосредственно наблюдалась в системе N1 — СО [65]. Однако не следует пренебрегать и влиянием плотности поверхностных состояний вместе с эффектом пятнистой структуры. Так, папример, Фарнсворт и Уинч [32] измеряли работы выхода для граней (111) и (100) хМонокристаллов серебра и в той же самой установке определяли КРП между ними методом вибрирующего конденсатора. Они получили хорошее совпадение между разностью работ выхода и КРП для чистых поверхностей. Такое совпадение уже не имеет дгеста после поглощения какого-то неизвестного адсорбента после накаливания вспышкой расположенной поблизости танталовой [c.156]

    Более ценную информацию относительно процессов захвата часто можно получить, изучая спад фототока после воздействия специфического излучения. Это один из методов, наиболее удобных д.ля определения времен жизни неосновных носителей. Сущность метода состоит в том, что на образец, соединенный с генератором постоянного тока, подают световой импульс и при помощи осциллографа с фотографической записью наблюдают возрастание и уменьшение фототока. Фарнсворт [20] использовал этот метод, чтобы показать влияние адсорбированного кислорода на скорость поверхностной рекомбинации на образце германия, покрытого пленкой окис.ча. Сходным путем Новотоцкий-Власов и Синю-ков [51] изучали влияние адсорбции различных полярных молекул на поверхностную рекомбинацию в германии. [c.304]

    Фарнсворт в экспериментах по дифракции медленных электронов применил ионное распыление для получения атомарно-чистых поверхностей. Как правило, исследуемая поверхность бомбардировалась ионами аргона с энергией меньше 500 эВ, и для получения поверхности высокой чистоты необходимо было удалить внедренные ионы инертного газа и отжечь радиационные дефекты. Промышленностью освоен интересный металлографи- [c.360]

    Фарнсворт и сотр. [1536], а также Марш и Фарнсворт [153в], используя метод дифракции медленных электронов, сравнительно недавно показали, что структура чистых поверхностей алмаза, кремния и германия отличается от идеальной объемной структуры. Наблюдались дробные порядки дифракционных максимумов, что [c.229]

    Г. Фарнсворт (Н. Е. Farnsworth, Brown University) После того как наща работа (статья 46) была доложена, мы получили дополнительные результаты типа приведенных на рис. 1 статьи 46, но с различной степенью отжига после ионной бомбардировки. В случае наименьшего отжига, т. е. наибольшего числа дефектов, кривые как для хемосорбированного кислорода, так и для закиси никеля идут выше, чем в случае наиболее полного отжига. Подобным же образом, зависимость интенсивности дифракционных линий оксидного слоя от температуры закалки (температура, при которой высокотемпературный нагрев сменяется радиационным охлаждением) указывает на то, что интенсивность уменьщается с понижением температуры закалки. Эти результаты подтверждают концепцию хемосорбции на дефектах решетки и предположение о том, что остальная часть поверхности оказывается заполненной благодаря процессу поверхностной диффузии. Такая концепция, следовательно, требует изменения выводов, сделанных нами в предыдущей статье, относительно условий, необходимых для образования монослоя. По-видимому, аморфный второй адсорбированный слой и окис-ный слой начинают образовываться еще до завершения первого [c.555]

    А. Гуотми (А.Т. Gwathmey, University of Virginia) Я хотел бы спросить проф. Фарнсворта, получил ли он в своих опытах какие-либо данные 1) о сглаженности поверхностей в атомном масштабе или 2) об образовании каких-либо граней во время обработки полученных им поверхностей. [c.556]


Библиография для Фарнсворт: [c.566]   
Смотреть страницы где упоминается термин Фарнсворт: [c.336]    [c.349]    [c.318]    [c.320]    [c.322]    [c.324]    [c.326]    [c.330]    [c.336]    [c.338]    [c.340]    [c.342]    [c.344]    [c.346]    [c.348]    [c.122]    [c.247]    [c.139]    [c.263]    [c.52]    [c.53]    [c.7]    [c.144]    [c.146]    [c.148]    [c.150]    [c.152]    [c.194]    [c.490]    [c.492]    [c.494]    [c.496]   
Гетерогенный катализ в органической химии (1962) -- [ c.0 ]

Клейкие и связующие вещества (1958) -- [ c.299 , c.300 , c.302 , c.303 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте