Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Электронного расщепление

    Основным состоянием газообразного иона является причем низшее положение в октаэдрическом поле занимает орбитальный синглет. -Оболочка заполнена более чем наполовину, поэтому спин-орбитальное взаимодействие ведет к значению д-фактора, превышающему значение для свободного электрона. Расщепление в нулевом поле делает трудной регистрацию спектров ЭПР, если только не использовать низкие температуры. Найденные значения д-фактора обычно близки к изотропным. [c.245]


    Заполнение электронами расщепленных уровней tqg и eg происходит в последовательности, которая обеспечивает минимальную энергию системы комплексообразователь — лиганд и определяется соотношением двух конкурирующих факторов энергией спаривания электронов и разностью энергий упрочнения и ослабления связи Д св- Поэтому заполнение электронами уровней /гг и вд может проходить двумя способами в зависимости от силы поля лигандов, [c.201]

    Разность энергий электрона на орбитах ёху и с х2—характеризует действие поля лигандов и мон<ет быть названа эффектом поля лигандов (эффектом кристаллического поля — ЭКП) для -электронов. Расщеплению в электрическом поле подвергаются также р- и /-орбиты. [c.16]

    Согласно работе [146] изотропное СТВ с двумя -протонами дает в спектре триплет с расщеплением 26 гс, в то время как расщепление от СТВ с а-протоном изменяется в зависимости от угла между осью вытяжки и направлением магнитного поля от 26 до 14 гс (параллельная и перпендикулярная ориентация) (рис. VI. 14, б). Отсутствие взаимодействия с протоном NH-группы объясняется тем, что N—Н-связь лежит в плоскости молекулярной цепи и не перекрывается с / -орбиталью неспаренного электрона. Расщепление, возникающее [c.301]

    Теоретические расчеты я-электронного расщепления в нулевом поле для ароматических соединений довольно сложны, поскольку неспаренные электроны могут перемещаться по всей сопряженной системе. Важным следствием антисимметрии электронной волновой функции Ч (Г1, Гг) [см. выражение (24)] является то, что плотность вероятности (гь Гг)Р становится пренебрежимо малой, когда электроны подходят друг к другу и нет больших вкладов в О и от конфигураций, в которых оба электрона близко расположены друг к другу. Значения О и Е не всегда чувствительны к тонким деталям спинового распределения и дают недостаточную информацию о я-электронной волновой функции триплетного состояния. [c.166]

    Для радикалов со спином больше расщепления в нулевом поле определяют основные особенности спектра и часто приводят к очень низким значениям времени релаксации. Теория ширины линии для триплетного состояния математически идентична этой теории для ядерной спин-спиновой релаксации в молекуле воды, за исключением того, что ядерный О-тензор заменяется тензором электронного расщепления в нулевом поле [c.263]

    Ясность появляется мгновенно, если поместить ампулу с таким раствором в датчик спектрометра ЗПР. Появляется спектр, отличающийся чрезвычайным изяществом и симметрией (рис. 74). Трактовка его сравнительно проста. Сигнал неспаренного электрона расщеплен на пять линий, расстояния между которыми равны и составляют 4,95 Гс. А каждая из них, в свою очередь, расщеплена еще на пять — с меньшей константой (1,83 Гс). Интенсивности линий внутри каждого такого квинтета относятся как 1 4 6 4 1 — снова биномиальные коэффициенты. Трактовка спектра неоспорима электрон вступает в сверхтонкое взаимодействие с двумя четверками протонов, с одними более, с другими — менее сильное. Что это за четверки протонов, нам уже известно. Именно на такие группы распадаются восемь атомов водорода, содержащиеся в молекуле У. Что же мы наблюдаем Продукт, который получился в результате перехода электрона от атома натрия к молекуле У, иного и не придумаешь. [c.180]


    Этот новый ВИД спектроскопии твердых тел может дать химику полезную информацию о непосредственном окружении ядра, т. е. об его электронных оболочках. Однако этим методом можно исследовать не слишком легкие ядра (в настоящее время ядра тяжелее, чем К). Смещение резонансных линий, связанное с различными видами химической связи между атомами излучателя (или, наоборот, поглощающего излучения вещества), называют изомерным смещением , соответственно химическим смещением (открыто на атомах железа). Это смещение происходит в результате взаимодействия с 5-электронами. Расщепление спектральных линий, связанное с взаимодействием между электрическим ядерным квадрупольным моментом (разд. 4.2) и орбитальным моментом р- и -электронов, называют квадрупольным расщеплением. Тем самым становится возможным отдельно исследовать распределение 5-, р- и -электронов. Большие успехи были достигнуты, например, при исследовании соединений железа и олова методом мёссбауэров-ской спектроскопии. [c.129]

    ПОДХОДЯТ К меньпгему по объему и более высоко заряженному иону металла и, следовательно, более сильно взаимодействуют с его -электронами. Расщепление кристаллическим полем в комплексах [рЬ(ННз)вР+ и [Ir(NHз)в] + больше, чем в [Со(МНз)б] . Вообще расщепление больше для комплексов, содержащих 5 -электроны, и меньше [c.58]

    Основной эффект влияния лигандов, как и в случае электронной конфигурации из одного -электрона, — расщепление термов. Но в отличие от варианта для нескольких -электронов наглядная интерпретация затруднительна. Однако причиной расщепления является тот же эффект, что и для одного -электрона в поле лигандов наименьшей энергией обладают те состояния (многоэлектронные), максимум -функций которых простираются в области, отстоящие дальше от лигандов. Рассмотрим как можно трактовать этот случай количественно. [c.81]

    Мы обсудили наиболее важные особенности, возникающие в спектрах ЭПР для ионов со спином больше 1. Мультинлетность линий, которые возникают вследствие расщепления в нулевом поле, называют тонкой структурой спектра очень часто наблюдается также дополнительная сверхтонкая структура, обусловленная электронно-ядерным взаимодействием. Наиболее важно отметить, что для ионов с нечетным числом неспаренных электронов расщепление в нулевом поле приводит к образованию набора крамерсовых дублетов, и, так как самое нижнее состояние по крайней мере дважды вырождено по спину, то всегда возможно резонансное поглощение. [c.218]

    Этот новый вид спектроскопии твердых тел позволяет химику получить полезную информацию о непосредственном окружении ядер, а также об электронной оболочке — там, где он применим, т. е. для определенных не слишком легких ядер / К, например, является самым легким из элементов, которые еще можно исследовать). Смещение резонансных линий, обусловленное различ-ны.ми химическими состояниями связанных атомов излучателя или поглотителя, называют изомерным, или химическим, сдвигом (открыт на атомах Fe). Эти сдвиги в основном определяются s-электронами. Расщепление линий, обусловленное взаилюдействием электрического ядерного квадрупольного момента (см. разд. 4.3) с элек- [c.157]


Смотреть страницы где упоминается термин Электронного расщепление: [c.64]    [c.333]    [c.437]    [c.156]    [c.201]    [c.549]    [c.303]   
Экспериментальные методы в химии полимеров - часть 2 (1983) -- [ c.348 , c.350 ]

Экспериментальные методы в химии полимеров Ч.2 (1983) -- [ c.348 , c.350 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Аммиак расщепление электронных уровне

Влияние особенностей электронно-колебательных переходов на экситонное , расщепление

Влияние строения электронной оболочки (3d) на величину расщепления d-уровней центрального иона полем одного и того же лиганда . 376. Влияние силы поля лигандов на величину расщепления d-уровней (для одного и того же иона — комплексообразователя в октаэдрической координации -лигандов)

Гибрид бериллия расщепление электронных уровней

Гидрид лития расщепление электронных уровней

Комплексы аллильные расщепление электронных уровней

Метан расщепление электронных уровне

Метен расщепление электронных уровне

Метил расщепление электронных уровне

Метин расщепление электронных уровне

Механизмы разрыва связей и расщепления органических соединений под электронным ударом

Полосы поглощения, электронные расщепление Яна Теллера

Расщепление дублетное электронно-колебательное

Расщепление под влиянием электрического разряда, электронного удара и радиации

Реакции присоединения галоидоводородов образования расщепления электронных пар

Реакции, протекающие по механизму образования-расщепления электронных пар

Сверхтонкое расщепление, обусловленное взаимодействием электронов с магнитными моментами ядер лиганда

Связь между сверхтонким расщеплением и плотностью неспаренного электрона

Электронная плотность и реакции протекающие по механизму образования расщепления электронных

Электронного зеемановское расщепление

Электронного парамагнитного резонанса спин-спиновое расщепление

Электронные факторы их влияние на расщепление амидов

Электронные эффекты при гидролизе сложных эфиров расщепление по связям О—ацил и О—алкил

Электронный парамагнитный резонанс ЭПР сверхтонкое расщепление

Электронный парамагнитный резонанс сверхтонкое расщепление, константа

Электростатическое взаимодействие заряда ядра с окружающими его электронами и ионами (изомерный сдвиг и квадрупольное расщепление спектральных линий)

Энергия активации механизму образования расщепления электронных пар

Яна Теллера расщепление электронных полос

идроксил расщепление электронных уровне



© 2025 chem21.info Реклама на сайте