Проводниковые и полупроводниковые

Значение электротехнических материалов возрастает по мере развития радиотехники. Уменьшение габаритов и веса аппаратуры, дальность и избирательность связи, повышение надежности, особенно в экстремальных условиях наземного и космического применения, микроминиатюризация радиоаппаратуры, внедрение квантовой электроники—все это зависит от применяемых электроизоляционных, магнитных, проводниковых, полупроводниковых, сверхпроводниковых и других материалов. [c.65]

Ниже приводятся значения р (в ом см, прп комнатной температуре) для некоторых проводниковых, полупроводниковых и электроизолирующих материалов. [c.298]

Облако сопряженных связей карбазольного ядра образно можно сравнить с тучей, которая, как известно, в природе является генератором молний. Однако до начала грозы полимер тока не проводит — между тучами нет связи. Роль молнии в данном случае играет квант света он возбуждает электронное облако, то есть под действием электрического поля возбужденные электроны начинают перемещаться от одного карбазольного ядра к другому. Возникает электрический заряд. И дальше все идет примерно так же, как и в случае с селеновым полупроводником. С той лишь разницей, что полимер наносят на тонкую проводящую подложку и в копировальную машину заряжают сразу целый рулон такой полупроводниково-проводниковой пленки. По мере истирания рабочего слоя пленку постепенно перематывают с рулона на рулон. Таким образом число копий, которые можно сделать, не останавливая машину, возрастает в несколько раз. [c.129]

Инфракрасный микроскоп. С помощью инфракрасной микроскопии изучают объекты, которые практически непроницаемы для лучей видимой части спектра, но прозрачны для инфракрасных лучей. Прозрачными для инфракрасного света являются Преимущественно проводниковые и полупроводниковые соединения (81, 2п, Те, опаловые стекла, хромовая руда и т. д.). [c.124]

В настоящее время изучается обширная группа полупроводниковых материалов, представляющих собой химические (большей частью бинарные ) соединения. Интересно отметить, что среди этих соединений хорошими проводниковыми свойствами обладают соединения элементов, равноотстоящих от середины таблицы Менделеева, например вещества состава A i , где А — элемент III группы, а В — элемент V группы. Примеры полупроводников подобного рода фосфиды галлия и индия (GaP, InP), арсениды тех же метал- [c.458]

Проводниковые термопреобразователи сопротивления применяют для измерения температуры от —200 до +500 °С, а полупроводниковые — до +200 С. [c.315]

Болометры — специально выполненные резисторы из проводникового или полупроводникового материала, предназначенные для обнаружения и измерения чрезвычайно малых потоков мощности. По сравнению с другими терморезисторами болометры отличает более высокая стабильность характеристик (металлические болометры), но вместе с тем — пониженные температурные коэффициенты. Их так же, как СВЧ-диоды, изготавливают парами, причем располагают рядом и один из них экранируют от излучения. Болометры часто применяют с охлаждением до низких температур с целью увеличить их чувствительность и снизить погрешность измерений. [c.122]

Проводниковые и полупроводниковые матрицы для иммобилизованных ферментов 80 [c.71]

ПРОВОДНИКОВЫЕ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТРИЦЫ ДЛЯ ИММОБИЛИЗОВАННЫХ ФЕРМЕНТОВ [c.80]

Между тем, если представления о проводниковом и полупроводниковом характере катализаторов одной из двух групп классификации Рогинского отвечают действительности, то общность явлений отравления и промотирования малыми добавками не только должна иметь место, но такая общность должна обладать большой принципиальной значимостью. Дело в том, что полупроводниковая сущность катализаторов должна придать им такие свойства, которые выражаются, во-иервых, в крайней чувствительности к любым примесям и, во-вторых, в появлении примесной проводимости, следовательно, в увеличении каталитической активности. На практике это должно означать, что попадание в виде примесей даже таких веществ, которые считаются высокотоксичными ядами, в определенных [c.226]

Начать хотя бы с того, что свойства индивидуальных редкоземельных металлов мы знаем довольно приблизительно. Разноречивы данные о температурах плавления и кипения лантаноидов и их кристаллической структуре. В начальной стадии находятся исследования механических, магнитных, электрических, полупроводниковых и сверх-проводниковых характеристик редкоземельных металлов. Изучение аномальных валентностей недалеко шагнуло вперед по сравнению с исследованиями Клемма. Мы еще мало знаем о ядерных свойствах лантаноидов, а ведь доскональное ознакомление с ними может не только лишний раз подчеркнуть своеобразие редкоземельного семейства, но и выявить закономерности, важные для более глубокого понимания природы лантаноидов. [c.219]

С тех пор как в 1942 году было установлено, что в радиолокационных системах часть электронных ламп выгодно заменять полупроводниковыми детекторами, интерес к гер -манию рос из года в год. Изучение этого ранее нигде не применявшегося элемента способствовало развитию науки в целом и прежде всего физики твердого тела. А значение полз/проводниковых приборов — диодов, транзисторов, термисторов, тензорезисторов, фотодиодов и других — для развития радиоэлектроники и техники в целом настолько велико и настолько известно, что говорить о нем в возвышенных тонах еще раз как-то неудобно. [c.115]

Принцип действия термометров сопротивления основан на изменении электрического сопротивления материалов с температурой. В проводниковых термометрах сопротивления электрическое сопротивление увеличивается с повышением температуры, в полупроводниковых — уменьшается. [c.185]

Проводниковые термометры сопротивления большей частью изготовляют из платины и меди и применяют для измерения температуры в пределах от —200 до +500°С. Полупроводниковые термометры сопротивления — термисторы состоят из оксида меди и оксида марганца и применяются для измерения температуры в пределах от —200 до +200 °С. [c.185]

В этой связи перспективным оказывается применение на холодильных установках полупроводниковых термометров сопротивлений, получивших название термисторов. В отличие от проводниковых материалов, у. полупроводниковых материалов (двуокись урана, окись марганца и др.) удельное электрическое сопротивление уменьшается с повышением температуры, т. е. термисторы имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления щ. Связь между температурой и сопротивлением у термисторов описывается экспоненциальным уравнением вида [c.232]

Принцип действия электрических термометров сопротивления основан на свойстве проводниковых и полупроводниковых материалов изменять свое электрическое сопротивление при изменении температуры окружающей среды. [c.103]

Полупроводниковые термометры сопротивления (термисторы) в 5... 10 раз чувствительнее проволочных (проводниковых), имеют малые габаритные размеры, поз- ,i воляют использовать менее чувствительные вторичные приборы. [c.21]

Учитывая высокую удельную активность частиц проводниковой или полупроводниковой природы, были проведены работы по получению КЭП, где И фаза являлась катализатором [1, 159]. [c.137]

В заключение скажем несколько слов о перспективах материального производства на ближайшие 30—40 лет. Из большого комплекса взаимосвязанных тенденций ученые-прогнозисты выделяют четыре направления научно-технического прогресса. Одно из них сопряжено с развитием ядерной энергетики и расширением области применения ионизирующих излучений в промышленности. сельском хозяйстве и медицине. Второе направление выразится в доминирующей роли квантовых процессов (реализуемых в лазерах, сегнетоэлектриках, полупроводниковых и сверх-проводниковых устройствах и т. д.) в технологии, энергетике, связи и кибернетике. В частности, всеобщее применение найдет автоматизация процессов на основе электронных счетно-решающих и управляющих машин. Третье направление воплотят легкие конструкции из высокопрочных и жаростойких металлов, сплавов, огнеупоров и композиций на основе нитевидных кристаллов они завоюют транспорт, промышленное и дорожное строительство. Четвертое важное направление усматривают в подъеме качества полимеров на новую ступень за счет выпуска материалов с точно заданными свойствами. В их перечне будут композиции на основе стереорегулярных полимеров, а также вещества однородного состава и строения на молекулярном и надмолекулярном уровне, приближающиеся по свойствам к биополимерам. [c.55]

В практикуме описаны лабораторные работы по химии и технологии полупроводни ков. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химического ис следования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построенИ Р—7— -диаграмм, методы микроструктурного анализа и микротвердости), различны. методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристаллов полу проводниковых соединений, а также зтгакомит с основными технологическими опера днями в производстве полупроводниковых приборов (окисление, диффузия, эпитаксия травление). [c.2]

Термопреобразователи сопротивления. Принцип действия термопреобразователей сопротивления основан на изменении электрического сопротивления проводников и полупроводников от температуры. Известно, что сопротивление проводника или полупроводника, по которому протекает электрический ток, изменяется в зависимости от температуры. При этом электрический ток также изменяет свое значение. При повышении температуры сопротивление в проводниках увеличивается, а в полупроводниках уменьшается. Это свойство и используется в термопреобразователях сопротивления. В проводниковых термопреобразователях сопротивления зависимость изменения сопротивления от температуры близка к линейной, в полупроводниковых эта зависимость нелинейна. [c.315]

Тонкопленочные интегральные микросхемы получают осаждением п.ченок различных материалов на изоляционную подложку, в качестве которой наиболее часто используют боросиликатное стекло и и ситалл. Функциональные узлы получают в результате последовательного осаждения на подложку тонких пленок проводниковых, диэлектрических, полупроводниковых, магнитных и магнптодиэлектрических материалов из газопаровой фазы в вакууме. Для получения рисунка схемы используются специальные металлические маски. Ведется непрерывный контроль параметров образующихся элементов. Испарение осаждаемых материалов получается при нагревании их с помощью подогревателей, электронной бомбардировки или лазерного излучения. [c.34]

Сам кремний находит широкое применение в производствэ жароупорных и кислотоупорных сталей. Кроме того, он входит в состав инструментальных сталей, чугунов и многих цветных сплавов, нанример машиностроительного и проводникового алюминия. Отличающееся своей высокой магнитной проницаемостью трансформаторное железо также является сплавом его с кремнием. За последние годы кремний очень высокой степени чистоты применяется в полупроводниковых приборах. [c.259]

Кремниевые полупроводниковые приборы выгодно отличаются от германиевых прежде всего лучшей работоспособностью при повышенных температурах и меньшими обратными токами. Большим преимуш,еством кремния оказалась и устойчивость его двуокиси к внешним воздействиям. Именно она позволила создать наиболее прогрессивную планарную технологию производства пону-проводниковых приборов. Она состоит в том, что кремниевую пластинку нагревают в кислороде или смеси кислорода с водяным паром и она покрывается заш итным слоем SiOg. Вытравив затем в нужных местах окошки , через HEX вводят легирующие примеси, здесь же присоединяют контакты, а прибор в целом тем временем защищен от внешних воздействий. Для германия такая технология пока невозможна устойчивость его двуокиси недостаточна. [c.116]

Характер изменения электропроводимости в зависимости от температуры для веществ с различными типами химической связи схематически показан на рис. 3.32 [18]. Металлическая проводимость характерна кроме некоторых оксидов (например, ЕеОз) и для многих боридов, нитридов, карбидов и силицидов -элементов. При этом электропроводимость их может превышать значения, присущие металлам, из которых они образованы. Так, для TiB2, 2гВ2 и НГВг величина Х=6—10 МСм/м, что в 3 раза превышает значения этого показателя для соответствующих металлов [1]. Оксид кобальта — полупроводник, характеризуемый резким увеличением проводимости с ростом температуры. Для У02 с ростом температуры характерен резкий переход из полупроводникового в проводниковое состояние при 330 К за счет изменения его кристаллической структуры [18]. В действительности диоксид ванадия характеризуется широким диапазоном нестехиометричности по составу он отвечает формуле У01,8-2.2 [37, 94]. [c.93]

В работе [25] описаны случаи уменьшения каталитической активности ввиду усиления электронного обмена между металлом (например, Ni) и носителем (АЬОз), которому приданы и-проводниковые свойства добавкой двух- или четырехзарядных металлов. При этом у N1 понижается и магнитный момент за счет повышения электронной плотности в 3d-ypoBHe. Переток электронов возможен от носителя-металла (Ag) к полупроводниковым слоям — NiO, РегОз или ZnO, что приводит к снижению каталитической активности NiO (р-проводимость) и усилению ее у других оксидов (я-прово-димость). [c.132]

Вакуумная установка ВУТП-2 [9] дает возможность наносить тонкослойные оптические покрытия из диэлектрических, полупроводниковых и проводниковых материалов термическим испарением с одновременным контролем толщины слоя в процессе его нанесения. На установке можно [c.237]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология