Эффекты сильного поля на практике

Б. Эффекты сильного поля на практике [c.215]

Простое рассмотрение первого порядка спин-спинового взаимодействия, приведенное в разд. 3 гл. 1, предсказывало для случаев, подобных обсуждаемым, две линии равной интенсивности. На практике имеют место и эффекты второго порядка, в результате чего дублет обычно бывает искажен. Искажение проявляется таким образом, что больший пик дублета лежит в более слабом поле, если протон, с которым взаимодействует система, также дает сигнал в более слабом поле. Это относится ко всем резонансным сигналам вторичных метильных групп на рис. 12. И наоборот, пик дублета, находящийся в более сильном поле, будет большим в том случае, когда сигнал протона, обусловливающего расщепление, также находится в более сильном поле, чем центр дублета. Эти искажения будут наибольшими, если химический сдвиг (б) между метильными (СНз—СН< ) и метиновыми (СНз—СН< ) протонами мал и сравним с константой взаимодействия (/) между этими протонами (т. е. отношение б// невелико см. также гл. 3, разд. 2) [21]. [c.54]

На практике наибольшее рабочее расстояние составляет около 1 мм. При увеличении расстояния до контролирующего устройства амплитуда звукового давления уменьшается, поскольку ослабевают и магнитное поле катушки, возбуждающее вихревой ток, и постоянное магнитное поле. Поскольку геометрия обоих этих полей обычно различна, закон изменения магнитной индукции с расстоянием у них тоже неодинаков. К тому же и индуктивность катушки изменяется с расстоянием. Ввиду взаимодействия всех этих трех эффектов степень снижения амплитуды с увеличением расстояния очень сильно зависит от конкретных условий контроля и не может быть выражена простым законом. Соответствующие измерения проводились в работах [331, 1003] там рассматривается также и зависимость от интенсивности постоянного магнитного поля. [c.173]

Оптимальная частота ультразвуковых колебаний, используемых для очистки, 20—40 кгц. Чем сложнее профиль деталей, тем выше должна быть частота. Понижение частоты в область слышимых звуков (т. е. меньше 20 кгц) нецелесообразно из-за значительного увеличения размера и веса активных элементов источников колебаний и сильного шума, возникающего при их работе. Увеличение частоты колебаний свыше 40 кгц также нежелательно, так как увеличивается направленность ультразвукового поля, что затрудняет одновременную очистку большого количества деталей. Интенсивность очистки зависит также от положения детали относительно ультразвуковой волны. На практике эту зависимость легко учесть, если перемещать детали во время очистки (т. е. экспериментально подбирать именно то расположение деталей в ванне, которое обеспечивает максимальный эффект очистки). Самая быстрая очистка происходит вблизи поверхности преобразователя. Установлено, что жировые загрязнения удовлетворительно удаляются на расстоянии до 100—150 мм от диафрагмы преобразователя. Уровень рабочего раствора над деталями должен быть не менее 30—40 мм. Для более равномерной очистки детали можно покачивать или вращать, особенно когда они имеют отверстия. Если отверстия деталей во время очистки направлены только вниз, то они могут быть закрыты воздушными пузырьками если отверстия направлены только вверх, то в них будут задерживаться загрязнения. [c.91]

Информацию о кинетике кислотно-основных реакций можно также получить при быстром изменении внешнего электричеокого поля. Однако, поскольку применение сильных полей в течение длительного времени вызывает побочные процессы, связанные с нагреванием и электролизом, в экспериментах используют короткие электрические импульсы. Степень диссоциации слабых электролитов под действием сильных электрических полей увеличивается до определенного уровня (ее можно вычислить). Это явление известно как эффект диссоциации полем или второй эффект Вина. При быстром изменении поля степень диссоциации меняется с запаздыванием. Сказанное иллюстрирует рис. 6, который показывает, как будет изменяться степень диссоциации а при наложении прямоугольных электрических импульсов различной длительности. Так как электропроводность раствора зависит от степени диссоциации, она будет меняться за время импульса, и это изменение можно использовать для определения скорости диссоциации. На практике часто применяют затухающий гармонический импульс вместо прямоугольного, а чтобы исключить влияние той части эффекта Вина, которая обусловлена межионным притяжением, измеряют электропроводность по сравнению с сильным электролитом. [c.141]

Для разрешенных энергетических переходов внутри ядра применимо обш ее квантовое уравнение АЕ = /IV, и поглощение энергии вызывает переход протона с низшего уровня на высший. Величина V находится в пределах диапазона радиочастот электромагнитного спектра. Вероятность осуществления перехода пропорциональна степени заселенности низшего энергетического уровня, и поскольку эта величина увеличивается с ростом А/ , а АЕ пропорционально Н, то для того чтобы наблюдать максимально возможное поглощение, следует применять очень сильные поля. Более того, поскольку hv = куН12п, то V пропорционально Н. Поэтому переходы протонов можно вызвать, изменяя либо частоту электромагнитного излучения, либо общую силу поля до величины, соответствующей этому уравнению. На практике поле изменяют в пределах, включающих эту величину, при постоянной величине V, при которой происходит это поглощение. Поэтому для того, чтобы снять ЯМР-спектр, образец вещества подвергают облучению радиочастотным излучателем, тем самым прилагая к этому веществу осциллирующее магнитное поле. Переходы между энергетическими уровнями вызываются эффектом резонанса, который наступает, как только частота осциллирующего поля становится равной частоте перехода. По мере того как накладываемое поле (которое определяет величину Н) медленно и постоянно увеличивается, реализуется такое равенство для частоты перехода каждого протона в веществе. Используется поле, сила которого составляет 10 15 10 Гс (1—1,5 Т), частоты протонов попадают в область 30-100 МГц. [c.132]

ПЯТЬ ядер на каждый миллион. Когда включают генератор радиочастоты, то из-за этого небольшого избытка сначала происходит более сильное поглош,ение, чем излучение но поглош,ение уменьшает избыточную заселенность, поэтому число ядер в этих двух состояниях стремится стать одинаковым. Этот эффект привел бы к исчезновению сигнала, если бы ядра с верхнего состояния могли возвратиться в нижнее состояние не иначе, как путем индуцированного излучения. К счастью, суш,ествуют неизлучательные переходы такого типа, при которых избыточная энергия ядер переходит в энергию поступательного движения сталкиваюш,ихся молекул. Любой механизм такого типа, который позволяет ядру отдать окружению избыточную энергию, носит название релаксационного процесса. Следовательно, в обычном эксперименте суш,ествует своего рода конкуренция. Поглош,ение радиочастоты стремится уравнять заселенность состояний, в то время как релаксация стремится сохранить избыток ядер в нижнем состоянии. Избыточная заселенность нижнего состояния, а потому и интенсивность поглощения зависят от того, как быстро достигается равновесие. На практике радиочастотное поле Я1 держат на низком уровне, чтобы уменьшить скорость поглощения, давая возможность релаксационным процессам поддерживать тепловое распределение ядер между двумя состояниями. Фактически любое значительное увеличение Я1 ослабляет сигнал, и таким образом вызывает искажение о такой системе говорят, что она насьщена. [c.65]

Используя обратный эффект. Если электрическое поле Е приложено к монокристаллу нематика, упорядочение может исказиться, поскольку соответствующее искажение может создать поляризацию Рд, параллельную Е. По-видимому, этот обратный эффект наблюдали на МББА Шмидт, Шадт и Хельфрих [60]. Принцип показан на фиг. 3.21. Образец ограничен двумя параллельными стеклянными пластинами, обработанными лецитином для получения гомеотропной текстуры. Однако для предлагаемой интерпретации эксперимента необходимо, чтобы граничные услог ВИЯ не соответствовали сильному нормальному сцеплению угол между молекулами и поверхностью не должен быть фиксирован. Поле Е приложено В плоскости слоя (вдоль х). Поскольку в МББА Е) < г , то, если бы присутствовали одни только диэлектрические эффекты, они стабилизировали бы упорядочение вдоль нормали z к пластинам. Но на практике наблюдается искажение, как показано на фиг. 3.21. Такое искажение является естественным следствием флексоэлектрического эффекта, если предположить, что на обеих граничных поверхностях имеет место слабое сцепление. [c.117]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология