Таблица дифракционных групп

Таблица дифракционных групп [c.301]

Метод порошка не позволяет разрешить вопрос о дифракционном классе кристалла. При расшифровке правил погасания с помощью таблицы дифракционных групп необходимо принять во внимание оба дифракционных класса данной сингонии (речь может идти здесь только о высшей и средних сингониях). В тех случаях, когда совокупность правил погасаний, даваемых объектом, возможна в обоих классах, неоднозначность определения пространственной группы возрастает. [c.468]

Таблицы погасаний для определения 122 дифракционных групп [c.287]

В определителе В. И. Михеева таблицы дифракционных данных расположены по минералогическому признаку все минералы разбиты на 10 классов, как это принято в минералогии. Классы подразделяются на подклассы, отделы, типы (по составу) и, наконец, группы и кристаллохимические группы. Для лиц, незнакомых с минералогической классификацией, имеется вспомогательный указатель, где названия минералов приведены в алфавитном порядке. В указателе для каждого минерала приводится порядковый номер основной таблицы и значения djn трех наиболее интенсивных линий. [c.475]

По другим данным триклинный анортит пмеет характерные дифракционные максимумы с rf. А 3,21 3,19 4,05. Габитус кристаллов— таблицы, бруски бесцветный, белый или серый п = 1,589, Пт = 1,583, Пр — 1,576 (—) 2 V =1Т спайность совершенная по (001) и по (010). ИКС полосы поглощения при (см- ) 460—480 (деформационные колебания связи Si—О—S1) 570—625 (предположительно валентные колебания связи А1—О) 930 (валентные колебания связи Si—О). 7 пл = 1553°С. Растворим в НС1. Плотность 2,765 г/см . Твердость 6. При нормальных температурах и в гидротермальных условиях гидратируются с образованием геля. При наличии активизаторов (СаО, гипс) проявляет слабые вяжущие свойства. Получают из расплава. Встречается в основных и кислых доменных шлаках, золах. Конечный член плагиоклазовой серии твердых растворов. Один из распространенных минералов группы полевых шпатов. [c.205]

В первом томе Интернациональных таблиц на стр. 54 и 55 приводится исчерпывающий перечень индексов присутствующих отражений для всех пространственных групп. В каждом случае невозможно единственным способом определить пространственную группу кристалла по систематическим погасаниям. Причина заключается в том, что систематические погасания обусловлены только трансляционными элементами симметрии, тогда как дифракционная картина, обусловленная конкретной точечной группой симметрии, всегда включает центр симметрии. [c.83]

После перехода к гексагональной координатной системе условие, которому удовлетворяют присутствующие на рентгенограмме отражения, примет вид к—к = Ъп (частный случай условия h—k+l=Sn, см. табл. 13). Имея это в виду, обратимся к таблице дифракционных групп симметрии (табл. 16, стр. 293). Пространственную группу следует искать в строках 85 и 86. Однако вторая вейсенбергограмма — нулевой слоевой линии при вращении кристалла вокруг оси X — показывает, что среди отражений ЛЩ новых — дополнительных — погасаний не имееется (2/г+/=Зи, а не 6п). Очевидно, что возможными пространственными группами являются группы Rim, R32, Rim. Симметрия внешней формы заставляет предпочесть группу Rim. [c.366]

Данная таблица с некоторыми видоизменениями и исправлениями заимствована из работы Г. С. Жданова и В. А. Поспелова (ЖЭТФ, 15, 709, 1945). С учетом подразделения дифракционных групп 81 и 82 на рентгенографически различимые подгруппы общее число дифракционных групп равно 122. [c.296]

Если о природе второй фазы нельзя сделать достаточно надежных предположений, то сначала следует выяснить сингонию фазы, затем определить ее периоды и дифракционную группу и по периодам установить природу фазы, пользуясь таблицами изомеров Фревеля и Ринна (приложение 18). Для выяснения структуры или, по крайней мере, нри-надлежности к определенной сингонии необходимо последовательно выяснить, не принадлежит ли фаза, ряд которой имеется, к кубиче- [c.109]

Поэтому возможны только два типа искажения моноклинное (прост15анственная группа 12 /с, если сохраняется прежняя ориентация векторов решетки) и триклинное. Переход к ромбической ячейке невозможен, так как дифракционный класс не 4/ттт, а 4/т. Группы линий, отвечающих первым ярким линиям шеелита, определяются довольно легко 101 -112 - и 1з 004 = Q , 200 - и 19. В случае моноклинного искажения линия 112 должна расщепляться на две, в случае триклинного - на четыре линии, т.е. более вероятно моноклинное искажение. Названия векторов а и С могут быть выбраны произвольно угол >0 >90 , т.е. следует-приписать индекс 12Т, 13 - индекс 121. Зная индексы 13 > 14 18 и в 19, можно рассчитать приближенные значения 4, В, С и З и выделить остальные линии, соответствующие шеелитоподобной структуре (они отмечены в таблице). [c.116]

В некоторых справочниках таблицы погасаний сопровождаются двумя колонками пространственных групп вероятными и возможными. В таблице, помещенной в настоящей книге, указаны лишь вероятные пространственные группы. Нахождение всех возможных групп не представляет затруднений. Для этого надо лишь последовательно заменить черточками все обозначения дифракционного символа, стоящие справа от буквы, обозначающей тип ячейкипосле этого остается лишь найти в [c.305]

В Интернациональных таблицах для рентгеновской кристаллографии [31 ] содержатся дифракционные символы 230 пространственных групп (дифракционный символ содержит на первом месте обозначение лауэвского класса, вслед за ним на втором месте указывается тип решетки и на третьем месте — какой-нибудь трансляцион- [c.84]

Штарк-эффект). Число подуровней зависит от симметрии поля и может быть определено с помощью методов теории групп [5]. Поскольку по отношению к полям, возникающим в 4 /-оболочке, электрические поля большинства кристаллов являются слабыми , то напряженность электрических полей не изменяет квантового числа /, а определяет лишь величину расщепления и не влияет на число штарковских компонент подуровней. Число подуровней ионов для разных значений / и различных симметрий поля известно и сведено в таблицы [6]. Экспериментально наблюдаемые спектры поглощения и люминесценции ионов ТК + в кристаллах представляют собой совокупность полос, расположенных в ближней ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной частях спектра (рис. 1). Спектральное положение этих полос соответствует переходам между уровнями с разным J в свободных ионах ТК +, что является следствием хорошей экранировки 4 /-оболочки от внешних влияний заполненной оболочкой 5 5 5 р . Если снимать спектры поглощения и люминесценции при низкой температуре, например при температуре жидкого азота (77 К) или ниже, и использовать при этом спектральную аппаратуру высокой разрешающей способности (спектрометры, монохроматоры или спектрографы с дифракционными решетками типа ДФС-12, МДР-2, ДФС-13 и др.), то оказывается возможным наблюдать структуру полос поглощения и люминесценции, связанную с кристаллическим расщеплением уровней полосы оказываются сложенными из узких, шириной несколько ангстрем, линий. На рис. 2 приведена структура групп поглощения (переход между уровнями / /-И люминесценции (переход / 3- / /,) кристалла ЬаГз-К + (точечная группа В ) при 4,2 К 17], и схема уровней и переходы между ними, проявляющиеся в приведенных [c.282]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология