Поправка на обратное рассеяние

Символ i относится к измеряемому элементу, / — к каждому элементу, присутствующему в эталоне или образце, включая элемент . Следовательно, Rij представляет собой поправку на обратное рассеяние для элемента i за счет влияния элемента / в образце. Подгоночные параметры / /, R2 и Rz были рассчитаны как функция U K [c.18]

Поправки на атомный номер 2си и 2м получены при двух значениях ускоряющего напряжения 15 и 30 кВ. Значения /си и /л1 получены из уравнения (7.22). Значения 5си и 5а1 для излучения Сика, ( кр = 8,98 кэВ) или к к ( кр=1,56 кэВ) рассчитывались по уравнению (7.23). Константа в (7.23) принималась равной единице, поскольку она в конце концов уходит при последующих расчетах. Поправки на обратное рассеяние / си и / а1 как для Сик , так и для А1к получены из уравнения (7.20). Члены и вычислялись по уравнениям (7.21) и [c.22]

Основная трудность при работе с наклоненными образцами связана с тем, что модель трех поправок справедлива при нормальном падении пучка. Влияние наклонного падения пучка на параметры метода трех поправок практически не исследовано. Рид [155] установил, что для образца, наклоненного под углом 45° относительно падающего пучка электронов, коэффициент отражения изменяется значительно. В случае когда образец и эталон измеряются при одинаковом угле наклона, влияние наклона на коэффициент отражения одинаково для обоих. Было установлено [156], что для такой конфигурации изменением в поправке на обратное рассеяние за счет наклона можно пренебречь для Z<30. Максимальное влияние оказывается равным [c.39]

Поправка на обратное рассеяние д для плексигласовой, алюминиевой (или стеклянной) и медной подложек вводится по кривым, приведенным на рис. 6 [7]. [c.244]

Рис. 6. Определение поправки на обратное рассеяние q в зависимости от поглощающего слоя между препаратом и чувствительным объемом счетчика для подложек иа меди, алюминия (стекла) и плексигласа.

Интенсивность обратного рассеяния сильно зависит от расстояния источник — кристалл и оказывается тем меньше, чем меньше это расстояние. Заметный вклад в обратное рассеяние дает наличие около источника значительного количества рассеивающих материалов, в качестве которых могут выступать подложка, держатель или основа источника. Последнее обстоятельство очень существенно, так как в практике активационного анализа очень часто для измерений используют непосредственно облученный образец, который может иметь значительный вес и большие размеры. Ввести поправку на обратное рассеяние в этом случае достаточно сложно [305]. [c.231]

Поправка на обратное рассеяние. Частицы способны многократно отражаться от подложки, на которую нанесен радиоактивный препарат, и затем попадать в счетчик. Доля отразившихся частиц зависит от материала подложки и ее толщины. При неизменном материале с увеличением толщины доля отразившихся частиц возрастает и при толщине, равной половине максимальной длины пробега -частиц в веществе подложки, достигает максимального и постоянного значения. В соответствии с этим с увеличением толщины возрастает и поправка на обратное рас- [c.60]

Готовят еще три образца из того же раствора на тонкой пленке из цапон-лака, нанося на нее по одной капле. Эти образцы используют для определения поправки на обратное рассеяние. [c.63]

Работа 4.2 Поправка на обратное рассеяние [c.68]

Определяют поправку на обратное рассеяние для Р-излучателя, находящегося на определенной подложке, в зависимости от толщины и порядкового номера элемента, применяемого в качестве подложки. [c.68]

Ядерные частицы, согласно Резерфорду, многократно отражаются от подложки, на которой находится радиоактивное вещество, и благодаря этому измеряемая скорость счета увеличивается в /д раз. Величина поправки на обратное рассеяние /д растет с увеличением толщины подложки и достигает в конце концов значения насыщения / при толщине подложки, равной половине длины пробега (Р/2) Р-частиц в этом веществе. Практическй максимальная величина обратного рассеяния достигается уже при толщине й = 0,2/ . Поправка на обратное рассеяние /н увеличивается с толщиной подложки й (мг/см ) тем быстрее, чем меньше энергия Р-частиц и выше порядковый номер элемента, от которого происходит отражение (подобно зависимости кулоновского рассеяния от энергии и порядкового номера). [c.69]

Поправка на обратное рассеяние /д вычисляется следующим образом [c.69]

Исследуют изменение поправки на обратное рассеяние с увеличением толщины подложки из алюминия и изображают графически зависимость /н = /(й). С ростом толщины подложки поправка на обратное рассеяние приближается к величине насыщения / . [c.69]

Какова поправка на обратное рассеяние при насыщении и какова толщина слоя насыщения для алюминия [c.70]

Далее исследуют зависимость поправки на обратное рассеяние при насыщении от порядкового номера элемента подложки и графически изображают полученную закономерность. Так как, согласно формуле Резерфорда, многократное рассеяние прямо пропорционально У 2, следует проверить, выполняется ли эта зависимость. [c.70]

Приведенные здесь результаты измерения поправки на обратное рассеяние выполнены с ТР активностью 0,025 мккюри, нанесенным на тонкую пленку из цапон-лака. [c.70]

Р и с. 41. Зависимость поправки на обратное рассеяние /д от толщины слоя [c.70]

На рис. 41 приведена зависимость /д = / (б) для алюминия. Поправка на обратное рассеяние при насыщении равна 1,25, и толщина слоя насыщения 80 мг см . [c.70]

Рис. 42. Зависимость поправки на обратное рассеяние при насыщении от порядкового номера материала.

Используя поправки на обратное рассеяние, определяют активность неизвестного Р-препарата способом сравнения с эталонным препаратом одинаковой формы, но приготовленным на другой подложке. [c.86]

Поправка на обратное рассеяние вычисляется по формуле [c.87]

Вначале определяют рабочее напряжение и фон. Затем помещают неизвестный препарат на определенном расстоянии от торцового счетчика и измеряют скорость счета (вычитать фон ). Далее на том же самом расстоянии от счетчика помещают эталон и определяют его скорость счета г. В данном случае можно считать, что поправка на обратное рассеяние [c.87]

При помощи эталона определяют поправку на обратное рассеяние Вплотную под эталон помещают подложку, идентичную подложке неизвестного препарата, и измеряют скорость счета в этих условиях. [c.87]

В данном случае поправка на обратное рассеяние равна [c.87]

Если отказаться от определения поправки на обратное рассеяние то можно не измерять скорости счета эталона г = Действительно, имеем [c.87]

Если оба препарата находятся на подложках, изготовленных из различного материала, или имеют разную толщину, то нельзя просто принять / >= 1. Для каждого препарата нужно определить свою поправку на обратное рассеяние. Если используют толстые подложки, то можно вносить всегда известные поправки на обратное рассеяние при насыщении (см. раб. 4.2). [c.87]

Отсюда можно вычислить поправку на обратное рассеяние для плексигласа [c.88]

Для определения поправки на обратное рассеяние от плексигласа н используют значение, полученное в раб. 4.2. [c.94]

Поправка на обратное рассеяние была определена в раб. 4.2 и равна [c.95]

Определить графически (см. рисунок) величину поправки на обратное рассеяние излучения для препаратов, содержащих углерод-14, иод-131 и фосфор-32, нанесенных на алюминиевую подложку. [c.19]

Поправка на обратное рассеяние от подложки для Р-излучения Рт , нанесенного на тонкую подложку из вещества с порядковым номером 13 (А1), не выше 10% [92]. Для уменьшения рассеяния излучения от стенок счетного устройства источник обычно помещают на максимально близкое расстояние к окошку счетчика и облицовывают стенки защитного устройства плексигласом, алюминием и др. [92]. [c.134]

Это удобно в том отношении, что отпадает необходимость вводить поправки на обратное рассеяние и на самопоглощение а- и -частиц в активном слое загрязненной поверхности, которые практически невозможно учесть, а при измерениях вводить только поправки на геометрию и поглощение излучения в измерительных датчиках. [c.245]

Для энергий -частиц > 0,6 Мэе поправка на обратное рассеяние является постоянной и равной 1,25—1,30. Необходимо отметить, что если один и тот же -активный изотоп имеется на загрязненной поверхности и на образцовом -из- [c.252]

V = —1,3, где 1,3 — поправка на обратное рассеяние от [c.254]

Поправка на обратное рассеяние а-частиц от подложки не учитывается, так как даже для тяжелых материалов с большим Z эта поправка мала. [c.255]

Многие поправки не зависят от детектора, которым производятся измерения (например, поправка на обратное рассеяние, самопоглощение, сх му распада и т. д.), и имеют, следовательно, общий характер. Но те поправки, которые связаны с детектором (на геометрию, поглощение в стенках счетчика и т. д.), описаны лишь для торцовых счетчиков, имея в виду, что торцовые счетчики нашли наиболее широкое применение в практике. [c.326]

При использовании толстых подложек для введения указанных поправок необходимо скорости счета разделить на соответствующие поправки на обратное рассеяние. [c.341]

ПОПРАВКА НА ОБРАТНОЕ РАССЕЯНИЕ [c.347]

Значения R лежат в интервале 0,5—1,0 и приближаются к единице для элементов с низким атомным номером. Фактор поправки на обратное рассеяние зависит не только от атомного номера, но и от величины перенапряжения и=Ео1Екр. При уменьшении перенапряжения до единицы меньшее число электронов рассеивается от образца с энергией >Якр, и, следовательно, потери ионизации от таких отраженных электронов меньше. [c.18]

В работе [135] была предложена подгоночная формула для фактора поправки на обратное рассеяние R по значениям, полученным Данкамбом и Ридом [15], с учетом перенапряжения и и атомного номера Z [c.18]

Описанный метод определения поправки на обратное рассеяние независимо предложили Берт [9], а также Гленденин и Соломон [10]. Два последних автора предложили также другой метод определения этой величины. По этому методу радиоактивный препарат наносят непосредственно на рассеивающую подложку, при этом получают несколько большие значения [c.70]

При измерении активности препаратов часто можно получить значительные ошибки, вызванные самопоглощением излучения в образце. Самопоглощение даже в очень тонких препаратах особенно заметно для изотопов -с мягким Р-излучением, например для углерода-14 и серы-35. В то время как для фосфора-32 ( макс = 1,708 Мэе) можно не учитывать самопоглощение при толщине препаратов до 30 мг1см , в препарате углерода-14 ( макс = = 0,156 Мэе) толщиной 1 мг1см поглощается до 13% всех Р-частиц. Теоретически возможно аналитически точно рассчитать самопоглощение. Однако, поскольку в расчете используется ряд экспериментально трудно определяемых величин, таких, как толщина препарата, геометрический коэффициент, поправка на обратное рассеяние и т. д., практически нельзя провести точные вычисления. [c.77]

Погрешность соответственно увеличится, если образцы будут нанесены на толстую подложку. Если поправка на обратное рассеяние найдена не экспериментально, а онределяется с помощью соответствующих графиков и формул, то общая ошибка составит + 15—20%. Такого же порядка будет точность абсолютных измерений толстых препаратов, если не проведены специальные тщательные определения коэффициента самопоглощепия для данных условий измерений. Ошибка в определении абсолютной -активностп будет уменьшена, если измерения производить на специальных установках, сконструированных с таким расчетом, чтобы свести к минимуму большинство поправок. Точность определения абсолютной -активности на этих установках может, в лучшем случае, достичь 3—4% для жесткого и 5—6% для мягкого -излучения. [c.101]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология