Подложка толщина

Анализ полученных данных показывает (рис. 58), что при прочих равных условиях толщина граничного слоя зависит от природы твердой подложки. Толщина граничного слоя нефти на доломите и керамике значительно больше, чем на кварце. Это, по-видимому, можно объяснить тем, что наличие ионов щелочноземельных металлов в доломите и керамике обусловливает наряду с физиче-, ской и химическую адсорбцию, способствующую формированию граничных слоев большей прочности. [c.115]

Скорость массопереноса, характеризуемая коэффициентами диффузии газов в конденсированных средах, невелика и обычно на несколько порядков меньше, чем в объемной газовой фазе или при свободномолекулярном течении. Поэтому для получения мембран удовлетворительной проницаемости стремятся уменьшить толщину плотного слоя, который принято называть селективным или диффузионным. Наиболее перспективны асимметричные и двухслойные мембраны, протяженность селективного слоя которых порядка м. Механическая прочность и другие технологические свойства мембраны обеспечены пористым слоем подложки толщиной 30—500 мкм, диффузионное сопротивление которого незначительно. [c.71]

Подложка/толщина пленки, мкм [c.32]

Полупроницаемые мембраны разделяют на две группы пористые и непористые. Пористые полимерные мембраны получают обычно путем удаления растворителей или вымыванием предварительно введенных добавок из растворов полимеров при их формовании. Полученные таким способом мембраны имеют тонкий (0,25—0,5 мкм) поверхностный слой на микропористой подложке толщиной 100—200 мкм. Процесс мембранного разделения осуществляется в поверхностном активном слое, а подложка обеспечивает механическую прочность мембраны. [c.431]

Кислородные электроды в нашем случае аналогичны водородным и представляют собой пористые углерод-фторопластовые подложки толщиной 0,7—1 мм, активированные платиновой чернью (чистой или с фторопластовой суспензией) удельная поверхность Р , определенная по методу БЭТ, составляет примерно 20 м /г. Мембранно-электродный блок образуется в результате термического прессования ИОМ и электродов. [c.311]

Наилучшая адгезия достигается при нагревании предмета с покрытием до 260—280 °С (для плавления полимера). Чтобы исключить возможность образования пузырей в поликарбонатной пленке под действием напряжений, вызванных разностью в термических коэффициентах линейного расширения поликарбоната и подложки, толщина покрытия не должна превышать 2,5-10- М. [c.225]

Эксплуатационные характеристики спектрометр и ИСП-горелка монтируются на резиновой подложке толщиной 25 мм размеры [c.812]

Все образцовые -излучатели наносятся на алюминиевую подложку. Толщина активного слоя, включающего изотоп, равна для С —до 30 мкг С/см , для Со —до 50 мкг Со/см , для Тро — менее 60 мкг ТХ/см . [c.293]

Объект, исследуемый в электронном микроскопе, помещают в некоторых случаях непосредственно на сеточку или диафрагму, однако чаще объект помещают на прозрачную для электронов нленку-подложку толщиной в 100—200 А. Так как пленка такой толщины обладает весьма небольшой механической прочностью, то чтобы она не разрушалась под действием собственного веса, пленку предварительно наносят па специальную поддерживающую металлическую сетку с размером ячеек не более 0,1 мм. [c.176]

Структура и свойства тонких пленок, полученных путем термического испарения в вакууме, в значительной степени определяются условиями их конденсации и зависят от природы испаряемого вещества и соответствия его структуры структуре подложки природы подложки, степени ее очистки, микрорельефа и температуры поверхности в процессе конденсации на ней испаряемого вещества степени вакуума и состава остаточной среды в процессе испарения вещества и его конденсации скорости испарения вещества угла падения молекулярного пучка на подложку толщины пленки. [c.9]

Снятие слоев ионной бомбардировкой может быть использовано при анализе распределения элементов в области вещества, примыкающей к поверхности, или в тонких пленках. Пример такого анализа приведен на рис. 23.7 для пленки сплава нихром, полученной конденсацией из пара на подогретую кремниевую подложку (толщина пленки 25 нм). Кроме неоднородного распределения основных компонентов сплава никеля и хрома, обращает на себя вни- [c.577]

Э. и. позволяет также изучать форму, размеры и особенности внутреннего строения агрегатов макромолекул, выпадающих в виде дисперсной фазы при фазовом разделении р-ров (напр., в результате изменения темп-ры). Каплю такого р-ра наносят на специально подготовленную пленку-подложку толщиной около 10 нм (100 А). После удаления растворителя твердые частицы могут использоваться для Э. и. Классич. пример исследований подобного рода — открытие монокристаллов полимеров и обнаружение в них складчатой конформации полимерных молекул. [c.474]

ПОДГОТОВКИ поверхности подложки, толщины клеевого слоя, давления склеивания, длительности и температуры выдержки после склеивания. [c.356]

Схема опытов советских ученых показана на рис. 13. Пучок ионов кислорода (поток которых регистрировался коллектором ионов и интегратором тока) падал на слой плутония толщиной в несколько сотен микрограммов на 1 см , нанесенный на никелевую подложку толщиной 1,5 мк. Поглотившие ионы кислорода ядра мишени приобретали большой импульс, выбивались из мишени сквозь напыленный защитный медный слой и попадали в специальный тонкий алюминиевый сбор- [c.293]

Обычно в качестве подложек берут стальные пластины толщиной 0,3—0,5 мм. Модуль упругости стали составляет 2-10 кГ/см . Полимерные покрытия имеют модуль упругости от 10 до 2-10 кГ см . Принимая стальную подложку толщиной 0,3 мм и модуль упругости покрытия [c.19]

Рис. 27. Разрывная диаграмма пленки 1) и покрытий на подложке толщиной 0,16 2) и 0,025 мм (5)

Марка ионооб- менника Модификация Подложка Толщина СЛОЯ, мм Фирма [c.107]

При измерении на счетчике препаратов с максимальной энергией спектра -частиц 0,5—0,7 Мэв и выше, нанесенных на тонкую подложку толщиной 5—10 мкг/см , поглощение -частиц в подложке незначительно и его практически не учитывают. Однако при измерении мягких -излучателей поглощение -частиц в подложке возрастает и вводится поправка [206—208, 211] при помощи формул [c.106]

Рис. VII. 4. Кривая чувствительности негативного электронорезиста СОР на разных подложках (толщина слоя резиста di, - 0,66 мкм, ускоряющее напряжение 20 кВ)

Дополнительные ориентировки были обнаружены наряду с параллельной и двойниковой Бауэром [17] и позднее — Люде-манном [18]. Оказалось, что их появление зависит от природы исследуемых веществ, от температуры подложки, толщины осадка, а также от угла конденсации ф. Под углом конденсации понимается угол, образованный направлением молекулярного пучка и нормалью к подложке. [c.73]

Принципиальная схема установки с прямым электротермическим нагревом показана на рис. 13. Методом термического испарения и конденсации наносят как металлические, так и неметаллические покрытия на разные подложки. Толщина осажденного слоя пропорциональна времени осаждения. Если требуется нанести слой сплава или другого материала усложненного состава,, то необходимо использовать два или несколько отдельных испарителей. Для получения разнородно-многослойных покрытий исполь- [c.39]

Характеристика подложки толщиной 1 мм, на которой проводился эксперимент, [c.437]

Решение в случае нагрева импульсом Дирака оказалось эффективным для прямых и обратных задач импульсного ТК, в частности, с использованием так называемого метода "кажущейся", т.е. наблюдаемой в эксперименте, тепловой инерции объекта контроля (apparent effusivity method) [6]. Этот метод для определения параметров скрытых дефектов (тепловой дефектометрии) см. п. 4.1. Метод можно проиллюстрировать на примере ТК изделия, состоящего из Ni- r покрытия толщиной 100 мкм и стальной подложки толщиной 3 мм. Коэффициенты теплопроводности покрытия X =14 Вт/(мК), подложки X =70 Вт/(м К). Плотность и теплоемкость одинаковы для обоих материалов р = 7800 кг/м С = 500 Дж/(кгК). [c.76]

С учетом сказанного следует ожидать, что и структура поверхностных слоев покрытий разной толщины неодинакова и зависит от толщины пленки. В работе 150] приведены данные исследования надмолекулярной структуры различных слоев эпоксидных покрытий толщиной 50, 200 и, 400 мкм. Наибольшие различия в структуре по толщине пленки обнаруживаются для покрытий толщиной 50 и 200 мкм. При толщине покрытий 50 мкм наряду р мелкой глобулярной структурой с диаметром глобул 4—5 нм в слоях, прилегающих к подложке, наблюдается более крупная глобулярная структура с диаметром структурных элементов 30—40 нм и фибриллярная в слоях, граничащих с воздухом. Неоднородность структуры увеличивается с повыщением толщины покрытий до 200 мкм. В слоях, прилегающих к подложке, толщиной 150—200 нм по-прежнему обнаруживается мелкая глобулярная структура. В последующих слоях покрытий, наряду с отдельными глобулами с малой плотностью упаковки, наблюдаются агломераты из глобул размером 300—400 нм. По мере приближения к слоям, граничащим с воздухом, размер агломератов уменьшается, а число их увеличивается. Средний диаметр глобул в слоях, граничащих с воздухом, составляет 30—40 нм. В этом случае, как и в покрытиях меньшей толщины, в слоях, граничащих с воздухом, также обнаруживается фибриллярная структура, но размер фибрилл значи- [c.112]

Зависимость толщины граничного слоя нефти от характеристики твердой подложки Для выяснения зависимости толщины граничного слоя от характеристики твердой фазы проведены исследования на приборе с плоскопараллельными дисками с подложками различной природы [48]. В качестве твердых подложек бьши использованы диски из кварца, доломита и керамики, поверхности которых обработаны по 13-14 классу. Анализ полученньк данных показывает (рис. 26), что при прочих равных условиях толщина граничного слоя зависит от природы твердой подложки. Толщина граничного слоя нефти на доломите и керамике значительно [c.66]

Иммобилизировать жидкую неподвижную фазу в капилляре можно двумя способами. Неподвижная фаза может наноситься либо на внутреннюю стенку капилляра в ввде пленки (полый капилляр с покрытыми стенками —ПКПС), либо на пористую подложку толщиной примерно 30 мкм (полый капилляр с [c.254]

Далее следуют новые примеры использования соединений висмута в технике. Органовисмутовые полимеры предложено использовать в качестве рентгеноконтрастных материалов [503]. Синтезированы стирилдифенилвисмут и др. висмутовые полимеры, при этом мономер полимеризуется и сополимеризуется по радикальному и анионному механизмам, а при инициировании полимеризации разрывается связь Bi-Ph. Приведены сведения о температуре стеклования и радиозащитных свойствах полимеров. Известно применение солей висмута в качестве рентгеноконтрастных объектов при изготовлении формованных изделий [504]. Оксиды висмута нашли применение в качестве наполнителя огнестойкого звукоизолирующего материала [505]. Тонкие пленки и защитные покрытия — это еще одно из направлений исследований висмутовых материалов. Тонкие оксидные пленки золото—висмут и алюминий— висмут изучены в [506] методами электронной спектроскопии и масс-спектрометрии. Современные пленки для контроля за солнечной радиацией получают магнетронным распылением металлов Сг, Ni и сплавов Ni/ r, а также субоксидов Ti, Bi и Nb, и нанесением их на подложку. Толщина, структура и морфология пленок поддаются регулированию, что позволило получить гшенки с улучшенными характеристиками для солнечной энергетики [507]. Химически осажденные двухслойные покрытия на стекле для контроля и офаничения пропускания солнечной радиации предложены в [c.321]

Полученные соединения растворяли в тетрягидрофуране и тонким равномерным слоем наносили на металлические подложки. Толщину пленок измеряли на микроскопе-интерферометре МИИ-4. [c.125]

Фирма T oproBoe название Подложка Толщина пленки, мкм Связующее Длитель- ность проявле- ния , мин R б [c.153]

Тритий. Тритиевые источники тормозного излучения обычно применяются в виде дисков диаметром 1 см [4]. Свойства таких источников приведены в таблице. Такие источники приготовляют путем сплавления фольг из титана или циркония толщиной 0,0013 см с вольфрамовой подложкой толщиной 0,050 см. Затем диски помещают в атмосферу трития при давлении примерно 10 см и температуре до 400° С, поглощение трития в стехиометри-ческих пропорциях происходит и при комнатной температуре. Была сделана ][0пытка увеличить выход фотонов из этих источников иоглощением большого количества трития в более толстых слоях циркония и титана. Однако увеличению выхода при толщине, большей 7,25 мг/см , препятствуют два фактора во-первых, тритий начинает поглощаться мепее эффективно и, во-вторых, с увеличением толщины этих относительно тяжелых элементов быстро увеличивается самоноглощение. [c.78]

Так, в фоторезист OMR-83, содержащий циклокаучук и диазид I, вводят 1-ЭТ0КСП-4-(4-N,N-диэтилaминoфeнилaзo)бeнзoл. Эта композиция, нанесенная на кремниевую подложку толщиной слоя 1 мкм, выдерживает 20-минутный нагрев перед экспонированием (60 или 80 °С) без заметного снижения поглощения слоя. После проявления слой обеспечивает разрешение 2,5 мкм и точно воспроизводит рисунок элементов щаблона. [c.149]

Стеклянные подложки, толщина которых равна 1 мм, могут быть разделены скрайбированием. При этом качество продукции зависит от распределения дефектов на поверхности, термической предыстории стекла, давления скрайбирующего инструмента, напряжения в осажденной пленке и опыта оператора. Поверхностные дефекты или мельчайшие царапины, например, могут являться причиной неправильного разламывания стекла. Несмотря на то, что такие дефекты часто могут быть удалены травлением стекла, эта операция изменяет размеры подложки или может придать поверхности другие нежелательные свойства. Стеклянные подложки могут быть разделены и распиливанием алмазными пилами. Однако этот метод по сравнению со скрайбированием является более дорогим. [c.534]

Параметры, влияющие на предварительное насечение, были изучены Клейнером [85]. Он брал образцы с различной термообработкой и с различными глубиной и геометрией насечек. В качестве меры сил, требуемых для разделения, использовался модуль разрыва (МОР). Наблюдения Клейнера дали возможность заключить, что оптимальная величина МОР изменяется в диапазоне от 700 кг/см до 2100 кг/см . Эти величины были получены на подложках толщиной 760 мкм с насечкой глубиной от 76 мкм до 254 мкм, выполненной клинообразными резцами, толщиной 50 мкм, с углом заточки от 30° до 45°. Однако насечение таким клином создает неоднородность керамики. На величину МОР отжиг значительного влияния не оказывает. [c.535]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология