НЕКОТОРЫЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ

НЕКОТОРЫЕ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ [c.9]

При обсуждении симметрии молекул в гл. 13 отмечалось, что в принципе имеется бесконечное число точечных групп. Соверщенные кристаллы (кристаллы, выросшие в симметричном окружении) могут быть классифицированы по точечным группам, однако из-за ограничения кристаллических решеток осями вращения 1, 2, 3, 4 и 6, обсужденного в предыдущем разделе, кристалл должен принадлежать к одной из 32 кристаллографических точечных групп. Другими словами, только 32 точечные группы возникают при комбинации собственного и несобственного вращения 1-, 2-, 3-, 4-и 6-го порядков. Хотя может показаться, что симметрия кристаллов является более сложной, чем 32 кристаллографические точечные группы, на самом деле симметрия реального кристалла описывается одной из этих групп. Кристаллографы определили это еще в XIX в. 32 кристаллографические точечные группы называются также 32 классами кристаллов. Некоторые формы кристаллов могут возникнуть из одного-единственного класса кристаллов, так что эти характеристические формы можно непосредственно отождествлять с точечной группой. [c.568]

Вывод чисто геометрических соотношений для применения к кинетике разложения больших кристаллов известной формы и величины не представляет трудностей, и поэтому здесь будет приведен лишь один пример. Для применения этого метода необходимо знать характеристические скорости продвижения поверхности раздела ядер в каждом из главных кристаллографических направлений в кристалле, расположены ли ядра на гранях, ребрах или в вершинах кристаллов и образуются ли ядра сразу вначале реакции или же образование их идет по закону случая. В принципе все необходимые для этого данные можно получить при прямом наблюдении. В некоторых случаях, когда поверхность раздела с точно известной площадью образуется не сразу, может быть необходимым искусственно вызывать образование ядер путем инфекции [c.49]

Особый интерес представляют окислы металлов, входящих в состав-жаростойких сплавов (т. е. мегаллов с повышенной стойкостью к высокотемпературному окислению), а также общие принципы образования сложных окислов. В табл. 14 представлены окислы железа и некоторых легирующих компонентов, применяемых при создании главным образом жаростойких сплавов и имеющих кристаллографическую структуру, аналогичную рассмотренным выше окислам железа. [c.78]

Рост новой фазы при фазовых превращениях второй группы осуществляется путем перемещения характерной межфазной границы (фронта превращения). Особенно простой механизм движения межфазной границы имеет,мес 0 в том случае, когда фазовая перестройка кристаллической решетки сохраняет неизменной некоторую кристаллографическую йлоскость (инвариантную плоскость). В этом случае граница фаз в принципе может оставаться атомно гладкой и обеспечивать когерентное сопряжение двух фаз (рис. 2.1). Когерентная граница является одним из ОСНОВНЫХ" элементов двойникуюшихся кристаллов, но она может возникнуть и пр дру -их типах фазовой перестройки кристаллической решетки. [c.29]

Название кажущиесяатомов и ионов, вычисляемые по данным кристаллографических измерений, принято потому, что эти величины ни в коем случае не означают действительного протяжения атомов или ионов они только указывают, до каких пределов центры атомов или ионов могут взаимно сближаться при образовании кристаллических соединений. Эти расстояния являются некоторыми величинами, обусловленными природой соответствующих атомов или ионов, которые хотя и не строго постоянны , но, как показывает опыт, могут в первом приближении приниматься за постоянные величины. Другими словами, атомы и ионы в соответствии с опытными данными ведут себя в кристаллах практически как твердые (не изменяющие своих размеров) или почти твердые шары величину радиусов этих шаров и дают кажупщеся атомные и ионные радиусы. Совершенно такие же величины ионных радиусов, какие получил Гольдшмидт чисто эмпирически на основании измерений межатомных расстояний в кристаллах, рассчитал теоретически Бнсен (1938) на основании принципов волновой механики [c.36]

Большую надежность представляет метод, при котором кристалл опускался сверху п касался раствора лишь одной своей гранью или даже частью этой грани. Хотя другие грани при этом в принципе могли смачиваться пленкой поднимающегося кверху раствора, но при больших плотностях тока иа псследуемо грани, касающейся объема раствора, током, приходящимся иа смоченные (боковые) граня, можно было пренебречь из-за значительного сопро-тивлення в пленке раствора. Однако надежность и этого способа недостаточно велпка из-за указанной возможности участия в процессе боковых граней, из-за чего получающиеся по этой методике различия электрохимических параметров на разных кристаллографических гранях в некоторых случаях могут быть занижены. [c.91]

Принцип Кюри — Пригожина был первоначально предложен при рассмотрении симметрии причинно-следственных связей в кристаллографических системах [4]. Интерпретация этого принципа на основе неравновесной термодинамики сопровождалась некоторыми осложнениями, поскольку, как отмечали Финлайсон и Скривен, не всегда полностью учитывались те радикальные ограничения изотропии и линейности, которые ставили под сомнение возможность скалярно-векторного взаимодействия. В этой книге исследование транспортных и других процессов будет ограничено главным образом линейным режимом, и, следовательно, необходимо рассмотреть только понятия изотропии и анизотропии среды. Использованное здесь понятие изотропии относится к локальным свойствам, другими словами, к свойствам микроскопических элементов среды, достаточно больших, чтобы быть связанными с термодинамическими параметрами. Если элементы системы анизотропны, то в принципе возможно локальное скалярно-векторное сопряжение. Так, давление может вызывать электрическую поляризацию в пьезоэлектрических кристаллах, а гидролиз АТФ— транспорт натрия [c.32]