Основные типы кристаллофосфоров

ОСНОВНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОФОСФОРОВ и ОСОБЕННОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ПОГЛОЩЕННОЙ ЭНЕРГИИ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ СПОСОБАХ ВОЗБУЖДЕНИЯ [c.42]

Основным видом свечения кристаллофосфоров является рекомбинационное свечение. Хотя этот вид свечения главный и определяющий, на его фоне могут развиваться и процессы типа свечения дискретных центров. В отличие от свечения дискретных центров, имеющего характер мономолекулярного процесса, рекомбинационное свечение носит характер бимолекулярного процесса, т. е. этот вид свечения отличается от первого тем, что акты поглощения и излучения разделены не только во времени, но и в пространстве. Поглощение кристаллофосфора, главным образом, связано с основой, а излучение — с активатором люминофора. [c.55]

Рис. 5. Зонная схема кристаллофосфора с двумя типами центров свечения К — центр свечения, не имеющий возбужденного уровня в запрещенной зоне L — центр свечения, возбужденный уровень которого лежит запрещенной зоне I — электронный переход при поглощении возбуждающего излучения основной решеткой 2, 3 — центрами свечения 4, 5 — при излучении

Ф. Ф. Волькенштейном и его сотрудниками, позволило решить основные вопросы, связанные с исследованием этого типа свечения. В частности, на основе этих представлений и зонной модели люминесценции кристаллофосфоров оказалось возможным предложить механизм передачи энергии рекомбинации центрам свечения, получивший экспериментальное подтверждение. [c.46]

Кристаллическая форма фосфоров типа сернистого цинка. К этой группе фосфоров мы относим фосфоры с основанием МЛ, где М — металлы цинковой подгруппы Mg, п, Сс1 X—анионы О, 8, 8е и Те. Основными активаторами этой группы фосфоров являются Ag, Си, Мп и РЬ. Некоторые из активаторов, например Мп и РЬ, могут давать с сернистым ци ком смешанные кристаллы. К этой же группе кристаллофосфоров относятся [c.348]

Основные типы кристаллофосфоров. Были рассмотрены два типа энергетических моделей кристаллофосфора — зонная модель и модель потенциальных кривых. Первой из них особенно часто пользуются для объяснения явлений в люминофорах с преобладанием рекомбинационной люминесценции, называемых иногда фотопроводящими люминофорами. Вторая модель применяется для описания внутрицентровых процессов, особенно в люминофорах с преимущественно нерекомбинационной люминесценцией, которые называют нефотопроводящими люминофорами или люминофорами с дискретными центрами [11]. Впрочем, следует еще раз подчеркнуть, что использование той или другой из двух названных энергетических моделей определяется характером рассматриваемого процесса, а не типом люминофора, ибо большей частью в той или иной мере имеет место наложение различных процессов друг на друга. Например, вольфрамат кальция, который часто рассматривают как типичный пример люминофора с нерекомбинационной люмине- [c.42]

Зонная теория дает следующее схематичное объяснение механизма люминесценции кристалло сфоров. Впервые эти идеи были высказаны в 1934 г. Д. И. Блохинцевым. На рис. 92 изображена энергетическая зонная схема кристаллофосфора типа ZnS. Валентная зона основного вещества обозначена буквой В, зона проводимости — С, локальные уровни активатора — Ц, локальные уровни ловушек — Л. [c.366]

Кристаллофосфоры — неорганические кристаллические люминофоры. Обычно их получают спеканием основного вещества (ZnS, dS, aS, SrS и др.) с активатором (соединения Ag, Си, Мп, Се и др.) и плавнем (Na l, NaNOj, K l, aFj и др.). В некоторых случаях кристаллофосфор удается получить сокристаллизацией активатора и основного вещества из насыщенного раствора последнего. Спектр люминесценции кристалло-фосфора определяется типом активатора. [c.508]

При получении промышленных кристаллофосфоров необходимо считаться с тем, что обработка, которой они подвергаются после прокаливания, может весьма существенно изменить их свойства, причем эти изменения зависят не только от способа обработки, но и от условий прокаливания. Здесь речь идет о таких операциях, как удаление плавня, дробление, в тех случаях когда это оказывается необходимым, промывка растворами электролитов и покрытие поверхности пленками, препятствующими слипанию зерен друг с другом или обеспечивающими их адгезию к подложке, а также нанесение экрана и его отжиг в вакууме (если экран находится внутри вакуумного прибора). К этому следует добавить облучение люминофора и действие атмосферной влаги. При рассмотрении физической химии дефектов в кристаллосфосфорах уже частично затрагивались явления, которые происходят при упомянутых операциях и при эксплуатации фосфоров. В гл. УП, 3 говорилось о падении интенсивности люминесценции, вызываемом механической деформацией кристаллов при их растирании и дроблении. В гл. IV, 2 обсуждался механизхм действия электроотрицательных адсорба-тов, приводящих к снижению яркости и фотопроводимости полупроводниковых фосфоров п-типа. В гл. III рассматривалось образование радиационных дефектов, а в гл. V, 2 — влияние дислокаций на фотолиз люминофоров при совместном действии света и влаги. В этой главе основное внимание будет уделено процессам, происходящим при удалении плавня и при отжиге люминофоров в вакууме. Вопросы, относящиеся преимущественно к технологии изготовления экранов, такие, как, например, влияние условий получения и обработки люминофоров на агрегативную устойчивость их в суспензиях (см. [12]), здесь рассматриваться не будут. [c.304]

Поглощение кристаллических веществ складывается из поглощения основного вещества и поглощения активатора. Полоса поглощения основного вещества называется основной или фундаментальной. Основное поглощение обычно лежит в ультрафиолетовой области спектра и представляет собою широкую полосу. В видимой области спектра основное вещество в большинстве случаев прозрачно. Форма полос поглощения кристаллофосфоров за редкими исключениями известна лишь качественно. Это вызвано трудностью измерений. Большинство кристаллофосфоров представляет собою мелкий порошок, сильно рассеивающий падающий на них свет обычные приёмы исследования спектров поглощения для них неприменимы, так как при прохождении света через рассеивающие слои ослабление света, идущего в прежней направлении, происходит не столько вследствие поглощения, сколько в результате рассеяния, которое действует в десятки и сотни раз сильнее, чем поглощение. Точное измерение поглощения возможно у веществ, дающих крупные кристаллы, например у щёлочногалоидных фосфоров типа МХ (М—щелочной металл, X—галоид). Примеры подобных спектров приводятся пиже (см., например, рис. 282). У мелких кристаллов с линейными размерами 10 —20 х, например у фосфоров группы сернистого цинка, исследование спектров поглощения можно производить с помощью люминесцентного микроскопа, обладающего кварцевым осветителем и кварцевым объективом и спектрографом особой конструкции в виде насадки на микроскоп. Подобное устройство осуществлено в последнее время Е. М. Брумбергом [60] и С. А. Гершгорипым. Полученные этим способом спектры фосфоров группы сернистого цинка приводятся ниже, на рис. 207а. Однако число веществ, изученных этим путём, ещё незначительно. В большинстве случаев величина поглощения определяется качественно или по спектрам отражения, или косвенно, по яркости возникающего излучения [158, 370]. [c.295]

Особенности фосфоров на силикатной основе. Фосфоры типа Zii2Si04-Mn, имеющие своим оспоиаиием различные силикаты, составляют особый класс кристаллофосфоров, обладающий рядом специфических свойств, сильно отличающих его от рассмотренных выше сульфидных фосфоров. Основным веществом для этих фосфоров служат силикаты бериллия, магния, кальция, цинка (особенно часто), кадмия и других элементов второй группы табл1п ы Менделеева, которые применяются или по отдельности или совместно, образуя смешанные кристаллы. Активатором в силикатных фосфорах в большинство случаев служит Мп, вводимый обычно в значительных концентрациях и входящий в кристаллическую решётку изоморфно. [c.411]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология