Тонкопленочная технология

В работе [21] приведена конструкция многоэлементного ВТП, при изготовлении которого использованы методы тонкопленочной технологии и фотолитографии. Элементами преобразователей являются однослойные или многослойные планарные катушки индуктивности, изготовленные из пленки или фольги толщиной 0,5-25 мкм и размещенные на тонкой гибкой диэлектрической подложке. [c.151]

Изготовление подобных кристаллических структур из сверхтонких слоев является необычайно сложной задачей. Тем не менее эта идея привела к развитию и появлению новых методов тонкопленочной технологии, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), химическая сборка (ХС) или атомно-слоевая эпитаксия (АСЭ), осаждение из металлоорганических соединений, так называемая ЫОС-гибридная технология. [c.170]

В настоящее время успешно применяется и более доступная технология изготовления молекулярных ансамблей - тонкопленочная технология Ленгмюра-Блоджетт. Эта технология имеет междисциплинарный характер и развивается на стыке органической, физической и коллоидной химии, а также физики и биологии. [c.578]

ПАВ-фильтры на базе тонкопленочной технологии на частотах 100-900 МГц, с предельно низкими потерями - 3,5Дб. [c.166]

Фундаментальные особенности технологии Ленгмюра-Блоджетт определяются свойствами органических соединений. В основе тонкопленочной технологии лежит способность поверхностно-активных соединений (ПАВ) образовывать мономолекулярные слои на поверхности воды. Молекулы [c.578]

По-видимому, наиболее надежны контакты, изготавливаемые с помощью современных тонкопленочных технологий. Разработаны специальные методы создания контактов Джозефсона путем последовательного напыления сверхпроводящих материалов и разделяющих диэлектрических или полупроводящих пленок. Часто в качестве подложки для таких микросхем используют тонкую пластину из кремния, на которую напыляют также плоские проводники и контакты для соединения с остальной частью датчика, например с объемной тороидальной полостью. Существенную трудность представляет создание надежного контакта между плоской и объемной частями такой гибридной конструкции. Известна, однако, технология, уже используемая при изготовлении коммерческих сквидов, по которой пленки напыляют прямо на изолированную подложку из ниобия. [c.160]

Стремление к максимально возможному уменьшению толщины покрытий прежде всего объясняется тем, что многие физические явления протекают в тончайших покрытиях и пленках принципиально иначе, чем в массивных, и только в них можно наблюдать ряд специфических эффектов. Яркими примерами могут служить многочисленные оптические и гальваномагнитные размерные эффекты, электронные и туннельные эффекты проводимости, аномально высокие показатели удельной прочности, электрического сопротивления и т. д. Использование тонких покрытий и пленок обеспечило достижения в области изучения структуры, фазовых переходов, дислокаций в различных материалах, реакций на поверхности и поверхностных явлений. Кроме того, можно утверждать, что фактически не существует ни одной области техники, где бы так или иначе не использовались свойства тонких пленок. А появление таких новых областей техники, как микроэлектроника, обязано в основном развитию тонкопленочной технологии. [c.160]

Тонкопленочная технология базируется на сложных физико-химических процессах и применении различных металлов и диэлектриков. Так, тонкопленочные резисторы, электроды конденсаторов и межсоединения вьшолняют осаждением металлических пленок, а межслойную изоляцию и защитные покрытия — диэлектрических. [c.3]

В тонкопленочной технологии высокомолекулярных веществ в настоящее время наметились два основных направления формирование тонкого слоя на поверхности твердых тел из низкомолекулярных продуктов (мономеров) с последующей их полимеризацией под воздействием электронного, ультрафиолетового облучения, [c.160]

Производство как дискретных (отдельных) полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем (ИМС) в основном базируется на одних и тех же технологических процессах (эпитаксии, фотолитографии, травлении, диффузии, нанесении пленок и др.). Следует отметить, что при изготовлении всех видов полупроводниковых приборов и ИМС в том или ином объеме используется технологический процесс нанесения тонких пленок в вакууме - тонкопленочная технология. [c.5]

В книге В. А. Югова Тонкие пленки и их применение в радиоизмерительной технике приведены способы получения и свойства пленочных приборов, используемых в радиотехнических измерениях. Следует отметить, что в обеих книгах почти не рассматриваются вопросы, связанные с конструированием высоковакуумного оборудования, используемого в тонкопленочной технологии, в то время как за последние годы произошел значительный прогресс в этой области техники. [c.5]

Книга содержит исчерпывающую информацию по вопросам, связанным с этой областью науки и техники, и будет полезной для научных работников, занятых в этой области, а также для специалистов смежных областей. Она может также служить учебным пособием для студентов старших курсов и аспирантов университетов, поскольку в ней широко освещаются основы принципы вакуумной и тонкопленочной технологии. [c.8]

Анодное осаждение. При использовании в качестве подложки анода системы возможно успешное осаждение окислов элементов. При этом окислы осаждаются из раствора, в отличие от анодирования, когда осаждаемая пленка является продуктом окисления металла, из которого изготовлен сам анод. С помощью анодного осаждения получают пленки окислов свинца и марганца, однако в тонкопленочной технологии этот метод применяется очень редко. [c.469]

Эта глава посвящена критериям выбора подходящего материала для подложек, удовлетворяющего всем специфическим требованиям тонкопленочной технологии. К сожалению, идеальных материалов для изготовления подложек не существует. В зависимости от требований к тонким пленкам для подложек применяются различные материалы, которые удовлетворяют компромиссным требованиям. В идеальном случае подложка не взаимодействует с пленкой, но она должна обеспечивать. механическую жесткость пленки и необходимую адгезию. Однако практически подложка оказывает значительное влияние на характеристики тонкой пленки. [c.492]

Исследовательская установка для отработки тонкопленочной технологии [c.286]

Желательно, чтобы удельная емкость пленочного конденсатора бьша как можно больше. Поэтому выбирают диэлектрик, обладающий большой диэлектрической проницаемостью е, и стремятся уменьшить толщину с д пленки из него. Однако эти параметры нельзя изменять в широких пределах. Большинство используемых в тонкопленочной технологии диэлектриков имеют е от 3 до 1000. При этом толщина получаемых диэлектрических пленок составляет не менее 0,3 мкм. Основной технологической задачей при изготовлении пленочных конденсаторов является получение достаточно тонких диэлектрических пленок минимальной пористости. [c.7]

ВАКУУМ В ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ТЕХНОЛОГИИ [c.16]

В производстве часто бывает необходимо наносить пленки, состоящие не из одного вещества, а являющиеся сплавами. Это представляет наибольшую трудность в тонкопленочной технологии. Вследствие различной упругости паров компонентов сплава состав пленки может заметно отличаться от исходного (эффект фракционирования сплава). Так, при нанесении сплава нихрома (№ 80 %, Сг 20 %) при Г = 1400° С на подложке образуется пленка, имеющая следующий состав № - 60 %, Сг - 40 %. [c.36]

В этой главе внимание будет сконценфрировано на практических аспектах некоторых наиболее широко используемых методов нанесения покрытий термического испарения в вакууме и катодного распыления, котс рые в настоящее время являются 0быч1нымн операциями в большинстве электронно-микроскопических и ан алитичееких лабораторий. Входить в детальное обсуждение теоретических аспектов, тонкопленочной технологии не предполагается, и читатели, интересующиеся этим аспектом предмета, отсылаются к работе [272]. [c.177]

Специфические свойства поверхности эффективно используются в тонкопленочной технологии получения, например, фотодиодов, интегральных магнитных элементов вычислительной техники, приемников и ИК-излучения, радиопоглощающих и радиоотражающих покрытий, тензодатчиков, преобразователей солнечной энергии и др. Для нанесения пленок используют следующие процессы диффузионное насыщение, плазменное (или иное) напыление, испарение —конденсация, электрохимическое осаждение, электрофорез, ионную имплантацию, химический транспорт. [c.53]

Обработка П. чаще всего сводится к вакуумному отжигу для обезгажи-вания, гомогенизации и снятия внутренних напряжений, отжигу в газовых средах (напр., отжиг карбонильных металлов). Применение П. дало возможность расширить круг материалов, используемых в новой технике, а также повысить эффективность некоторых традиционных материалов, изделий и приборов. Так, разработка пром. способа получения фторидного вольфрама позволила в процессе осаждения изготовлять крупногабаритные изделия, которые невозможно получить методами обычной и порошковой металлургии. Нанесение, напр., покрытия из карбида титана (5—10 мкм) увеличило срок службы резцов из твердого сплава в три — пять раз. Получение окислов титана и кремния методом окисления соответствующих летучих галогенидов решило задачу пром. произ-ва высокодисперсных пигментов и на-полпителей. Применение тонкопленочной технологии нанесения П. в электронике позволило решить вопросы миниатюризации элементов схем (эпитаксиальная кристаллизация полупроводниковых материалов, получение диффузионных масок, изготовление проводящих и резистивных элементов и магнитных пленок). Использование покрытий из тугоплавких металлов и соединений в значительной степени способствовало прогрессу в космической и атомной технике. [c.178]

На стеклянной подложке размерами 15X15 см с помощью тонкопленочной технологии нанесены 14 400 триодов (а по второму варианту — триоды с запоминающими конденсаторами) с шагом 2,5 мм, соединенные в матрицу 120X130 элементов. Каждый из триодов соединен с участком электрода, являющегося одновременно и электродом жидкокристаллической ячейки. Второй электрод у всех ячеек общий (см. рис. 6.8, г). Выборка каждого триода осуществляется одновременной подачей управляющих напряжений на шины, соединенные с базами, и на шины, соединенные с одним из электродов. Матричный режим выборки по такой систе.ме существует лишь для триода, тогда как каждая элементарная ячейка при выбранном триоде включается независимо от других, т. е. по мозаичному принципу. Вольтамперные характеристики триодов могут быть сделаны нелинейными, для того чтобы явление креста для триодов не возникало при достаточно большом их числе. Каждый из триодов подключается к схеме на короткое время ( 63,5 мкс), недостаточное для срабатывания жидкокристаллического элемента, но достаточное для зарядки элементарного конденсатора, которым является жидкокристаллический элемент (и параллельно включенный запоминающий конденсатор). [c.197]

Во втором случае в качестве основы используют кристалл полупроводника, в соответствующих участках которого или на его поверхности образуют отдельные схемные элементы или их комбинации, получая в результате отдельную монолитную функциональную схему или блок. Следует отметить, что хотя технология изготовления тонкопленочных схем и схем на полупроводниковых кристаллах имеет свои специфические особенности, тем не менее в обоих случаях широко используется напыление в вакууме. Так, например, в книге Тонкопленочная микроэлектроника под редакцией Л. Холлэнда, которая была выпущена в Англии в 1965 г., описывается как технология нанесения тонкопленочных слоев для изготовления схем на пассивной подложке, так и нанесение тонкопленочных слоев, применяемое при производстве твердых схем. Однако в отечественной литературе, к сожалению, отсутствуют книги, отражающие современный уровень тонкопленочной технологии и используемого для этой цели вакуумного оборудования. [c.4]

Плоскостность подложек в тонкопленочной технологии имеет значение, в oiHOB ioti, в двух ситуациях. Во-первых, когда подложка находится в контакте с держателем или нагревателем во время осаждения пленки, во-вторых, в процессе фотолитографии, где требуется плотный контакт с фотошаблоном. [c.516]

Разделение подложек. Преимуществом тонкопленочной технологии является возможность изготовления многих компонентов или схем одновременно на общей подложке. На практике часто оказывается необходимым разделить полностью обработанную подложку на меньшие ее части или модули. Пригодные для этого механического разделения способы включают распиливание, скрайбированне, разламывание и предварительное насечение. Хорошо известны также способы резки кремниевых пластин посредством алмазных дисков или проволоки с одновременной подачей абразивной эмульсии. [c.534]

Недавнее расширение турбидиметрического подхода дало возможность также определять распределение частиц по размерам [71]. Вдобавок существует метод, запатентованный компанией Tioxide International [72], согласно которому спектрофотометрически измеряется пропущенный свет при трех различных длинах волн. Это позволяет измерять средний размер частиц и его стандартное отклонение, что полезно при определении эффективности помола. Ноббс [73] недавно описал метод, использующий тонкопленочную технологию, что является модификацией [c.191]

В бинарной системе Mg-Si (рис.1) образуется единственное соединение (силицид состава Mg2Si), плавящееся конгруэнтно при 1085°С [1-3]. Обладая ценными полупроводниковыми свойствами (полупроводник л-типа с шириной запрещенной зоны 0.78 эВ при О К [4]), оно находит применение в ряде тонкопленочных технологий [5]. [c.35]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология