Тонкопленочной технологии методы

В работе [21] приведена конструкция многоэлементного ВТП, при изготовлении которого использованы методы тонкопленочной технологии и фотолитографии. Элементами преобразователей являются однослойные или многослойные планарные катушки индуктивности, изготовленные из пленки или фольги толщиной 0,5-25 мкм и размещенные на тонкой гибкой диэлектрической подложке. [c.151]

Изготовление подобных кристаллических структур из сверхтонких слоев является необычайно сложной задачей. Тем не менее эта идея привела к развитию и появлению новых методов тонкопленочной технологии, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), химическая сборка (ХС) или атомно-слоевая эпитаксия (АСЭ), осаждение из металлоорганических соединений, так называемая ЫОС-гибридная технология. [c.170]

Анодное осаждение. При использовании в качестве подложки анода системы возможно успешное осаждение окислов элементов. При этом окислы осаждаются из раствора, в отличие от анодирования, когда осаждаемая пленка является продуктом окисления металла, из которого изготовлен сам анод. С помощью анодного осаждения получают пленки окислов свинца и марганца, однако в тонкопленочной технологии этот метод применяется очень редко. [c.469]

По-видимому, наиболее надежны контакты, изготавливаемые с помощью современных тонкопленочных технологий. Разработаны специальные методы создания контактов Джозефсона путем последовательного напыления сверхпроводящих материалов и разделяющих диэлектрических или полупроводящих пленок. Часто в качестве подложки для таких микросхем используют тонкую пластину из кремния, на которую напыляют также плоские проводники и контакты для соединения с остальной частью датчика, например с объемной тороидальной полостью. Существенную трудность представляет создание надежного контакта между плоской и объемной частями такой гибридной конструкции. Известна, однако, технология, уже используемая при изготовлении коммерческих сквидов, по которой пленки напыляют прямо на изолированную подложку из ниобия. [c.160]

Метод тонкопленочной дистилляции, разработанный Гоулде-ном и др. [8], основан на испарении H N и некоторого количества воды подкисленных проб. Вода должна конденсироваться и стекать обратно, а H N поглощаться в абсорбционной колонке. Настоящие исследования обнаружили, что такая технология имеет ряд недостатков. Оказалось, что значительное количество H N возвращается со сконденсированной водой и не определяется. Было также замечено, что чем ниже температура холодильника, тем, меньше обнаруживается цианидов и хуже воспроизводимость результатов. Предлагаемый здесь прибор (см. рис. 20.2) очень прост, а необходимость в холодильнике отпадает. Следует отметить, что аэрация помогает извлечь газообразный H N из раствора. Расход воздуха составляет 20, а скорость подачи подкисленной пробы 2,7 мл/мин. [c.230]

В отличие от технологии изготовления танталовых конденсаторов, когда требуется разгерметизация рабочего объема вакуумной установки, метод плазменного анодирования позволяет проводить весь технологический процесс получения тонкопленочных конденсаторов без разгерметизации рабочего объема вакуумной установки. Этим обеспечивается высокая чистота полученных иленок, поскольку до минимума снижается опасность их загрязнения и упрощается процесс изготовления конденсаторов. Конденсаторы с диэлектриком из окиси алюминия обладают лучшими электрическими свойствами по сравнению с конденсаторами, использующими в качестве диэлектрика моноокись кремния, поскольку последняя имеет относительно высокий тангенс угла диэлектрических потерь, низкую электрическую прочность и не совсем однородный состав. Кроме того, в отличие от алюминиевых конденсаторов с электролитическим анодированием алюминиевые конденсаторы с плазменным анодированием неполярны. [c.67]

Системы непрерывного действия более целесообразно использовать для нанесения пленок на всю площадь поверхности подложки, например, для металлизации лент, плоских заготовок и пластиковых изделий или для изготовления оптических покрытий линз. Если требуется определенная конфигурация слоя, то в процессе напыления применяют маски или используют метод травления уже напыленного слоя. Однако метод дифференциального травления, вообще говоря, не применим для получения многослойных пленочных структур методом напыления, ради которых, собственно, и были созданы рассматриваемые высокомеханизированные системы. Поэтому для изготовления многослойных микроэлектронных схем приходится применять маски и устройства для их смены. Большие трудности возникают при прецизионном совмещении последовательно серии масок с подложкой внутри вакуумной системы. Непосредственный контакт маски с подложкой может привести к нежелательному изменению маски из-за теплового расширения или коробления. Однако еще более существенно то, что по мере миниатюризации тонкопленочных элементов техника напыления оказывается уже не в состоянии обеспечить требуемую точность размеров, реализуемую лишь с помощью прецизионных фотолитографических методов (см. гл. 7). Именно поэтому в последние годы использование автоматизированных напылительных систем для микроэлектронных применений заметно снизилось. Растущий объем производства полупроводниковых микросхем, изготавливаемых методами полупроводниковой технологии, делает с экономической точки зрения все более привлекательным применение простых систем непрерывного действия для осаждения лишь одного слоя. Хотя стоимость таких систем пока еще в несколько раз больше, чем у обычных установок последовательного типа, их производительность выше. По мере накопления опыта работы с уже применяемыми в настоящее время такими элементами систем, как входные вакуумные шлюзы, испарители большой емкости и устройства для контроля процессов осаждения, представляется все более и более осуществимой идея использования вычислительных машин для контроля всем процессом изготовления объектов. [c.310]

В вакуумной технологии тонкопленочных покрытий широко применяют метод очистки поверхности ионной бомбардировкой. Очистка металлической и стеклянной поверхности в тлеющем высоковольтном разряде более эффективна, чем обжиг. Процесс осуществляют в тех же камерах, в которых наносят покрытия [35]. [c.36]

Методы модифицирования полимерных пленок в электрических полях используются при изготовлении тонкопленочных конденсаторов [44]. Электрическую обработку пленочных материалов применяют с целью нанесения на них печати, получения комбинированных пленок без клеящих составов и т.п. Технология обработки заключается в пропускании пленки в зазоре между двумя электродами, один из которых выполнен обычно неподвижным, а другой чаще всего представляет собой вращающийся ролик из электропроводящего материалу [14]. На электроды подают высокое напряжение (до десятков кВ) с частотой сотни кГц. Интенсивность обработки можно регулировать, изменяя напряжение на электродах, расстояние между ними и скорость протяжки пленки. Электрическая обработка сопровождается образованием озона, сильно окисляющего поверхность пленки. [c.65]

Несмотря на недостатки, метод свободной маски во многих случаях незаменим в технологии тонкопленочных ИМС, так как исключается действие травильных растворов на пленки, что неизбежно при фотолитографии, и, кроме того, наиболее производителен и экономичен. [c.26]

В этой главе внимание будет сконценфрировано на практических аспектах некоторых наиболее широко используемых методов нанесения покрытий термического испарения в вакууме и катодного распыления, котс рые в настоящее время являются 0быч1нымн операциями в большинстве электронно-микроскопических и ан алитичееких лабораторий. Входить в детальное обсуждение теоретических аспектов, тонкопленочной технологии не предполагается, и читатели, интересующиеся этим аспектом предмета, отсылаются к работе [272]. [c.177]

Обработка П. чаще всего сводится к вакуумному отжигу для обезгажи-вания, гомогенизации и снятия внутренних напряжений, отжигу в газовых средах (напр., отжиг карбонильных металлов). Применение П. дало возможность расширить круг материалов, используемых в новой технике, а также повысить эффективность некоторых традиционных материалов, изделий и приборов. Так, разработка пром. способа получения фторидного вольфрама позволила в процессе осаждения изготовлять крупногабаритные изделия, которые невозможно получить методами обычной и порошковой металлургии. Нанесение, напр., покрытия из карбида титана (5—10 мкм) увеличило срок службы резцов из твердого сплава в три — пять раз. Получение окислов титана и кремния методом окисления соответствующих летучих галогенидов решило задачу пром. произ-ва высокодисперсных пигментов и на-полпителей. Применение тонкопленочной технологии нанесения П. в электронике позволило решить вопросы миниатюризации элементов схем (эпитаксиальная кристаллизация полупроводниковых материалов, получение диффузионных масок, изготовление проводящих и резистивных элементов и магнитных пленок). Использование покрытий из тугоплавких металлов и соединений в значительной степени способствовало прогрессу в космической и атомной технике. [c.178]

Недавнее расширение турбидиметрического подхода дало возможность также определять распределение частиц по размерам [71]. Вдобавок существует метод, запатентованный компанией Tioxide International [72], согласно которому спектрофотометрически измеряется пропущенный свет при трех различных длинах волн. Это позволяет измерять средний размер частиц и его стандартное отклонение, что полезно при определении эффективности помола. Ноббс [73] недавно описал метод, использующий тонкопленочную технологию, что является модификацией [c.191]

Наиболее перспективными из физико-химических методов являются обратный осмос, ультрафильтрация, тонкопленочное испарение или электрохимические методы разрушения эмульсионных СОТС, а также совмещение их с реагентными способами [92, 289]. Представляет интерес способ интенсификации технологии мембранного разделения, основанный на магнитоожижении магнитных металлокерамических тел, устанавливаемых в канале трубчатых элементов, что способствует более высокому концентрированию маслопродуктов и повышению производительности ультрафильтрации в 1,1 —1,3 раза. С целью сокращения расхода энергии и увеличения производительности процесса изучена возможность применения цилиндрического вращающегося модуля ультрафильтрации. За рубежом ультрафильтрацию особенно широко используют в автомобильной промышленности. [c.326]

Гибридные интегральные стабилизаторы выполняются с применением бес-корпусных интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, размещенных на диэлектрической подложке, на которую методами тонкопленочной или толстопленочной технологии нанесены резисторы и соединительные проводники. На подложке размещаются также необходимые дискретные элементы - бескорпусные конденсаторы, переменные резисторы и др. ГИСН выполняются в виде законченных устройств на фиксированные уровни выходных напряжений, например 5 6 9 12 15 В. С использованием мощных бес-корпусных транзисторов и маломощных схем управления, выполненных по гибридно-пленочной технологии, изготовляются стабилизаторы, рассчитанные на большие токи, например, до 5 А. [c.135]

Перспективна технология тонкопленочных термоэлементов. Пленки термоэлектрических материалов получают на подложках из слюДы, каменной соли, пластиков путем химического осаждения из паровой фазы, катодным распылением, методами дискретного испарения. Для многокомпонентных составов наилучшие показатели достигаются при применении метода дискретного испарения, позволяющего, используя некоторые сиятезированные и легированные составы, получать пленки толщиной до 10 мкм, имеющие а = 1000 1500 Ом-1-см-1, а = (200-т- 220)10- В/К. Хорошие результаты достигаются при температуре испарения 800—1000°С, температуре подложки — от комнатной до 200°С. Термообработку проводят в вакууме, в нейтральном газе или на воздухе в течение 15 мин — 3 ч при температуре 300—350°С. [c.90]

Методы тонкопленочной и твердотельной технологии открывают широкие и 1ногообразные возможности при разработке миниатюрных электрохимических сен- оров. Основные достоинства миниатюрных тонкопленочных электродов уже выяснены 4], хотя, чтобы достичь высокого качества и стабильности микроскопических сенсо-юв, еще потребуются интенсивные исследования. Основным преимуществом миниатюрных сенсоров могла бы быть возможность многопараметрических измерений. [c.313]

Большую роль играет вакуумная технология и вакуумнотехнологическое оборудование в производстве металлопленочных конденсаторов. Одним из методов изготовления тонкопленочных конденсаторов является радиочастотное магнетронное распьшение мишеней из керамики ВаТЮз [14]. Распыление ведется в атмосфере Аг + О2 на кремниевую подложку с температурой от комнатной до 700° С. Для практических применений рекомендуется двух- и трехслойные конденсаторы с диэлектриком ВаТЮз. Предложен ускоренный метод изготовления намотанных металлопленочных конденсаторов [15]. Метод дает также повышение качества и надежности конденсаторов и уменьшение их стоимости. Заготовки конденсаторов помещаются в вакуумную камеру для откачки воздуха из пор применяемых материалов. Затем поры заполняются под давлением газом с высокой электропрочностью (например, элегазом или хладоном-12), что предотвращает возникновение коронного разряда, и герметизируются полимерными капсулами. [c.40]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология