Инденкарбоновая кислота

Сама смола обладает слабокислыми свойствами и растворима в щелочных растворах, но сенсибилизатор исходно нерастворим в воде и защищает пленку. Однако инденкарбоновая кислота, образующаяся при облучении, будет растворяться в щелочном проявителе, поэтому вся освещенная пленка будет растворена, а нерастворенной останется пленка на неэкспонированных участках. Два важных негативно работающих фоторезиста зависят от фотополимеризации, а не от изменения растворимости полимера, как описано в последнем абзаце. Фотополимеризацию можно классифицировать в зависимости от того, требует ли каждое увеличение относительной молекулярной массы своей собственной фотохимической стадии активации или большое число стадий термической полимеризации происходит после поглощения кванта света. [c.257]

Композиции для получения светочувствительных покрытий, применяемых в микроэлектронике и при изготовлении типографских форм для рельефной печати [23], состоят из крезольного новолака [24], сенсибилизатора на основе замещенных диазонафтохинонов и подходящих растворителей. Вначале получают покрытие, которое не растворяется в водных растворах щелочей. После воздействия на покрытие УФ-лучей о-диазонафтохпнон превращается (через образование в качестве промежуточного соединения кетена) в инденкарбоновую кислоту [25,26] [c.268]

При термолизе изомерных орго-диазонафталинонов в метаноле, этаноле, 2-пропаноле образуются эфиры этих спиртов 3-инденкарбоновой кислоты, соответствующие орто-алкоксинафтолы и на-фтолы, что отвечает превращениям промежуточных кетена и карбена [22]. [c.69]

Из приведенного материала следует, что триплетная сенсибилизация для 2-диазо-1-нафталинона по меньшей мере бесполезна, если желательно повысить квантовый выход кетена и соответственно инденкарбоновой кислоты. Известно, что введение триплетных сенсибилизаторов— кетона Михлера, бензофеноиа, трифенилена — в раствор 2-дназо-1-нафталинона в бензоле или хлороформе с небольшими добавками спиртов, а также в пленку нафтохинондиа-зидного фоторезиста А2-1350 не влияет на скорость распада хинондиазида [37]. Изучая сенсибилизацию красителями фотораспада 2-диазо-1-нафталинона и его замещенных (фрасп = 1-Ь 3 % ), авторы нашли, что наиболее эффективны красители с малым энергетическим барьером 5 — Г в твердой матрице, склонные к переносу электрона механизм сенсибилизации сложен и требует выяснения [26]. [c.74]

Образующийся прн фотолизе иа воздухе нитрен пришивает остаток инденкарбоновой кислоты к специально вводимому в ком позицию гидрофобному и нерастворимому в основаниях поли меру — смеси эфнра полиола и ненасыщенных кислот [c.84]

Образовавшиеся при фотолизе хинондиазидов замещенные инденкарбоновой кислоты способны при нагревании декарбоксилироваться, участки слоя с введенными в иего производными индена теряют способность растворяться в щелочах. Тем самым создается возможность обращения материала — превращения позитивного слоя в негативный. Модификация обработок слоя позитивного хииоидиазидного резиста для создания негатива позволяет получить лучшее разрешение и меньшее число дефектов в негативе, чем в случае слоя на основе собственно негативных резистов. Кроме того, позитивные фоторезисты менее чувствительны к кислороду, чем негативные, что упрощает технологию. Наконец, использование обращаемой системы избавляет от необходимости иметь запас реактивов и материалов для различающихся по материалам и обработкам собственно негативных и позитивных композиций. [c.89]

В пат. Великобритании 2082339 для получения печатной формы на анодированный алюминий наносят композицию из 3 ч. гваяцилового или л1-толило-вого эфнра 5-сульфо-2-диазо-1-нафталинона, 6 ч. НС, 0,5 ч. резола из крезола. Выдерживают экспонированный, но еще не проявленный слой при 60—120 С. Прн этом идет декарбоксилирование инденкарбоновой кислоты, что приводит к потере растворимости в щелочи экспонированных участков. Засвечивают весь слой, в результате образуется замещенная инденкарбоновая кислота и достигается растворение в щелочи всех нефотолизованных при первом экспонировании участков слоя. В результате создается негативное рельефное изображение шаблона. Термообработка при 220 С резко улучшает механические свойства рельефа. Успех обращения и эффективность заключительной термообработки авторы связывают с наличием в слое резольной смолы. [c.89]

Контрастное окрашивание слоя. Желтый хииондиазид при экспонировании обесцвечивается (см. рис. II. 1) в местах действия света, но поскольку наряду с перегруппировкой идет и разложение, слой приобретает красноватый оттенок. Однако отличие цвета таких участков слоя от исходного невелико, особенно в желтом свете. При последовательном экспонировании шаблонов (одного или нескольких) на одну пластину из-за плохого цветового контраста возникает брак вследствие неверного совмещения, повторного экспонирования, например при перерывах в работе. Кроме того, готовый резистный слой часто обладает недостаточным контрастом по отношению к подложке, особенно неокрашенной и блестящей. Для придания цветового контраста готовому слою на подложке в композицию вводят 0,2—0,6 % от массы сухих компонентов различных красителей. При проявлении они не должны вымываться из слоя. Для создания контраста сразу после экспонирования необходимо обеспечить изменение цвета красителя в местах действия света. С этой целью вводят красители-иидика-торы, меняющие цвет в области pH 2,5—6,5 [пат. ФРГ 1447011], и вещества, генерирующие кислоту при фотолизе. Уже сама появляющаяся в слое при экспонировании замещенная инденкарбоновая кислота понижает pH системы, однако это понижение pH часто недостаточно для создания цветового контраста. При фотосольволизе галогенангидридов 4-сульфо-2-диазо-1-нафталинона образуется 2 моль сильной кислоты [например, пат. США 3969118 пат. ФРГ 2331377], однако слои с добавкой такого хинондиазида обладают меньшим сроком хранения [c.91]

На ЗЮг/З с помощью этого позитивного резиста, сенсибилизированного бензофеноном, проведена фотолитография и травление подложки размеры полученных элементов составляют 10 мкм. Механизм фотораспада полимера наряду с тривиальным радикальным распадом связи С—ЗОг может включать как первые стадии фотоокисление по связи — С—Н, фотоотрыв у-водорода карбонилом цепи или карбонилом бензофеноиа и другие реакции, которые, несомненно, требуют изучения [20]. Система НС + нафто-хинондиазид не подходит для глубокого УФ-света, так НС и замещенная инденкарбоновая кислота поглощают интенсивно до 300 нм и поэтому для разложения о-нафтохпнондиазпда в слое нужна слишком большая экспозиция, что приводит к переэкспонированию наружных частей и размыванию рельефа нри проявлении. Рельеф, полученный из НС, очувствленной хинондиазидом, может непосредственно служить маской при экспонировании ПММА [пат. США 4211834]. Однако при экспонировании эксимерным лазером (ХеС1, А, = 308 нм КгР, А-= 248 нм) снимаются жесткие требования к фоторезисту по светочувствительности и становится возможным использование обычных резистов типа НС + нафто-хинондиазид эта техника представляет практический интерес [21], Кислота Мельдрума имеет полосу поглош,ения (максимум при [c.183]

При действии света нерастворимый в щелочах полимер (7) превращается в растворимый в воде полимер (8) — производное инденкарбоновой кислоты, например [c.272]

Исследуя фотолиз о-хинондиазидов, которые, аналогично диазокетонам, содержат указанную выше группировку атомов, Хорнер [67] облучал о-хинондиазиды в спиртовой среде или в присутствии ароматических аминов и выделил соответствующие кетены в виде эфиров или анилидов инденкарбоновых кислот [c.30]

Интересный метод йредложен недавно для получения прочных негативных изображений при помощи о-хинондиазидов, обычно применяющихся для позитивного способа [120]. К светочувствительному слою прибавляют п-диамины (бензидин, дна-минодифенилметан, диаминобензофенон, гексаметилендиамин и т. п.), в результате чего на освещенных местах изображения образуются нерастворимые соединения, хорошо воспринимающие жирную краску. Было доказано, что они состоят из полимерных амидов циклопентадиен-, или инденкарбоновых кислот, не растворимых в кислотах, щелочах и обычных органических растворителях. Кроме диаминов для получения нерастворимых полимерных амидов рекомендуется применять низкомолекулярные полимеры аминостирола, например его пентамер [120]. Строение амидов, по-видимому, соответствует формуле (ЬХХ1Х) и получение их в копировальном слое непосредственно при [c.207]

В случае ингибирования реакции продуктами фотолиза хинондиазидов было показано, что оно вызывается красителями,, получающимися в результате взаимодействия инденкарбоновых кислот с исходным о-хинондиазидом [140, 141]. Это явление наблюдалось Остером [141] и для других мономерных систем. По-видимому, его можно использовать для получения рельефных изображений при фотомеханической репродукции. [c.215]

Определение степени разложения хинондиазида. В условиях производства и работы с длительно хранившимися образцами фоторезистных композиций желательно уметь определять степень разложения хинондиазида в композиции и тем самым пригодность ее для работы. Разложение происходит в результате постепенного фотолиза коппозицчи ч пр11соднт к 3-инденкарбоновой кислоте. [c.74]

СМ хинондиазида и Ус=о при 1720 см карбоксила инденкарбоновой кислоты при различных степенях разло/кеиия, напрнмер, исходного анализируемого раствора Б и предельно разложенного в специальном опыте фотолиза при постоянной температуре В. Из линейной зависимости в координатах =N2 Дс=о И и Г — точки пересечения с осями координат) находят степень разложения т) (в %) диазида в любой композиции, например той, параметры ИК-спектра которой отвечают точке Б, по простому соотношению длин отрезков АБ и АГ-. = (АБ1АГ) 100. Для каждой хинондназидной композиции, отличающейся строением компонентов, требуется найти свою линейную зависимость (рис. II. 3) [39]. Метод пригоден для анализа суспензий о-хинондиази-дов в вазелиновом масле, а также слоев на различных подложках. В работе [40] на примере [c.75]

Кратковременное экспонирование композиции, достаточное для превращения хинондиазида в инденкарбоновую кислоту, дает после щелочного проявления нормальное позитивное изображение. После десятикратной экспозиции через тот же контактный шаблон и последующего кратковременного облучения всего слоя первоначально засвеченные участки уже не способны растворяться в щелочи в отличие от остального слоя, что при щелочном проявлении дает негативное изображение оригинала. Это происходит потому, что нитрон при длительном фотолизе сшивает компоненты слоя, что приводит к эффекту обращения. Разработка рекомендована для создания очень контрастных рельефов в микроэлектронике. Подложкой служит слой висмута толщиной примерно 150 мкм с оптической плотностью 4, напыленной в вакууме на пленку поли-этилентерефталата толщиной 0,1 мм. Травитель —12 %-ный раствор РеСЬ, содержащий 1 % лимонной кислоты. В современной аппаратуре проявление, промывка, травление занимают 28 с. [c.90]

НИЛОМ цепи или карбонилом бензофенона и другие реакции, которые, несомненно, требуют изучения [20]. Система НС + нафто-хинондиазид не подходит для глубокого УФ-света, так НС и замещенная инденкарбоновая кислота поглощают интенсивно до 300 нм и поэтому для разложения о-нафтохинондиазида в слое нужна слишком большая экспозиция, что приводит к переэкспонированию наружных частей и размыванию рельефа при проявлении. Рельеф, полученный из НС, очувствленной хинондиазидом, может непосредственно служить маской при экспонировании ПММА [пат. США 4211834]. Однако при экспонировании эксимерным лазером (ХеС1, Х==308 нм КгР, 7. = 248 нм) снимаются жесткие требования к фоторезисту по светочувствительности и становится возможным использование обычных резистов типа НС -Ь нафто-хинондиазид эта техника представляет практический интерес [21], Кислота Мельдрума имеет полосу поглощения (максимум при [c.183]

Смотреть страницы где упоминается термин Инденкарбоновая кислота: [c.78] [c.78] [c.66] [c.69] [c.71] [c.72] [c.75] [c.75] [c.75] [c.90] [c.489] [c.78] [c.28] [c.192] [c.207] [c.51] [c.122] [c.66] [c.69] [c.71] [c.72] [c.75] [c.75] [c.89] [c.91] [c.489] [c.444]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология