Хинондиазиды

Недостаток способа заключается в том, что реакцию необходимо проводить в очень разбавленных растворах, иначе хинондиазид вступает в реакцию сочетания с продуктом перегруппировки н образуется краситель. Хниондиазиды растворяют в 100—1000 ч. смеси растворителей, состоящей из ледяной уксусной кислоты, воды и двоксана в переменном соотношении. Раствор аатем освещают при охлаждении льдом до отрицательной реакции на дназосоединение (реакция с флороглюцином). [c.884]

Многие реакции о-хинондиазидов происх(й ят также в случае производных п-хинона (схема 58) и родственных соеди е- [c.412]

Сужение цикла с элиминированием молекулы азота при фотохимическом превращении о-хинондиазидов в кетены получило название реакции ЗЮСА [c.344]

При облучении УФ-светом о-хинондиазидов происходит сужение цикла и-образование кетенов, которые легко превращаются в кислоты (реакция ЗЮСА) [c.381]

Дигидро-1,4,5-бензоксадиазепиноны-2 (132 X = О) получаются присоединением кегенов к о-хинондиазидам. Они могут присоединять кетен по связи а при нагревании диссоции- [c.702]

Все реагенты, используемые для создания резистных композиций и при работе с подложками и резистными слоями, должны иметь квалификацию не ниже ч.д.а. Растворы резистных композиций с целью повышения их стабильности и улучшения качества пленок очищают от примесей центрифугированием, а также фильтруют через специальные фторопластовые фильтры с размером пор 0,2 мкм. Растворы резистов постепенно разлагаются при комнатной температуре в основном за счет светочувствительных компонентов, например, азиды, хинондиазиды выделяют азот. Разложение этих компонентов понижает светочувствительность резистов и изменяет их свойства. При хранении из резистов может выкристаллизовываться светочувствительный компонент или продукты его превращений. Повышенное содержание воды в пленках хинон-диазидных резистов может ухудшить адгезию слоя, явиться причиной ряда других технологических осложнений [1—3]. Так как слои позитивных резистов при обработках не теряют светочувствительности, возможна их реэкспозиция. Необходимо во избежание фоторазложения резиста и изменения его характеристик проводить технологические операции при подходящем освещении. [c.15]

Хинондиазиды весьма реакционноспособны термически, фотохимически и в условиях катализа [14]. Основные направления их превращений связаны с первоначальным выделением азота. Ранние работы по химии и фотохимии нафтохиноидиазидов рассмотрены в монографии Динабурга [15]. [c.68]

В соответствии с установившимся мнением, кислород не влияет на скорость распада хинондиазидов [24, 30]. Это объясняется малым временем жизни возбужденного синглетного состояния хинондиазида ( 10- с) и относительно низкой концентрацией кислорода ( Ю моль/л) в растворе [30]. Квантовый выход распада солей о-гидроксинафтилдиазония более чем в 2 раза ниже, чем у соответствующих хинондиазидов [24] это соответствует наблюдениям, что в кислых средах о-нафтохинондиазиды распадаются медленнее, чем в нейтральных и щелочных [2]. Внутримолекулярная поляризация растворителем повышает скорость фотораспада хинондиазида [11]. Очевидно, при фотолизе эта форма соединения наиболее лабильна. [c.71]

Из приведенного материала следует, что триплетная сенсибилизация для 2-диазо-1-нафталинона по меньшей мере бесполезна, если желательно повысить квантовый выход кетена и соответственно инденкарбоновой кислоты. Известно, что введение триплетных сенсибилизаторов— кетона Михлера, бензофеноиа, трифенилена — в раствор 2-дназо-1-нафталинона в бензоле или хлороформе с небольшими добавками спиртов, а также в пленку нафтохинондиа-зидного фоторезиста А2-1350 не влияет на скорость распада хинондиазида [37]. Изучая сенсибилизацию красителями фотораспада 2-диазо-1-нафталинона и его замещенных (фрасп = 1-Ь 3 % ), авторы нашли, что наиболее эффективны красители с малым энергетическим барьером 5 — Г в твердой матрице, склонные к переносу электрона механизм сенсибилизации сложен и требует выяснения [26]. [c.74]

Определение степени разложения хинондиазида. В условиях производства и работы с длительно хранившимися образцами фоторезистных композиций желательно уметь определять степень разложения хинопдиазида в композиции и тем самым пригодность ее для работы. Разложение происходит в результате постепенного фотолиза композиции и приводит к 3-инденкарбоыовой кислоте. [c.74]

Эфиры 5- И 4-сульфокислот 2-диазо-1-нафталинона почти не поглощают свет с длиной волны более 450 нм. Для смещения адсорбции хинондиазида в области эмиссии лазеров, используемых для высокоразрещенной записи информации и голографии, в особенности ионного аргонового (эмиссия 488 нм) и гелиево-кадмиевого лазера (441,6 нм), синтезированы хинондлазиды — производные N-замещенных амидов 1,8-нафталиндикарбоновой кислоты. Они поглощают свет при 400—550 нм [пат. США 4207107] для создания резистных слоев их совмещают с крезоло-формальдегид-ным новолаком [c.78]

Фирма ЗМ (США) вводит в композицию позитивного резиста с целью улучшения механических свойств слоя смесь НС и акрилатного полимера (например, сополимера 35 % стирола, 59 % этилакрилата и 6 % метакриловой кислоты), модифицированных полиизоцианатами в присутствии триэтилендиамина [пат. Великобритании 1474073]. С этой же целью составляют композицию фоторезиста из светочувствительного хинондиазида, НС, резола и добавок — эпоксифенольного лака и бутилированного стиромаля после обычных операций и обработок получают высокотираже-устойчивую печатную форму [а. с. СССР 889486]. [c.81]

Не всегда укрепляющий слой добавочный полимер хорошо сов мещается со светочувствительной композицией, поэтому в ряд( работ его вводят в внде отдельной фазы (слоя). Например на подложку анодированного алюминия наносят резист, затем нг него найлон и сверху снова резист. Во время фотолиза засвечи ваются оба слоя с хинондиазидом прн проявлении в этих места вместе с новолаком удаляется и промежуточный найлоновый слор [пат. Великобритании 1478333]. Это усложнение технологии дает возможность при небольшой суммарной толщине слоя повысит светочувствительность при меньшем расходе хинондиазида, а также тиражеустойчивость печатной формы. Укрепляющий полимер мо жно наносить или на слой резиста, или под него, используя растворители, избирательно растворяющие только компоненты слоя, наносимого последующим [пат. США 4207106]. [c.84]

Предэкспозиционная термообработка. После нанесения композиции на подложку слой сушат при температуре ниже 100 С. В результате предэкспозици-онной термообработки (сушки) не только удаляется растворитель, ио и повышается адгезия слоя к подложке. Поскольку хинондиазиды термически разлагаются, а НС могут уплотняться при повышенных температурах [41], режим сушки оказывает влияние на результаты всех последующих обработок и на свойства рельефа. [c.85]

Известно, что эфир 2-диазо-1-нафталинон-5-сульфокислоты и иодированного в ядро 2-ди(4-гндроксидифеиил)пропана устойчив до 117 С и разлагается в интервале температур 117—145 °С [43]. На термограммах 5-сульфохлорида 2-диазо-1-нафталинона и диэфира 2,4,4 -тригидроксибензофенона и этой сульфокислоты наблюдается как минимум два термоэффекта в зависимости от скорости нагревания при 124—136°С и при 286 °С. В НС сульфоэфир хинондиазида начинает заметно разлагаться при 70 °С, хотя продолжительное нагревание при температуре менее 70 С также ведет к значительному разрушению сульфоэфира. С ростом температуры четко выявляется стабилизирующее действие НС, которое после 120 °С сглаживается. При указанных ниже константах Скорости термолиза к и расчетных значениях времени термораспада 50 % и 5 % 0,5 и То,05 диэфира 2,4,4 -тригидроксибензофенона и 2-диазо-1-нафталинон-5-суль-фокислоты энергия активации в растворе составляет 130 Дж/моль [44] [c.85]

Образовавшиеся при фотолизе хинондиазидов замещенные инденкарбоновой кислоты способны при нагревании декарбоксилироваться, участки слоя с введенными в иего производными индена теряют способность растворяться в щелочах. Тем самым создается возможность обращения материала — превращения позитивного слоя в негативный. Модификация обработок слоя позитивного хииоидиазидного резиста для создания негатива позволяет получить лучшее разрешение и меньшее число дефектов в негативе, чем в случае слоя на основе собственно негативных резистов. Кроме того, позитивные фоторезисты менее чувствительны к кислороду, чем негативные, что упрощает технологию. Наконец, использование обращаемой системы избавляет от необходимости иметь запас реактивов и материалов для различающихся по материалам и обработкам собственно негативных и позитивных композиций. [c.89]

Контрастное окрашивание слоя. Желтый хииондиазид при экспонировании обесцвечивается (см. рис. II. 1) в местах действия света, но поскольку наряду с перегруппировкой идет и разложение, слой приобретает красноватый оттенок. Однако отличие цвета таких участков слоя от исходного невелико, особенно в желтом свете. При последовательном экспонировании шаблонов (одного или нескольких) на одну пластину из-за плохого цветового контраста возникает брак вследствие неверного совмещения, повторного экспонирования, например при перерывах в работе. Кроме того, готовый резистный слой часто обладает недостаточным контрастом по отношению к подложке, особенно неокрашенной и блестящей. Для придания цветового контраста готовому слою на подложке в композицию вводят 0,2—0,6 % от массы сухих компонентов различных красителей. При проявлении они не должны вымываться из слоя. Для создания контраста сразу после экспонирования необходимо обеспечить изменение цвета красителя в местах действия света. С этой целью вводят красители-иидика-торы, меняющие цвет в области pH 2,5—6,5 [пат. ФРГ 1447011], и вещества, генерирующие кислоту при фотолизе. Уже сама появляющаяся в слое при экспонировании замещенная инденкарбоновая кислота понижает pH системы, однако это понижение pH часто недостаточно для создания цветового контраста. При фотосольволизе галогенангидридов 4-сульфо-2-диазо-1-нафталинона образуется 2 моль сильной кислоты [например, пат. США 3969118 пат. ФРГ 2331377], однако слои с добавкой такого хинондиазида обладают меньшим сроком хранения [c.91]

Резистный слой довольно чувствителен к режиму проявления. Эта чувствительность возрастает с уменьшением количества хинондиазида (светочувствительность при этом растет) и при введении ангидридов циклических кислот, которые также повышают светочувствительность. Для снижения чувствительности к режиму проявления, повышения механической прочности слоя и его олеофильности в него вводят наряду с ангидридом циклической кислоты до 50 % наполнителя — аэросила с размером частиц 500 мкм и менее [пат. США 4336319]. [c.93]

Улучшение красковосприимчивости. С момента появления в 1958 г. тв графских форм, имеющих в качестве печатающих элементов хииондиазид новолачные композиции, всегда возникали трудности с первоначальной крас восприимчивостью требуется более 100 оборотов вала машины для того, чтс форма полностью по всей поверхности восприняла краску это, естествеи приводит к потере бумаги и времени. Пытались на форму вначале нанос краску вручную, однако это малопроизводительно и трудоемко. Низкая крас восприимчивость характерна и для форм, очувствленных хинондиазидами проявляемых щелочью. Вероятно, во время проявления на поверхности об зуется тонкий олеофильный слой фенолята иона щелочного металла, кото и ухудшает восприимчивость краски. Авторы пат. Великобритании 1571 обрабатывали экспонированный резист на анодированном алюминии сме( органического растворителя, способствующего набуханию поверхностного а пленкообразующего олеофильного полимера и пигмента, например смесью ( дующего состава, ч. (масс.) [c.94]

Пленка олеофильного полимера препятствует появлению олеофобного с при проявлении, что резко сокращает число холостых оборотов вала с ф мой — уже через 5 оборотов достигается нормальная красковосприимчиво Обработка допускает заключительный термолиз, нанесение на готовую фо] водорастворимого защитного слоя натриевой соли сульфированного алкил фенилгидроксида с гуммиарабиком. Аналогичные результаты достигнуты форме, содержащей вместо хинондиазида в смеси с НС хлорид 4-(4-метоь фениламино)фенилдиазония [пат. Великобритании 1584350]. [c.94]

На ЗЮг/З с помощью этого позитивного резиста, сенсибилизированного бензофеноном, проведена фотолитография и травление подложки размеры полученных элементов составляют 10 мкм. Механизм фотораспада полимера наряду с тривиальным радикальным распадом связи С—ЗОг может включать как первые стадии фотоокисление по связи — С—Н, фотоотрыв у-водорода карбонилом цепи или карбонилом бензофеноиа и другие реакции, которые, несомненно, требуют изучения [20]. Система НС + нафто-хинондиазид не подходит для глубокого УФ-света, так НС и замещенная инденкарбоновая кислота поглощают интенсивно до 300 нм и поэтому для разложения о-нафтохпнондиазпда в слое нужна слишком большая экспозиция, что приводит к переэкспонированию наружных частей и размыванию рельефа нри проявлении. Рельеф, полученный из НС, очувствленной хинондиазидом, может непосредственно служить маской при экспонировании ПММА [пат. США 4211834]. Однако при экспонировании эксимерным лазером (ХеС1, А, = 308 нм КгР, А-= 248 нм) снимаются жесткие требования к фоторезисту по светочувствительности и становится возможным использование обычных резистов типа НС + нафто-хинондиазид эта техника представляет практический интерес [21], Кислота Мельдрума имеет полосу поглош,ения (максимум при [c.183]

После фотолиза кислоты Мельдрума в слое не удалось обнаружить продукта гидратации кетена — 4-карбоновой кислоты соответствующего 1,3-диоксолона, хотя растворимость НС в экспонированных местах возросла. Очевидно, в соответствии с предположением Дилла и сотрудников [23], повышение растворимости НС является результатом не гидрофилизации слоя за счет карбоксильной функции, а элиминирования гидрофобного ингибитора растворения — хинондиазида. [c.184]

Разрабатываются новые сухие фоторезисты (см. например [37]). Достичь сухого проявления удается в основном в тех случаях, когда при экспонировании пленкообразующий полимер распадается на легко летучие фрагменты (позитивный рельеф) или когда экспонированные и неэкспонированные участки слоя сильно различаются по стойкости к обработке плазмой [38]. Наиболее чувствителен к травлению плазмой F4 — О2 (95 5) ПММА, наименее— резисты на основе циклополиизопрена и диазидов НС, совмещенные с хинондиазидами, более чувствительны, чем диазидные композиции [39]. [c.188]

Поскольку хинондиазиды мало устойчивы в присутствии кислот, в композицию с обычным хинондиазидом вводят полиамидо- [c.194]

При использовании композиции из абиетинильного хинондиазида и того же полиамидофенола были получены микрорельефы, выдерживающие температуру до 550 °С. [c.195]

Выбор светочувствительных компонентов для этого материала чрезвычайно широк. Практически к использованию предлагаются любые светочувствительные системы хинондиазиды солн диазония азиды композиции, генерирующие при фотолизе радикалы, напрнмер, содержащие полигалогениды СНСЦ СВг4, СВгзЗОгСбНв с дифениламином или нафтолом композиции хинонов с комплексами теллура или кобальта коллоиды, очувствленные бихро-матами поливинилциннаматы. В них дополнительно могут быть включены стабилизаторы, увеличивающие срок хранения, красители или промоторы сухого проявления. В качестве полимерных связующих для этих композиций рекомендуются феноло-формальдегидные смолы, ПВБ, поливинилформаль, ПС, полиакриловая кислота, ПММА, ПВА, сополимеры винилиденхлорида, акрилонитрила, винилацетата с малеиновым ангидридом, водорастворимые полимеры — желатина, ПВП, ПВС. Термореактивные полимеры, например эпоксидные смолы, могут быть введены в некотором количестве в термопластичное связующее, но при этом необходимо соблюдать осторожность при нагревании светочувствительного материала. Толщина светочувствительного слоя может быть от 0,5 до 500 мкм, предпочтительно 20—100 мкм. В качестве материала листа, принимающего переносимое изображение, могут быть использованы полиамиды, сополимеры винилиденхлорида, бумага, ламинированная полиэтиленом или полипропиленом. Этот лист [c.201]

Органическая химия. Т.2 (1970) -- [ c.225 ]

Основы химии и технологии ароматических соединений (1992) -- [ c.557 ]

Органическая химия Углубленный курс Том 2 (1966) -- [ c.217 ]

Основы синтеза промежуточных продуктов и красителей (1950) -- [ c.198 , c.468 , c.489 ]

Основы синтеза промежуточных продуктов и красителей (1950) -- [ c.48 , c.198 , c.468 ]

Химия синтетических красителей (1956) -- [ c.1882 , c.1887 , c.1888 , c.1979 ]

Химия синтетических красителей (1956) -- [ c.1882 , c.1887 , c.1888 , c.1979 ]

Введение в химию и технологию органических красителей Издание 3 (1984) -- [ c.311 , c.318 , c.330 , c.368 ]

Введение в химию и технологию органических красителей (1971) -- [ c.234 , c.238 , c.241 , c.271 ]

Химия и технология органических красителей (1956) -- [ c.83 ]

Введение в химию и технологию органических красителей Изд 2 (1977) -- [ c.261 , c.265 , c.266 , c.269 , c.270 , c.298 , c.299 , c.301 , c.349 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология