Энергия миграции

Шоттки в MgO составляет 6,5 эВ, а энергия миграции катионных вакансий 2,5 эВ. Экспериментальное изучение самодиффузии Mg + в MgO привело к значению энергии активации, равному 3,4 эВ. Сопоставление этого результата с оценочными величинами свидетельствует о том, что проводимость относится скорее всего к примесной области. Доказано также, что на проводимость оксидов сильно влияют дислокации и что кислородные вакансии передвигаются предпочтительно вдоль дислокационных трубок. [c.19]

Здесь Еи-1 — наибольшее между энергией миграции Ет и энергией [c.60]

Если при температуре острия 300° К на него осаждают небольшое количество вольфрама, то на грани (ПО) наблюдаются не только яркие кристаллиты, но также многочисленные бледные круглые пятна. Диаметр этих пятен равен тому, которого можно ожидать для изображения отдельных атомов вольфрама. С повышением температуры эти пятна приходят в движение и исчезают за 200 сек. при 830° К или за 3 сек. при 1160° К. На основании этих опытов Мюллер делает вывод, что энергия миграции на грани (ПО) равна около 1,2 эв. Аналогичным образом он нашел, что энергия миграции на грани (100) равна около 2,0 эв. Для миграции атомов вольфрама, осажденных на край грани (ПО), требуется приблизительно 3,4 эв. Из модели, показанной на рис. 19, следует, что для миграции атомов, находящихся в этих трех положениях на поверхности кристалла, требуется, чтобы атом разорвал соответственно одну, две и три связи. Отсюда мы заключаем, что для разрыва одной связи W — W требуется около 1,1 эв. [c.218]

Однако при диффузии заряженных дефектов должна происходить и диффузия электронов и дырок. Причем количество заряженных точечных дефектов, пересекающих единицу поверхности поперечного сечения, перпендикулярного к направлению диффузии, должно быть равно количеству электронных дефектов, пересекающих эту же поверхность. Такая взаимосвязанная диффузия противоположно заряженных частиц называется ам-биполярной. Коэффициент диффузии D дефекта не равен коэффициенту самодиффузии Dj соответствующего компонента в решетке соединения, образующего слой, так как при самодиффузии должна учитываться не только энергия миграции Ев, но и энергия образования дефектов Еу, т. е. [c.380]

Энергия миграции Х7 адатомов тугоплавких металлов по поверхности граней (ПО) и (112)1 [c.42]

ГО выхода называется тушением флуоресценции, которое является следствием химической реакции столкновения молекул с обменом энергией, миграции энергии по типу резонанса. Все эти факторы зависят (как и при поглощении света) от f, pH среды и концентрации флуоресцирующих молекул. [c.118]

Таблица 1. Энергии миграции, двумерной сублимации и связи в двумерных агрегатах

Неправильно бьшо бы считать ПААГ регулярной пространственной решеткой с жесткими ячейками определенного среднего размера. При малых значениях С он представляет собой скорее длинные нити, заполняющие весь объем и лишь в отдельных точках случайным образом сшитые между собой. Расстояние между этими точками вдоль нити (при С ) в среднем равно 50 —100 мономерных единиц. Такая система не может быть внутренне жесткой. Мигрирующие в геле макромолекулы, по-видимому, могут раздвигать гибкие длинные участки линейных полимеров акриламида. Разумеется, на это расходуется энергия, миграция молекул замедляется и происходит своеобразное трение их о гель. Однако жестких ограничений на размер [c.13]

Изучение проводимости таких оксидов, как MgO, представляет собой трудную задачу, так как из-за высокой температуры их плавления ( 2500°С) трудно вырастить чистые монокристаллы, которые не захватили бы примесей при этих темпе ратурах. Другая причина, усложняющая исследования, состоит в том, что в этих оксидах энергия образования и энергия миграции дефектов в несколько раз больше, чем в Na l. В итоге их проводимость чрезвычайно низка даже при высоких температурах и часто определяется в основном наличием приме= сей. [c.18]

Энергия миграции воска на поверхность изделия должна превышать энергию кристаллизации. При равном молекулярном весе изопарафины обладают меньшей вязкостью, а при одинаковой температуре затвердевания — большей, чем нормальные парафины. Вязкость в сочетании с другими характеристиками дает 1воз1можность судить о составе воска, степени его чистоты, а также и о скорости миграции в резине. Значение абсолютной вязкости при температуре гЗ 5° принято для характеристики юкорости миграции и названо основной вязкостью [8]. [c.126]

Бэйке и Келли [87] определили энергию образования и миграции вакансий в графите, предполагая, что для процесса самодиффузии справедлив ва-кансионный механизм. Они получили меньшие значения, чем указанные выше. По их мнению, энергия образования вакансий заключена в интервале 2,4—4,2 эв, в то время как энергия миграции вакансий лежит в интервале 3,2—3,7 эв. Таким образом, значение энергии активации самодиффузии, определенное при наблюдении кинетики отжига дислокационных петель и равное 6,3 эв, хорошо согласуется с вычисленным (6,45 1,45 эв). Более высокие значения для энергии образования и перемещения вакансий использует Кантер [91 ]. Изучая диффузию атомов в кристаллах природного графита, он полагает, что энергия образования вакансий равна теплоте сублимации, а перемещения — равна 4,03 эв. Однако Кантер допускает, что энергия образования вакансий в графите может быть значительно ниже, чем теплота сублимации, если учесть релаксационные эффекты. [c.32]

Представления о протекании химических реакций в твердых телах при низких температурах в первую очередь на структурных дефектах находят подтверждение в самых различных областях. В работе [699] при рассмотрении вопроса о значениях активацион-ных энергий миграции границ зерен в металлах сделано заключение, что процесс термической активации для миграции границ зерен в чистых металлах является аналогичным процессу локального плавления, или, другими словами, процессу локальной амор-физации кристалла в определенных активируемых объемах. В связи с этим интересно обнаруженное явление снижения на несколько десятков градусов температуры плавления индия, когда он находится в виде мельчайших частиц. [c.257]

На рис. 16 приведены значения для тугоплавких ОЦК-металлов, а также экспериментальные значения т . Из приведенных зависимостей следует, что до Г = = 1500° К (для Мо) 2000° К (для У) лимитирующим временем является т . Следовательно, в расчетах длин диффузионных пробегов атомов металла в адсорбированном состоянии следует применять величину т . Для определения величины необходимо знать энергию миграции адсорбированного атома металла [9]. По Фольмеру и Нейману [10], энергия миграции атома от одного положения к другому есть разница в работах отрыва в начальном положении и в седлообразной точке. Воспользуемся данными табл. 3 для подсчета энергии миграции атомов вольфрама. Эти даяные сведены в табл. 4, где приведены также экспериментальные данные Мюллера, полученные на ионном проекторе [11]. [c.39]

Дрехслер [12] провел теоретические расчеты энергий миграции атомов вольфрама на различных гранях монокристалла вольфрама. Эти результаты приведены на рис. 17. Из этих данных также следует, что минимально [c.40]

По результатам определения зависимости изменения размеров зерен от обратной температуры были получены значения энергии активации миграции границ, равные 7500— 15000 кал/моль. Эти величины свидетельствуют о том, что миграция границ, по-видимому, носит диффузионный характер и контролируется диффузией атомов хрома (отметим, что в случае чистого диффузионного механизма энергия миграции границ совпадала бы с энергией самодиффузии атомов железа в стали 08Х18Н10, равной в этом диапазоне температур 4700— 8800 кал/моль). Вероятно, примесные атомы, присутствующие в стали и требующие меньшей энергии активации для диффузии, чем хром, мигрируют вместе с границами. Расчеты показывают, что энергия активации диффузии, например, атомов углерода в стали 08Х18Н10 в диапазоне температур 1300—1200°С равняется 2500—5000 кал/моль. [c.113]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология