Инверсионное туннельное расщепление,

ИНВЕРСИОННОЕ (ТУННЕЛЬНОЕ) РАСЩЕПЛЕНИЕ [c.223]

Инверсионное (туннельное) расщепление [301—304, 280—284] [c.227]

Эффекту Яна — Теллера в ЭПР посвящено большое число работ, исчисляющихся в настоящее время сотнями (см. обзоры [282, 325—328] и соответствующие главы в монографиях [321, гл. 21 267, глава III). Поясним наиболее отчетливое проявление эффекта на примере систем, обладающих инверсионным (туннельным) расщеплением (раздел VI. 4). Сильное влияние последнего на спектры ЭПР связано, прежде всего, с тем, что вместо одного спинового мультиплета при наличии инверсионного расщепления в системе имеется несколько близких мультиплетов, соответствующих различным инверсионным (электронно-колебательным) состояниям. Взаимодействуя между собой во внешнем постоянном магнитном поле, эти состояния приводят к сложному ходу уров- [c.237]

IV. 4. ДИНАМИКА ДВИЖЕНИЯ ЯДЕР ПРИ НАЛИЧИИ ЭЛЕКТРОННОГО ВЫРОЖДЕНИЯ ИНВЕРСИОННОЕ (ТУННЕЛЬНОЕ] РАСЩЕПЛЕНИЕ [c.110]

Наглядно происхождение зависимости инверсионного (туннельного) расщепления от температуры можно себе представить, если предположить, что окружение комплекса представляет собой вязкую среду. Очевидно, что такая среда затормаживает переходы комплекса из одной равновесной конфигурации в другую, эквивалентную (причем, тем больше, чем больше вязкость), что равносильно увеличению эффективного барьера между минимумами адиабатического потенциала. С увеличением температуры вязкость уменьшается, переходы облегчаются, эффективный барьер падает и, следовательно, туннельное расщепление б растет. Разумеется, не всякое кристаллическое окружение действует только как затормаживающая вязкость. Для этого оно должно быть прежде всего достаточно симметричным. В противном случае оно может снять инверсионное расщепление [168, 169]. Влияние инверсионного расщепления на свойства координационных систем рассматривается ниже (разделы VI. 2 и VI. 3). [c.114]

Спектр ЭПР при наличии инверсионного (туннельного) расщепления [c.168]

Более того, так как инверсионное (туннельное) расщепление б растет (а следовательно, т убывает) с температурой (стр. 114), то для одного и того же метода измерения (при том же х ) может оказаться, что при низких температурах выполняется условие [c.190]

Инверсионное туннельное) расщепление [c.278]

Инверсионное (туннельное) расщепление получается в случае достаточно больших АЕ, точнее, когда АЕ больше энергии нулевых колебаний в одной яме. В этом случае можно предположить, что вблизи дна ямы из-за большого энергетического расстояния до следующей ветви потенциала приближенно применимо адиабатическое приближение, и в этой области полную волновую функцию можно представить как произведение электронной ф, типа (X. 34) на колебательную (критерий применимости приближения см. ниже) [c.278]

Инверсионное (туннельное) расщепление.......... [c.310]

Рис. VI. 15. Инверсионное (туннельное) расщепление в квадратичной Е — е-задаче (а), линейной Т — <2-задаче (б) и в орторомбнче-ских минимумах квадратичной Т — (е + /2)-задачи (в).

Результаты численного решения этого уравнения приведены на рис. VI. 17. Можно видеть, что уже при ( р /а) 2, т. е. когда величина квадратичного барьера становится больше кинетической энергии свободного движения в желобе, /е качественная картина расположения низ-колежащих уровней соответствует ожидаемому в теории инверсионного (туннельного) расщепления. [c.232]

Вибронные эффекты в переходах с участием электронно-вырожденных термов проявляются непосредственно и в бесфононных линиях (стр. 248). Так как последние (см. выше) довольно узки, в них может отразиться тонкая структура вибронных уровней, получаемых в результате решения вибронных уравнений (VI. 13). В частности, можно ожидать, что рассмотренное в разделе VI. 4 инверсионное (туннельное) расщепление проявится в виде соответствующего расщепления бесфононной линии перехода на электронно-вырожденный уровень в поглощении или люминесценции. Такое расщепление действительно наблюдалось в Л- -переходах в системах [375] , ,-1 [c.265]

Более того, так как инверсионное (туннельное) расщепление растет (а следовательно, х убывает) с температурой (стр. 240), то для одного и того же метода измерения (при том же т ) может оказаться, что при низких температурах выполняется условие (VIII. 2), т. е. в опыте будет наблюдаться искаженная конфигурация (низкая симметрия). При достаточно же высокой температуре т убывает настолько, что реализуется условие (VIII. 3) и в опыте проявляется усредненная полносимметричная картина. Именно таков наблюдаемый экспериментально и получивший затем объяснение температурный переход в спектре ЭПР ряда комплексов Си(II) [329]. [c.286]

Этими двумя механизмами релаксации удается объяснить большую часть экспериментальных данных по спектрам ЭПР в ионах группы железа. Однако в ряде случаев эти представления оказываются недостаточными. В частности, при наличии в системе возбужденного орбитального состояния, близко лежащего к основному, становятся эффективными так называемые двухступенчатые процессы Орбаха — Аминова [271], в которых релаксационный переход происходит в два этапа через промежуточное реальное орбитальное состояние. Аналогичный механизм может оказаться существенным при наличии в системе инверсионного (туннельного) расщепления (см. раздел IV. 4 и стр. 168) [166, 272, 273]. [c.167]

Инверсионное (туннельное) расщепление электронно-колеба-тельных уровней парамагнитных координационных систем, обладающих электронным вырождением и достаточно сильной электронно-колебательной связью (см. раздел 1У.4), оказывает весьма сильное влияние на спектры ЭПР. Это связано, прежде всего, с тем, что вместо одного спинового мультиплета при наличии инверсионного расщепления в системе имеется несколько близких мультиплетов, соответствующих различным инверсионным (электронноколебательным) состояниям. Взаимодействуя между собой во внешнем постоянном магнитном поле, эти состояния приводят к сложному ходу уровней, и большему, чем обычно, числу магнитно-дипольных переходов с сильной зависимостью вероятности последних от соотношения частоты резонанса йш и инверсионного расщепления б. [c.168]

Таким образом, с ростом температуры в некоторой области может быть достигнут переход из высокочастотного спектра к низкочастотному через промежуточную область. Именно такой температурный переход в спектре ЭПР наблюдается для некоторых координационных систем (табл. VI.4). Для некоторых из этих примеров из анализа спектра установлена величина инверсионного (туннельного) расщепления (в см- ) S = 0,006 для u +t aO [287] o = 10 для S 2+ СаРг и o = 8 для S 2+ SrFz [291] (см. также [294]). [c.171]

Кроме рассмотренного случая -терма исследовано влияние инверсионного (туннельного) расщепления на спектры ЭПР систем с 72-термом и тетрагональными и тригональными минимумами [164], на Е- и Гг-термы [295], на сверхтонкую структуру спектров [296, 297], на парамагнитную релаксацию [166, 272, 274], а также возможность осуществления микроволнового лазера с щироким диапазоном [298] микроволнового поглощения при отсутствии магнитного поля [299], резонансного поглощения ультразвука [300] и др. [c.171]

Инверсионное (туннельное) расщепление наблюдалось также непосредственно в расщеплении бесфононной линии оптического поглощения, связанного с переходом в системах Еи +— aFg [c.171]

Х.З. ФОРМА АДИАБАТИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА И ИНВЕРСИОННОЕ (ТУННЕЛЬНОЕ] РАСЩЕПЛЕНИЕ для ЭЛЕКТРОННОГО Я-ТЕРМА [c.276]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология