Магнитные дипольные переходы

Помимо дипольных переходов возможны квадрупольные и магнитные дипольные переходы между уровнями одной четности, которые дают дополнительные, более слабые линии в сериях и под- [c.229]

Если статическое поле Н относительно слабее внутренних - магнитных полей атома, то оно не нарушает спин-орбитальной связи, и поэтому вокруг направления Н будет процессировать результирующий вектор момента /. Под действием поля в этом случае энергетический уровень атома расщепляется на 2/ + 1 эквидистантных магнитных подуровней (зее-мановское расщепление). Под действием переменного магнитного поля с частотой V возможны магнитные дипольные переходы (с правилами отбора для магнитного квантового числа т, определяемого соотношением / /п —] т = ) между соседними подуровнями, если выполняется резонансное соотношение (правило частот Бора) [c.715]

В однородных соединениях, имеющих одинаковые окружения всех резонансных ядер, мессбауэровские спектры содержат столько компонент, сколько допускается в соответствии с правилами отбора для ядерных переходов. Так, например, как мы видели выше, для магнитного дипольного перехода ядра с уровня со спином / = 3/2 на уровень со спином / = 1/2 в присутствии внешнего маг- [c.218]

Спектрометр ЭПР представляет собой устройство, служащее для обнаружения магнитных дипольных переходов. Монохроматическое электромагнитное излучение подают на образец и с помощью детектора наблюдают за изменением интенсивности излучения, прошедшего через образец. Путем изменения постоянного магнитного поля находят его резонансное значение Я = hv/g при котором детектируется сигнал поглощения. Обычно спектр ЭПР наблюдают при [c.283]

Электрические дипольные переходы между компонентами сверхтонкой структуры одного и того же уровня запрещены правилом отбора по четности. Разрешены только магнитно-дипольные переходы и квадрупольные переходы. В первом случае имеют место правила отбора (23.61), во втором [c.268]

Привлекает внимание результат исследования мезитилена (1,3, 5-три-метилбензола), адсорбированного на силикагеле [19], методом ЯМР. Спектр ядерного протонного резонанса жидкого мезитилена характеризуется двумя резкими максимумами. При переходе к твердому мезитилену линии спектра настолько расширяются, что их не удается наблюдать. Спектр адсорбированного мезитилена при 0=2 характеризуется двумя резкими максимумами. С ростом числа адсорбированных слоев наблюдается расширение линий, но не изменяется относительное положение их максимумов. Однако было замечено изменение интегральной интенсивности протонных сигналов СНд- и СН-групп. В жидкости это соотношение равно 3 1, а в адсорбированном состоянии — 4,5. Такое явление, по-видимому, обусловлено более частыми магнитными дипольными переходами протонов в адсорбированных СНз-группах по сравнению с протонными переходами для СН-групп. Во время изучения адсорбции пиридина на том же образце силикагеля было установлено, что при 0=2 также наблюдается резонансная линия с двумя максимумами в области, близкой к спектру жидкого пиридина. [c.214]

В разделе 8.5.3 мы получили ясное доказательство наличия пионных обменных токов в магнитном дипольном переходе [c.389]

Для измерения концентраций некоторых радикалов, например радикала 0Н(Х2П), в которых вместо магнитных дипольных переходов, характерных для простых атомов, происходят электрические дипольные переходы, в качестве эталонного газа необходимо использовать газ, обладающий электрическими дипольными переходами, с тем чтобы коэффициенты заполнения резонатора были одинаковыми. Для калибровки абсолютных концентраций радикалов ОН использованы электрические дипольные переходы молекул Ы0(Х2П) [56]. Опубликовано несколько кинетических исследований реакций радикала ОН в основном состоянии, в которых приводятся константы скоростей реакций [56, 187, 188] [c.312]

Для обнаружения радикалов ОН пришлось применить реактор особой конструкции с поглощающей ячейкой, заполняющей весь резонатор ЭПР [35]. Такая конструкция позволяла наблюдать спектры, обусловленные как электрическими, так и магнитными дипольными переходами. [c.181]

Электрические дипольные переходы между компонентами сверхтонкого расщепления одного и того же уровня запрещены правилом отбора по четности. Разрешены, очевидно, только квадрупольные и магнитно-дипольные переходы. Квадрупольные переходы возможны только при условии 2У 2. [c.398]

По этой причине для переходов между компонентами сверхтонкой структуры основных уровней и особый интерес представляет магнитное дипольное излучение. Магнитно-дипольные переходы являются единственной причиной высвечивания верхних подуровней сверхтонкой структуры таких уровней. Рассмотрим переход между компонентами сверхтонкой структуры одноэлектронного атома (атом водорода или щелочного металла). В этом случае [c.398]

Даже если переход — Л1 (/г — л) отвечает наименьшей энергии, он не может относиться к наблюдаемой полосе минимальной энергии, поскольку для симметрии этот переход нетипичен. Он запрещен как электрический дипольный и квадрупольный или магнитный дипольный переход и, хотя разрешен как колебательный переход, требует двух колебательных квантов. Об интенсивности подобных переходов имеется мало сведений, но элементарный анализ подтверждает, что они должны быть чрезвычайно слабыми. Если наблюдаемую полосу низшей энергии отнести за счет этого перехода, то придется предположить, что тригональная симметрия возбужденного состояния каким-то образом статистически ослабляется. Но в этом случае должен наблюдаться еще достаточно сильный переход [c.390]

Оптическая активность. Феноменологическое описание оптической активности было приведено ранее (стр. 33). Естественно, что всякая попытка строго объяснить изменения в величине угла вращения и кругового дихроизма для разных полос поглощения данного комплекса начинается с точно такого же анализа расщепления уровней или состояний свободных ионов, какой проводится прн интерпретации спектров поглощения. Однако изучение оптической активности на этом уровне потребовало бы разбора довольно сложных вопросов, касающихся физики атома и выходящих за рамки данной книги. Поэтому этот вопрос не будет здесь подробно рассмотрен, тем более что в этой области до сих пор не удалось получить строгих количественных результатов. Укажем лишь на один важный вывод. Было показано, что большие значения угла вращения плоскости поляризации могут наблюдаться только для тех электронных переходов, которые разрешены как магнитные дипольные переходы. Приведенные выше диаграммы энергетических уровней позволяют качественно определить, какие переходы могут сопровождаться большими значениями угла вращения. [c.86]

Аналогично сила осциллятора для магнитного дипольного перехода определяется выражением [c.167]

НЫМ движением) электрического заряда при переходе из начального в конечное состояние. Оператор преобразуется как вращение, т. е. можно считать, что интенсивность магнитного дипольного перехода обусловлена вращением электронной плотности. Как трансляция, так и вращение являются двухмерными процессами, протекающими одинаково в каждом из энантиомеров. [c.168]

Однако комбинация из электрического и магнитного дипольных переходов представляет собой трехмерный процесс, совершающийся по спиральной линии. Перемещение электронной плотности происходит по спирали при переходах, имеющих одновременно и магнитный и электрический дипольный характер. Основу современной теории оптической активности составляет положение о том, что оптически активным может быть только такой переход, для которого дозволены и электрический, и магнитный дипольные моменты. [c.168]

Кун [30] ввел так называемый фактор анизотропии g, на основе которого был выведен критерий [48] отнесения магнитных дипольных переходов [c.169]

При подстановке в это выражение разумных значений моментов и было обнаружено [48], что ->0,01 может получаться только в случае магнитных дипольных переходов. В соответствии с предсказанием Моффита [49] наблюдаемый в комплексах любой симметрии эффект Коттона свидетельствует о том, что в спектрах оптического вращения преобладают магнитные дипольные переходы. В табл. 1 приведены типичные значения фактора д для нескольких соединений переходных металлов. Эти данные иллюстрируют тот случай, когда поглощение, дозволенное по магнитным дипольным правилам отбора в родственных октаэдрических соединениях, продолжает оставаться основным фактором, определяющим оптическую активность также и в случае комплексов, симметрия которых значительно ниже октаэдрической. [c.169]

Спектрометр ЭПР, возможная схема которого изображена на рис. 1-2, б, представляет собой устройство для обнаружения магнитных дипольных переходов. На рис. 1-2, а для сравнения показана схема оптического спектрометра, из которой можно усмотреть аналогию в функциях некоторых элементов этих двух измерительных устройств. В обоих случаях монохроматическое электромагнитное излучение подают на образец и наблюдают за изменениями интенсивности излучения, прошедшего через образец с помощью подходящего детектора. Поглощение будет происходить только в том случае, когда энергия кванта падающего излучения равна расстоянию между уровнями энергии. Необходимость статического магнитного поля — отличительная черта магнитных дипольных переходов . В отсутствие магнит- [c.10]

Изученные системы удобны потому, что в них возможны интенсивные электрические дипольные переходы. Для нелинейных многоатомных молекул фактически весь орбитальный момент погашен 5 не сильно связан с молекулярным остовом, и поэтому возможны только магнитные дипольные переходы. Низкая интенсивность и сложность спектра в настоящее время затрудняют исследование таких молекул. Например, N02 в газовой фазе дает сотни линий. [c.380]

Здесь V — частота электромагнитного излучения, <3 — оператор возмущения, отражающий влияние приложенного электрода магнитного поля. Для магнитных дипольных переходов [c.475]

Возможен, однако, механизм разрешения перехода, в котором участие лигандов несущественно, — это магнитно-дипольное и электрически-квадрупольное взаимодействие с электромагнитной волной. Как уже отмечалось, такие переходы значительно менее интенсивны (/ 10 и 10 ), однако в тех случаях, когда состояния системы очень слабо связаны с колебаниями, магнитные дипольные переходы становятся определяющими наблюдаемую полосу. [c.261]

Первый основной вывод из уравнений (VIII.26а) и (VIII.266) состоит в том, что вращение связано с электронным переходом. Вращательная сила не равна нулю, когда электронный переход возможен, как говорят, по механизму электрического дипольного перехода и по механизму магнитного дипольного перехода. Первый переход можно представить как линейное перемещение электрического заряда, а второй — как движение заряда по окружности, т. е. полное движение заряда совершается по спирали. [c.180]

Квадратичный рост этой скорости объясняется тем, что матричный элемент для магнитного дипольного перехода из связывающего синглетного терма в несвязывающий триплетный терм пропорционален индукции магнитного поля, и отсюда во втором порядке теории возмущений скорость предиссоциации пропорциональна квадрату индукции поля. Наклоны двух линий с разными номерами колебательных состояний V отличаются из-за того, что для переходов из разных колебательных состояний Франк-Кондоновские факторы разные. [c.43]

Вблизи порога и для энергий, характерных при возбуждении изобары А(1232), длина волны фотона весьма велика, так что амплитуда фоторождения определяется электрическим и магнитным дипольными переходами, с незначительными вкладами от электрических квадрупольных членов. Электрическое дипольное взаимодействие ведет главным образом к образованию 8-волновых пионов с малыми дополнительными ё-волновыми вкладами. Магнитное дипольное взаимодействие приводит к образованию р-волновых пи- [c.297]

Перейдем теперь к обсуждению характерных свойств полных сечений фоторождения, приведенных на рис. 8.1. Сечение фоторождения нейтрального пиона определяется в основном магнитным дипольным переходом на изобару Д(1232). В этом канале Д-резонанс особенно заметен в силу того, что, как мы видели, электрические дипольные переходы подавлены. [c.299]

Хотя основной интерес здесь представляют спин-продольные переходы, задаваемые пионоподобным оператором а V Та, поперечные по спину переходы, пропорциональные а х V г а, дают дополнительную информацию о ядерных спин-изоспиновых корреляциях. Такие возбуждения исследуются в изовекторных магнитных дипольных переходах. [c.397]

Следует заметить, что эффекты перенормировки, представленные величинами dgs и dgp, по-разному входят в магнитные моменты и в магнитные дипольные переходы в частнсти, вклад dgs усилен в матричных элементах М1-перехода, которые потому и более чувствительны к эффектам перенормировки спина, чем магнитные моменты. [c.424]

Хорошо известно, что желтое свечение, сопровождающее рекомбинацию двух атомов азота в основном состоянии, состоит из полос, обусловленных селективным заселением колебательных уровней (0 1) 12) первой положительной. системы N2( lIg—y4 Si). В спектре послесвечения присутствуют также слабые полосы в инфракрасной области — Hg) [27а], полосы в далекой ультрафиолетовой области Лаймана — Бёрджа —Хоп-фильда(а П2 — X sJ),обусловленные магнитно-дипольным переходом [105], и полосы запрещенного перехода [106]. [c.327]

Формулы для вероятности магнитно-дипольных переходов не содержат радиальных интегралов. Вместо радиального интеграла (точнее, вместо eRnU ) входит боровский магнетон [c.397]

Как известно, в системах с центром инверсии d— -переходы запрещены орбитальными правилами отбора (так называемое правило Лапорта). Однако даже в случае молекул с центром инверсии электронно-колебательное взаимодействие приводит к заметной интенсивности электрического дипольного перехода для орбиталей строгого четного (gerade) или нечетного (ungerade) характера. Но для того чтобы переход был оптически активным, необходимо выполнить еще одно, более жесткое условие — переход должен быть разрешенным по механизму магнитного дипольного перехода. Правила отбора для магнитных дипольных переходов требуют, чтобы при переходе не происходило изменения четности, т. е. дозволены переходы g< g или и и, но не дозволены переходы g-o-u. Таким образом, запрещенные по Лапорту d— -переходы могут оказаться разрешенными магнитными дипольными правилами отбора, а дозволенные по спину переходы с низшей энергией между штарков-скими уровнями октаэдрического комплекса всегда разрешены правилами отбора для магнитных дипольных переходов. При экспериментальной проверке отнесений в спектрах часто используют магнитный дипольный характер переходов некоторые примеры этого рода рассматриваются ниже. [c.168]

Два ИЗ НИХ индуцируются магнитной компонентой СВЧ-поля и два — электрической компонентой. Поскольку электрические дппольные переходы интенсивнее магнитных дипольных переходов приблизительно на 2—3 порядка, наблюдаются переходы первого типа. Таким образом, резонатор должен быть построен так, чтобы молекулы газа могли находиться в областях с большими значениями Е. С этой целью используется цилиндрический резонатор Нои (рис. 2-4) с большим отверстием для образца. До сих пор мы не учитывали возможность сверхтонкого расщепления, обусловленного ядрами с ненулевым спином. Однако существует ряд примеров такого расщепления, например N0 и СЮ. [c.378]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология