Регуляторы роста кристалло

Такие добавки органических веществ называют регуляторами роста кристаллов, так как путем сочетания нескольких из них можно добиваться изменения структуры и свойств осадков в нужном направлении. Наиболее часто для улучшения структуры осадков применяют такие поверхностно-активные вещества, как ОС-20, тиокарбамид, ароматические амины, синтанол ДС коллоидные электролиты, например клей, желатин. Большинство добавок отличается избирательным действием, т. е. в различных электролитах проявляют себя по-разному. Так, клей и желатин оказывают благоприятное влияние при оловянировании, кадмировании, свинцевании и ухудшают качество медных и никелевых осадков. [c.120]

Такие добавки органических веществ называют регуляторами роста кристаллов, так как путем сочетания нескольких из них можно добиваться изменения структуры и свойств осадков в нужном направлении. Наиболее часто для улучшения структуры осадков применяют такие поверхностно-активные вещества, как ОП-7, ОП-10, ОС-20, тиокарбамид, ароматические амины, син-танол ДС коллоидные электролиты, например клей, же- [c.145]

Общим для всех рассматриваемых случаев является то, что пассивирующие электрод, адсорбционные поли- или монослои выполняют роль своеобразного регулятора роста кристаллов, что связано с преодолением заметных торможений в осуществлении электродной реакции. [c.344]

Анализ действия отдельных компонентов поверхностно активных веществ, кроме того, затрудняется появлением в католите непроизвольных образований, возникающих вследствие сдвигов в ионных равновесиях при электролизе. Как отмечалось, такие вещества выполняют роль добавочных регуляторов роста кристаллов. При этом возникает затруднение в количественном определении непроизвольной добавки, так как обычно и концентрация, ни состав возникающего в католите малорастворимого соединения не поддаются точному анализу и учету. [c.353]

Таким образом, вся совокупность имеющихся опытных данных и теоретические соображения показывают, что органические добавки в комплексных электролитах могут быть эффективными ингибиторами электродных процессов и регуляторами роста кристаллов. В отдельных случаях вследствие очень резкого уменьшения среднего размера зерна или направленного роста кристаллов могут быть получены зеркально блестящие катодные отложения. При подборе добавок для электрокристаллизации металлов из комплексных электролитов в первую очередь нужно учитывать соотношение значения реального потенциала электродного процесса и потенциала нулевого заряда. Это соотношение определяет собой область адсорбции собственно комплексных ионов, участвующих в электродной реакции, и посторонних ПАВ. [c.400]

При описании картины образования и уплотнения адсорбционных слоев, пассивирующих поверхность катода, полагают, что первоначально образуются отдельные островки цепочки золя, которые экранируют наиболее активные участки катода, что, с одной стороны, мешает росту кристаллов, а с другой - приводит к повышению плотности тока на открытых местах. Поляризация при этом растет. По мере увеличения концентрации золя начинается его усиленная коагуляция. Образующаяся Неподвижная коллоидная пленка становится своеобразным регулятором роста кристаллов, так как требует дополнительной энергии активации для осуществления акта разряда. [c.79]

Очевидно, нужно поддерживать условия, цри которых скорость роста кристаллов значительно превышает скорость образования новых зародышей. Непрерывный процесс кристаллизации с получением крупных кристаллов проводят в вакуум-кристаллизаторах, в которых циркулирует пересыщенный хлоридом калия раствор. Под действием силы тяжести более крупные кристаллы оседают в нижней части аппарата, мелкие же продолжают циркулировать во взвешенном состоянии, пока не достигнут требуемых размеров, до 2—4 мм. Регулятором роста кристаллов служит правильный подбор скорости циркуляции. [c.171]

На степень поглощения аммиака из газа и на правильный рост кристаллов влияет кислотность ванны сатуратора, которая поддерживается постоянной автоматическим регулятором. [c.53]

Небольшое количество парафлоу препятствует излишнему росту кристаллов [100]. При обработке жидкого полировочного парафина несколькими процентами парафлоу предупреждается нежелательная кристаллизация компонентов полировочного состава [101]. Парафлоу применяется как регулятор кристаллизации при депарафинизации смазочных масел [102]. [c.846]

Известно много электролитов для свинцевания как кислых (борфтороводородные, кремнефтороводородные, перхлоратные, фенолсульфоновые, сульфамат-ные, ацетатные), так и щелочных (плюмбитные, пирофосфатные). В промышленности применяют в основном борфтороводородные и фенолсульфоновые электролиты. Осадки хорошего качества получаются только в присутствии органических добавок — регуляторов роста кристаллов (клей, желатин и др.). [c.158]

ГЛБ == 15,8 эмульсия, содержащая 1% рицинокса-80 и 5% о-ксилола. устойчива в течение суток с вазелиновым маслом образует неустойчивую эмульсию. ОП эмульгатор смачиватель диспергатор солюбилизатор регулятор роста кристаллов компонент присадок и смазок добавка к моющим и очищающим композиция-м компонент водноэмульсионных лаков для кожевенной пр-ти мягчитель в текстильной пр-тн антистатик компонент авиважных средств [c.307]

Однако установление указанного температурного перепада не только является регулятором скорости роста находящегося в пересыщенном растворе кристалла. Наиболее важная роль этого фактора заключается в том, что если в пределах объема кристаллизационной среды для части диаграммы растворимости с положительным значением ТКР область растворения шихты с температурой 7 и область роста кристаллов с температурой Т2 соединить в единую изохорическую систему так, чтобы при сохранении условия 72—7, область роста была расположена вертикально над областью растворения, то при этом возникает свободное конвективное движение среды, при котором массы среды с температурой 7 начинают всплывать вертикально вверх, а вышележащие массы с температурой Т2 устремляются вниз. В результате под действием архимедовой силы создается замкнутый контур свободной конвекции. Возникает конвективный массоперенос, обеспечивающий непрерывное поступление среды с концентрацией полезного компонента С, в область роста, где при температуре 7г создается постоянное пересыщение С, обеспечивающее кристаллы непрерывным притоком свежего питательного материала. Для сохранения постоянной величины конвективного массопереноса 3 Заказ М 1И 33 [c.33]

Широко применяют ПАВ в химической промышленности. Кроме производства собственно ПАВ источниками появления их в сточных водах могут быть технологические процессы, связанные с применением ПАВ для стабилизации суспензий и эмульсий, для денатурации различных белков, в качестве замедл ителей окисления, катализаторов процессов гидролиза, регуляторов размеров и скорости роста кристаллов, ускорителей электродных процессов в электролитических ваннах и батареях, для повышения эффективности экстракционных процессов и т. д. Кроме того, ни одно производство синтетических каз чуков и других полимеров не обходится без применения ПАВ. Таким образом, ПАВ используют почти во всех отраслях народного хозяйства. Сейчас трудно найти какую-либо отрасль промышленности, в которой так или иначе не применяли бы ПАВ. [c.36]

В интрузивах главным регулятором последовательности кристаллизации минералов является диффузионный контроль. Температура кристаллизации минералов имеет небольшое значение. Она только определяет начало кристаллизации — титаномагнетит + пироксен + оливин плагиоклаз. Но выделение главной массы минералов происходит одповремеппо и их идиоморфизм и количество зависит от скорости кристаллизации. А скорость кристаллизации регулируется диффузией. Как бы температура кристаллизации пе была высока, по если для роста кристалла пет соответствующей скорости диффузии, то образования этого кристалла не будет в больших количествах. [c.33]

С другой стороны, эффективное действие анионов может быть объяснено тем, что эти ионы в наибольшей степени, по сравнению с анионами С1 , Вг и Л , адсорбируются гидратами окиси и основными солями хрома и способны давать с трехвалентным хромом хорошо растворимые в воде хромовосерные сложные кислоты [22], диссоциирующие на ионы [ r, U,0) S0,),] -, [Сг2(Н,0)(30.2)5]= -, [Сг2(804)б] -. Образование таких соединений способствует растворению пленки и уносу коллоидных гидратов в направлении к аноду в область более низких pH. Учитывая благоприятное действие 80 , необходимо все же иметь в виду, что растворение вязкой пленки из труднорастворимых соединений хрома происходит неравномерно по поверхности катода. Равномерность распределения гидроокиси нарушается также бурным газовыделением, на основании чего можно высказать гипотезу о том, что коллоидные гидраты образуют кочующий передвижной слой, блокирующий отдельные участки поверхности, и таким образом играют роль регуляторов образования зародышей и роста кристаллов в сторону измельчения кристаллической структуры осадка. [c.58]

Питающая камера А и камера роста В образуют два плеча 11-образной трубки, которые погружены в бани термостатов соответственно О я Е температура в термостатах контролируется с точностью до 0,001° при помощи регуляторов Р иО. Трубка Н подогревается водой, имеющей температуру на несколько градусов выше, чем камера А, для предотвращения образования центров кристаллизации в этой части системы. Чтобы начать выращивание, оба термостата доводят до рабочей температуры (от 40° до 60°), а пары в камере В пересыщают небольшим понижением температуры в бане В (на величину от 0,1 до Г). Образование центров кристаллизации С осуществляют быстрым охлаждением части стенки с помощью небольшого сосуда с сухим льдом. В процессе выращивания кристаллов СВг4 через микроскоп была измерена скорость их роста, которая при разности температур в 1° оказалась равной величине порядка 1 мм час. [c.221]

Температуру поддерживают на заданном уровне при помощи различных нагревательных устройств с регуляторами. Обычно используют погруженный в раствор нагреватель сопротивления ножевого типа (а иногда также и электроплитку). В качестве вспомогательного периодически работающего нагревателя можно использовать инфракрасную лампу, сфокусированную на раствор. Датчиком температуры обычно служит ртутный терморегулятор, хотя используют и более совершенные датчики. Объем кристаллизатора зависит от размера выращиваемых кристаллов. Чтобы уменьшить влияние диффузии, обычно приходится медленно вращать кристаллодержатель, а чтобы не возникали завихрения, направление вращения меняют через каждые несколько секунд. Полное описание роста в кристаллизаторе Хольдена дается в работе Хольдена и Томсона [4]. [c.280]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология