Вероятность спонтанного излучения

ДЬ v)dv =hvp(v) З( Vl - V2)o2l( ) iv/8л/lvЗ, где a2l(v) iv — вероятность спонтанного излучения в интервале iJv. [c.97]

Излучательные переходы между энергетическими уровнями происходят с определенными вероятностями. Вероятность спонтанного излучения А (с ), в результате которого система переходит с верхнего энергетического уровня и на нижний /, связана с вероятностями вынужденного излучения Д / и поглощения Ви, соотношениями [c.332]

С вероятностью перехода связана одна из важнейших характеристик возбужденных состояний — их время жизни. Время жизни т обратно пропорционально вероятности спонтанного излучения [c.202]

Отрицательная ХПЯ соответствует инверсной заселенности верхнего зеемановского уровня. Избыток энергии отрицательно поляризованных ядерных спинов может освободиться в виде энергии электромагнитного излучения. Однако вероятность спонтанного излучения изолированного ядерного спина пренебрежимо мала, порядка 10-25 с-1 это соответствует времени излучательной релаксации 10 5 с. Ясно, что процессы безызлучательной релаксации происходят намного быстрее и поэтому исключают возможность [c.27]

В частном случае электрического дипольного перехода между состояниями yJM, y J M общая формула для вероятности спонтанного излучения (см. (30.41)) принимает вид [c.365]

Это дает для соответствующей вероятности спонтанного излучения [c.99]

Количество лучистой энергии, излучаемое атомами за I сек (интенсивность излучения), определяется числом излучающих атомов в 1 см и вероятностью спонтанного излучения. Для того чтобы атомы могли излучать эту энергию, их необходимо перевести из нормального (с наименьшей энергией) состояния в верхнее возбужденное состояние. Это достигается одним из указанных выше методов. [c.438]

Количество лучистой энергии, излучаемое атомами за одну секунду (интенсивность излучения), определяется числом излучающих атомов в 1 см и вероятностью спонтанного излучения. [c.452]

Если вспомнить, что постоянная затухания уо может быть приведена в соответствие с вероятностью спонтанного излучения Л,-(см. 3.4), то нетрудно прийти к выводу, согласно которому классическая формула (1.65) для ширины полосы полностью эквивалентна аналогичному квантовому соотношению (1.60) при условии, если нижнее состояние / является нормальным (Л - О). Иными словами, и в вопросе о естественном уширении спектральных линий и полос классическая и квантовая теории приводят к согласующимся результатам (см. также Приложение IV). [c.28]

Коэффициенты A i и i 2i> связанные между собой соотношением (2.7), могут быть выражены через величину электрического или магнитного момента перехода. Эта величина в классической электродинамике соответствует амплитуде изменения во времени электрического или магнитного момента системы. В зависимости от характера изменяющегося момента различают два вида переходов электрические дипольные и магнитные дипольные. У примесных ионов, использующихся в существующих лазерных средах, преобладают электрические дипольные переходы. В этом случае вероятность спонтанного излучения, согласно [61], записывается в виде [c.21]

Излучение энергии атомом. Количество лучистой энергии, соответствующее частоте V , излучаемое атомами за 1 сек (интенсивность излучения) при переходе между двумя энергетическими состояниями г и /г (рис. 4), определяется числом излучающих атомов Л/,- в 1 см и вероятностью спонтанного излучения /1( ,, в соответствии с зависимостью [c.24]

Зависимость интенсивности спектральных линий от концентрации атомов кривая роста. Атомы, находящиеся в состоянии к (рис. 4), под действием излучения частоты могут поглощать это излучение и переходить в верхнее состояние г. Этот процесс определяется вероятностью поглощения или силой осциллятора, которые связаны с вероятностью спонтанного излучения [c.25]

ЭТИХ атомов, Т — температура разряда, —потенциал возбуждения атома и Л —вероятность спонтанного излучения атома. [c.66]

Кроме этого упрощающего предположения, следует иметь в виду одно важное свойство плазмы, подчиняющейся требованиям столкновительно-излучательной модели. При увеличении квантового числа растет вероятность ударных процессов типа (IV. 1. 21), поскольку энергетические уровни сближаются. В то же время вероятность спонтанного излучения уменьшается. Следовательно, всегда найдется некоторый уровень р , для которого (и для всех вышележащих уровней) можно с любой наперед заданной точностью пренебречь влиянием на заселенность спонтанных излучательных процессов. Тогда заселенность этих уровней можно вычислять с помощью видоизмененного уравнения Саха [c.391]

При этом. 4/л выражает вероятность спонтанного излучения, которая для атомных газов равна коэффициенту излучения Эйнштейна, а для молекулярных газов должна, кроме того, учитывать и фактор Франка — Кондона л-/. , — частота тушащих столкновений возбужденных молекул к [c.24]

Излучат. К. п. могут быть спонтанными и вынужденными. Спонтанное излучение (нсп>скание) происходит независимо от внеш. воздействия на мол. систему. Вероятность спонтанного излучения, сопровождающегося испусканием квантов электрочагн, энергии и переходом мол. системы с п-го энергетич. уровня на /п-й, характеризуется коэф. Эйнштейна средним числом квантов, испускаемых системой за I с и отнесенных к числу молекул в системе. Вероятность поглощения и вынужденного испускания зависит от плотности электромагн. излучения и характеризуется коэф. Эйнштейна и В , равными соотв. числу квантов злеггромагн. поля, к-рое поглощается или вынужденно испускается системой в среднем в расчете на I молекулу за I с при единичной плотности излучения. Связь между коэф. В , В была получена А. Эйнштейном на основе термодинамич. рассмотрения и впоследствии строго обоснована в квантовой электродинамике. Она выражается соотношениями [c.368]

Интегрируя (94,14а) при tiQa = О по всем направлениям излучения,. получим полную вероятность спонтанного излучения в секунду с испусканием одного фотона [c.450]

По мере дальнейшего продвижения в коротковолновую область спектра становятся все более жесткими требования, предъявляемые как к активным молекулам, тт и к источникам накачки. Помимо высокого квантового выхода флуоресценции и достаточно интенсивного поглощения на длинах волн излучения накачки, молекула должна иметь сечение вынужденного испускания на разрешенном флуоресцентном переходе выше 0,5-10 см [106], а источник накачки из-за быстрого [пропорционально кубу частоты, см. формулу (1)] возрастания при таком продвижении вероятности спонтанного излучения должен обеспечивать все большую скорость накачки. Поэтому попытки [100, 106, 125] получить генерацию в диапазоне 340—300 нм е привели к успеху. Лишь недавно при накачке растворов фенилбензоксазола мощными лазерными импульсами очень короткой длительности (2,5 тс или 25 пс) удалось возбудить генерацию на двух длинах волн, 330 и 345 нм (одновременно) [126], что, однако, не меняет сложившейся ситуации. Следует заметить, что вблизи 300 нм флуоресцируют уже довольно сложные органические соединения. Простые соединения, например насыщенные углеводороды, флуоресцирующие с низким квантовым выходом в более коротковоотновой области спектра, непригодны для генерации излучения при оптической накачке [100, 106]. [c.191]

Инфракрасно-активные колебания могут дезактивироваться в результате спонтанного излучения, но скорость такого процесса обычно низка и не играет существенной роли (это, очевидно, не выполняется в инфракрасных дазерах). Особое положение среди других молекул занимает СО, имеющая инфракрасно-активное колебание высокой частоты (2144 см ). Вероятность спонтанного излучения зависит от третьей степени частоты колебаний, следовательно, излучательное время жизни уменьшается пропорционально третьей степени частоты и, конечно, не зависит от давления и температуры. Напротив, время жизни при столкновениях экспоненциально зависит от частоты колебаний. Среди полярных молекул, фигурирующих в табл. 4.2, СО имеет наибольшую частоту колебаний и наименьшее излучательное время жизни (3-10 мкс), которое в большинстве случаев превосходит времена колебательной релаксации других молекул. Излучательная дезактивация становится существенной только при низких температурах, когда незначительна скорость дезактивации при [c.247]

НзО (35 А), Аг (<2 2 А). Был также сделан вывод, что флуоресценции возбужденных радикалов предшествует или безызлучательная потеря энергии электронного возбуждения или передача вращательной энергии при соударениях [95]. При освещении газообразных продуктов горения над пламенами СаНа — О2 — Аг ([С2Н2]/[02] = 6/40 при 3 мм рт. ст. [С2Н2]/[Оа]/[Аг] = = 8/160/8 нри 1 ато и [С2Н2]/[02]/[Аг] = 5/16/120 при 1 ат) линией излучения В1 с длиной волны 3067 А у возбужденного радикала ОН ( 2 + ) возбуждаются вращательные уровни нижнего колебательного состояния [96]. Максимальная заселенность наблюдается для состояния Ра [11]. Радикалы, находящиеся на этом и других вращательных уровнях, заселенных при соударениях, способны флуоресцировать, теряя при этом энергию. Время релаксации определяется вероятностями спонтанного излучения и потери электронной и вращательной энергий при соударениях. [c.542]

Индексы 0 1 И 2 относятся к состояниям 1 5о, 2 5 о и 2Р1 атома гелия соответственно Пе<.ац,Уе — скорость элсктронного возбуждения уровня к с уровня г Л/ , — вероятность спонтанного излучения с учетом иленения Пп — число атомов в 1 см при р= мм рт. ст., ар — давление газа. [c.175]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология