Волновая функция синглетная

Здесь в определителях фр означает 1Рр(г)ск(ст), а фр — (/ р(г) (а). Таким образом, для волновой функции синглетного состояния имеем [c.68]

Действительно, непосредственной подстановкой легко убедиться в том, что нельзя представить волновую функцию синглетного состояния как произведение г/д и никаким выбором коэффициентов и Ь, , к = I, 2 [c.96]

Найдем результат действия этого оператора на волновую функцию синглетного состояния. Для этого надо учесть следующие свойства, присущие спинам 1/2, [c.97]

Отсюда следует, что действие оператора взаимодействия спинов с СВЧ полем на волновую функцию синглетного состояния дает нуль. Таким образом, матричные элементы перехода из синглета в любое состояние РП для взаимодействия спинов с переменным магнитным полем равны нулю, [c.97]

Введение в органическую молекулу катиона тяжелого или парамагнитного металла приводит к перемешиванию волновых функций синглетного и триплетного состояний и, следовательно, к снятию интеркомбинационного запрета. Этот эффект приводит к ослаблению флуоресценции и усилению фосфоресценции. При образовании комплексного соединения неорганического катиона с органическим лигандом возмущающее действие металла может быть настолько сильным, что фосфоресценция (причем очень интенсивная) наблюдается только в присутствии металла, в то время как в отсутствие металла фосфоресценцию зафиксировать не удается [18, 19]. [c.80]

Таким образом, волновая функция синглетного возбужденного состояния, возникающего при переходе / -> а, описывается двумя детерминантами то же можно сказать об одной из трех волновых функций триплетного состояния, а двум остальным функциям этого состояния соответствует по одному детерминанту [c.383]

Число, соответствующее мультиплетности, указывается слева сверху по отношению к символу волновой функции. Например, — волновая функция синглетного состояния, — волновая функция триплетного состояния. [c.32]

Далее необходимо определить волновые функции синглетного и триплетного состояний. [c.322]

Аналогичным образом записывают волновую функцию синглетного состояния [c.23]

Обобщая разложение (14.1.2), примем, что пробная волновая функция синглетного по спину состояния двухэлектронной си-темы дается формулой [c.418]

Эта функция показывает, что состояния двух спинов коррелированы. В этом состоянии с равной вероятностью представлены состояния дДв и убдсгв, в которых спины партнеров пары ориентированы в противоположные стороны. В синглетном состоянии пары никак не участвуют состояния двух спинов с одинаковыми проекциями ад в и / д/ в- Отметим очень важное свойство волновой функции синглетного состояния эту функцию нельзя представить в виде произведения волновых функций отдельных спинов [c.96]

У многоатомных молекул очень часто основным является синглетное состояние, когда 5 = 0 (такое положение может встретиться только при четном числе электронов). Если попытаться описать синглетное состояние однодетерминантной функцией, то оказывается, что это сделать можно при выполнении весьма простого условия каждая орбиталь должна входить в детерминант дважды один раз со спин-функцией а и один - со спин-функцией р. Если у молекулы есть к тому же определенная пространственная симметрия и орбитали преобразуются по неприводимым представлениям соответствующей точечной группы симметрии, то для вырожденных представлений (типа Е,Ри т.п.) в определитель должны входить все компоненты этого представления как с функцией а, так и с функцией р. В этих случаях говорят, что каждая орбиталь дважды (или двукратно) занята. Орбитали, преобразующиеся друг в друга при операциях симметрии и представляющие собой тем самым базис какого-либо неприводимого представления, образуют так называемую оболочку. Поэтому в однодетерми-нантном представлении волновой функции синглетного состояния все оболочки должны быть либо полностью заняты (другими словами, полностью заполнены), либо полностью вакантны. Частично заполненных оболочек быть не должно. В этих случаях говорят также, что имеются лишь замкнутые оболочки. При наличии частично заполненных оболочек говорят об открытых оболочках. [c.266]

I раллельны, является энергетически более устойчивой, чем система из двух изолированных атомов Н, и что для параллельной ориентации электронных спинов имеет место обратное. При сближении двух атомов И с антипараллельными спинами возникают силы иритяжения, а при их сближении с параллельными спинами — силы отталкивания. 1 ачественное различие в Характере сил, действующих между атомами Н в синглетном и в триплетном состояниях, можно понять из рассмотрения распределения пространственной плотности вероятности обнаружения электрона (сокращенно—.электронной плотности) в. этих состояниях. Волновая функция синглетного состояния соответствует повышению электронной плотности в области между ядрами но сравнению с суммой электронных плотностей двух независимых атомов Н. Такое повышение электронной плотности приводит к возникновению сил, стягивающих ядра (вплоть до равновесного расстояния В , при к-ром силы притяжения уравновешиваются силами отталкивания ядер). В трин-летном состоянии, наоборот, электроиная плотность [c.264]

Для того чтобы пояснить приведенные определения, рассмотрим два состояния конфигурации 1в25 атома гелия. Если обозначить обе эти (ортогональные) орбитали Л и 5, то приближенные волновые функции синглетного и триплетных состояний гелия будут иметь следующий вид [c.105]

Поскольку синглетная (S 0) спиновая волновая функция системы двух электронов антисимметрична, а триплетная (S I) симметрична относительно перестановки спиновых координат частиц, пространственная волновая функция синглетного состояния должна быть симметрична, а триплетного — антисимметрична относительно перестановки пространственных координат электронов. Далее, из помещенных в гл. 4 таблиц характеров неприводимых представлений групп oov, Dooh (табл. 4.1, 4.2) ясно, что волновая функция 2-состояния (М 0) при отражении в произвольной плоскости, содержащей ось молекулы, должна либо не изменять своего знака (2 -состояние), либо изменять его на обратный (S -состояние). Для проверки трансформационных свойств 21-состояния мы ради простоты воспользуемся здесь отражением в плоскости хг. [c.237]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология