Центры вблизи дислокаций

Растворение кристаллов начинается в точках выхода на их поверхность дислокаций, так как энергия деформации вблизи дислокаций достаточна для образования ямок травления и центров окисления. Локализованная энергия зависит от вида дислокации, [c.73]

Вследствие сильной локализации анодного процесса растворения металла вблизи включения образуются глубокие изъязвления, а иногда и сквозные отверстия на металле, называемые питтингами. Центрами питтингообразования могут служить также выходы дислокаций на поверхность металла, где возникает активная группа. Так как при кристаллизации металла из расплава примеси скапливаются по границам отдельных кристаллитов, то растворение металлов наиболее быстро протекает именно по этим границам. Такая межкристаллитная коррозия вызывает потерю механической прочности металла. [c.365]

Вследствие сильной локализации анодного процесса растворения металла вблизи включения образуются глубокие изъязвления, а иногда и сквозные отверстия на металле, называемые питтингами. Центрами питтингообразования могут служить также выходы дислокаций на поверхности металла, где возникает активная группа. [c.379]

В изучавшихся рентгенографически алмазах чаще всего наблюдались секториальные фигуры погасаний с лучами, более развитыми в сторону преимущественного роста кристалла, которые в течение полного поворота поляризатора четырежды погасают и просветляются (рис. 146). Этот тип погасаний ближе всего радиально-лучистым узорам двупреломления в алмазах с развитыми дислокациями роста, идущими к поверхности граней в виде пучков лучей. Вдоль направлений стыковки секторов роста граней и вблизи центра роста присутствуют узкие области интенсивного двулучепреломления, а в последнем случае наблюдается также крест радиальных изоклин, расходящийся при вращении поляризации в виде дуг различной кривизны (см. рис. 146, а, б). Интенсивное аномальное двупреломление в указанных зонах коррелирует с зафиксированной здесь же повышенной степенью раз-ориентировки волокон и часто наблюдается в отсутствие визуально фиксируемых механических включений. Характерной особенностью двулучепреломления в волокнистых алмазах является отчетливо видимая в переходной к затемнению области радиальная полосчатость изоклин (см. рис. 146, в), совпадающая по направлению с ориентацией ростовых волокон по секторам. Вместе с тем ни в одном из кристаллов не была зафиксирована зональная структура по октаэдру, для которой типичен узор двупреломления, параллельный граням (111). [c.401]

На сингулярных поверхностях, как правило, присутствуют холмики роста самых разных размеров, вплоть до различимых невооруженным глазом. Нередко удается наблюдать их спиральный характер (рис. 1-16). Заметим, что особенности роста на дислокациях таковы, что описываемый холмик может иметь спиральный характер только вблизи своего центра. [c.30]

Согласно данным [44], центры реакции возникают на глубине - 3 мкм в местах кристалла с повышенной плотностью дислокаций, а развитие процесса разложения сопровождается размножением дислокаций вблизи растущей зоны разложения. [c.172]

Центрами образования поверхностных зародышей могут служить дислокации. Так, Фрэнк [36] предположил, что рост кристалла может происходить на выступе винтовой дислокации (см. разд. У-4В), и в этом случае поверхность развивается по спирали. Хотя явлениям кристаллизации посвящено довольно большое число работ, полной ясности в вопросе, какой именно механизм роста кристаллов играет доминирующую роль, не достигнуто. Бакли [37] отмечает, что картины спирального роста не так уж часты и, более того, спиральный рост наблюдается на вполне развитых и, следовательно, медленно растущих поверхностях. Интерферометрические данные по концентрационным градиентам вокруг растущего кристалла [38, 39] показывают, что в зависимости от кристалла максимальный градиент может наблюдаться как в центре грани, так и вблизи ребер. Со временем картина интерференционных полос может значительно меняться без какой-либо видимой связи с локальными скоростями роста. Ясно, что, рассматривая рост кристаллов, необходимо учитывать возможность миграции частиц от точки осаждения на поверхности к месту ее окончательной локализации. Тем не менее механизм Фрэнка признается многими исследователями, и в отдельных случаях действительно можно наблюдать медленный поворот спирали, образующейся на поверхности кристалла в процессе его роста [40]. [c.305]

Для удобства мы можем разделить образующиеся кристаллы на три группы а) мономолекулярные пластинки (рис. 10а и 10в), б) многослойные пластинки с террасами, имеющие винтовые дислокации, которые располагаются вблизи их центров (рис. 106), в) более сложные многослойные кристаллы с рассеянными дислокациями и другими дефектами. Из них кристаллы типа а и б, образованные относительно малым количеством слоев, дают сведения, которые интерпретировать легче, чем в других случаях, поэтому именно при их изучении получена большая часть данных об отдельных кристаллах полимеров. Из главных форм, найденных у таких полиэтиленовых кристаллов, можно отметить следующие. [c.435]

Ряд особенностей поведения дефектов существенно зависит от атомной структуры их ядер. Под последними обычно понимают для линейных дефектов - дислокаций-область вблизи геометрического центра, в которой становится неприменима континуальная теория. В этой области выражения для полей напряжений и упругой энергии дислокации (соответственно а цЬ г и и fxb 1п (R/гц), где г — расстояние от центра дислокации, R и Го - внешний и внутренний радиусы обрезания), получаемые континуальной теорией, расходятся при г - О, г о 0. [c.36]

Противоречие устраняется, если учесть [17, 18] такие дефекты кристалла, которые обеспечивают непрерывное возобновление атомных ступенек и искажений идеальной структуры. К ним принадлежат, например, так называемые винтовые дислокации, показанные на рис. 116. Здесь рост кристалла происходит путем простого присоединения атомов к ступеньке ВС. При этом последняя поворачивается вокруг точки В. Полный оборот вблизи этой точки требует осаждения меньшего числа частиц, чем вдали от нее. Поэтому центр дислокации вращается быстрее, чем наружная часть, и ступенька закручивается в спираль роста (см. рис. 117). [c.390]

С другой стороны, Рафф [96] сообщил, что между числом ямок травления и результатом электронномикроскопического анализа не существует соотношения 1 1. Сьюте и Лоу [97] показали, что для развития ямок травления на выходах дислокаций в сплаве Ре-3% 51 необходимо старение последнего при умеренно высоких температурах. По данным Вийона и Лакомба [98] для развития ямок травления на всех выходах дислокаций в алюминии необходимы малые добавки железа и соответствующая термообработка последнего. Пикеринг [99] продолжил исследование образования ямок травления в сплаве Ре-3% 51 и нашел, что для обеспечения соотнощения 1 1 между числом ямок травления и выходом дислокации (рис. 24) концентрация растворенного в сплаве углерода должна так относиться к плотности дислокаций, чтобы в результате старения происходила достаточно интенсивная сегрегация углерода вблизи дислокаций. Однако содержание углерода не должно быть настолько высоким, чтобы кластеры атомов углерода, которые образуются во время старения, функционировали в качестве центров образования ямок травления, не связанных с дислокациями. В заключение отметим, что каждое новое применение [c.139]

Как в области ядра дислокации, так и вблизи точечных дефектов вещество обладает повышенной химической активностью. Поэтому плавление, окисление, растворение всегда начинается у дефектов и идет более интенсивно около них. На этом основан наиболее доступный способ выявления дефектов травлением, т. е. при медленном растворении кристалла [Пшеничнов Ю. П., 1974 Хейман Р. Б., 1979]. По форме возникающих при этом ямок травления, как правило, можно судить о породивших их дефектах. На выходах дислокаций всех типов возникают ямки с острым дном , т. е. пирамидальные, углубляющиеся по мере растворения кристалла и появляющиеся на прежних местах после полировки и повторных протравливаний поверхности. Смещение вершины пирамиды по мере травления относительно центра такой ямки указывает на отклонение оси дислокации от нормали к поверхности грани. В местах скопления точечных дефектов обычно образуются ямки в форме усеченной пирамиды. Эти ямки существуют кратковременно и быстро исчезают в процессе растворения. [c.7]

Значительных успехов мы достигли в изучении дефектов рещетки и их влияния на химические процессы. Здесь мы приведем только основные результаты. Большинство естественных монокристаллов содержит небольшое количество винтообразных дислокаций очень больших (> 1000А) векторов Бюргерса. Их можно обнаружить с помощью травления смесью СЬ и Ог. Величина вектора Бюргерса измеряется посредством раскалывания кристалла и измерения высоты прерываемой ступеньки, которая берет начало в этой дислокации (фиг. 5). Дислокации не являются непрерывными, а начинаются и кончаются внутри данного кристалла. Плотность крупных винтовых дислокаций, по-видимому, возрастает вблизи поверхности кристалла менее чем в десять раз и то лишь изредка, и ни одна из них не была обнаружена в центре кристалла. Микроскопические спиральные метки [7] (фиг. 6), обнаруженные на кристаллах только из избранных мест происхождения, всегда собираются в точку, откуда появляются одна или большее число таких винтовых дислокаций. Механическая деформация или сцарапывание острым инструментом никогда не создает дислокаций или других дефектов решетки, которые могли бы обнаруживаться травлением. [c.346]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология