Лущик

Из других методов, аналогичных методу термического высвечивания, следует отметить разработанный Ч. Б. Лущиком [158, 173, 174] оригинальный метод термического обесцвечивания. Этот метод основан на измерении зависимости коэффициента поглощения в максимуме полосы поглощения центров захвата от температуры при равномерном нагреве возбужденного кристалла. Ч. Б. Лущиком дана теория метода термического обесцвечивания как для уровней захвата одной глубины, так и для уровней захвата нескольких сортов, значительно различающихся по глубине. [c.75]

Ч. Б. Лущик [170] ввел в рассмотрение для характеристики метода кривых термического высвечивания такие понятия как дисперсия, разрешающая способность и светосила. [c.80]

В работе Ч. Б. Лущика систематизированы и указаны критерии, позволяющие судить о соотношении вероятностей повторного захвата и рекомбинации. [c.82]

Применение всех приведенных критериев к активированным щелочно-галоидным кристаллам свидетельствует, по данным Ч. Б. Лущика, что для этого класса кристаллофосфоров вероятность повторных захватов мала по сравнению с вероятностью рекомбинации. [c.82]

Ч. Б. Лущик предлагает два метода, которые по его мнению свободны от указанного недостатка. [c.86]

В случае нелюминесцирующих кристаллов энергия тепловой ионизации центров захвата может быть определена методом термического обесцвечивания, разработанным Ч. Б. Лущиком [1851. Метод заключается в измерении зависимости коэффициента поглощения центров захвата определенного типа от температуры кристалла при равномерном нагреве. Обычно кривая термического обесцвечивания обладает в некоторой узкой области температур резким спадом, который обусловлен уменьшением концентрации центров захвата п вследствие их термической диссоциации. [c.89]

Сравнивая вычисленные С. И. Пекаром значения энергии термической ионизации центров окраски для щелочно-галоидных кристаллов с данными, полученными методом кривых термического высвечивания, Ч. Б. Лущик [158] полагает, что теоретические расчеты С. И. Пекара плохо согласуются с данными опыта. Однако, [c.122]

Отсутствие высокотемпературных пиков в кривых термического высвечивания активированных щелочно-галоидных кристаллов нельзя объяснить каким-либо температурным тушением Ч. Б. Лущик показал [158], что введение в кристалл активатора повышает температуру тушения, а не понижает ее. [c.222]

Лущик Ч. Б. Труды института физики и астрономии АН Эст. ССР, [c.266]

Работы в области люминофоров координируются Научным советом по проблеме Люминесценция и развитие ее применения в народном хозяйстве (М. Д. Галанин, А. М. Гурвич, Ч. Б. Лущик, С. А. Фридман). [c.328]

Нестационарная теплопроводисть плоского дисперсного слоя. Антонишин Н. В., Спмченко Л. Е., Лущиков В. В. Исследование ироцессов переноса в аппаратах с дисперсны.мн системами , 1969 г., 3—7. [c.183]

Из последующих работ, посвященных теории метода кривых термического высвечивания [158, 161—172], следует отметить работы Ч. Б. Лущика [158, 170], в которых дается обобщение теории на случай произвольного соотношения между вероятностями повторного захвата и рекомбинации и работы И. А. Парфиановича [169, 171], в которых дан анализ некоторых методов вычисления энергии локализации электронов. [c.75]

К сказанному следует еще добавить, что выражение (31. 3) справедливо только для простейшего случая, когда можно пренеб- )ечь процессом повторного захвата электронов. Как показал Ч. Б.. Лущик [158], в общем случае коэффициент Л является функцией МНОГИХ величин. Так, для наиболее глубоких уровней захвата при бимолекулярном механизме кинетики можно получить следующее выражение для А [c.84]

Этот принципиальный недостаток определения е по методу Рэндалла и Уилкинса еще раньше, чем в 1172], был отмечен Ч. Б. Лущиком [170]. Так как центр захвата характеризуется двумя независимыми постоянными е и р , то для их определения следует, естественно, привлечь не менее двух параметров кривой термовысвечивания и не ограничиваться единственным параметром [c.85]

Итак, оба пика кривых термического высвечивания рентге-низованных щелочно-галоидных кристаллов в интервале температур 300—500°К обусловлены F- и М-центрами. Такие выводы о природе центров захвата, ответственных за оба пика термовысвечивания во втором интервале температур, были сделаны автором в работах [122, 126]. Впоследствии к аналогичным выводам о природе этих пиков в активированных кристаллах щелочно-галоидных соединений пришли также И. А. Парфианович [212] и Ч. Б. Лущик [1581. [c.119]

NaBr) 0,87, 0,68 (КВг). Отметим, что полученные нами численные значения энергии активации находятся в хорошем согласии с аналогичными величинами, полученными также методом термического высвечивания И. А. Парфиановичем [212] и Ч. Б. Лущиком [1581 для активированных щелочно-галоидных кристаллофосфоров, но они ниже величин энергии тепловой диссоциации F-центров, которые получены Смакулой [2131 из измерений подвижностей электронов в неактивированных аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллах. Из сравнения полученных величин с данными таблиц 2 и 24 видно, что они более чем в два раза меньше соответствующих значений энергии оптической ионизации F- и М-центров. Де-Бур и Гиль [214] впервые указали на то, что энергия термической активации должна быть всегда меньше энергии оптической активации. [c.121]

Н. Е. Лущик и Ч. Б. Лущик [266] исследовали спектральные закономерности в ще.аочно-галоидных фосфорах, активированных гомологическим рядом активирующих примесей и произвели их сопоставление с закономерностями электронных переходов в свободных ионах этих примесей. Авторы пришли к выводу, что основная идея, положенная в основу предложенной Зейтцом модели центра свечения о соответствии электронно-колебательных переходов в центрах свечения электронным переходам в свободных ионах активатора находится в согласии с экспериментальными данными. Авторы подчеркивают, что аналогия со свободными ионами позволяет не только объяснить ряд уже известных экспериментальных фактов, но и предсказать ряд новых свойств некоторых фосфоров, а также произвести оценку люминесцентных характеристик ранее никогда не изготовлявшихся фосфоров, и иллюстрируют эти наложения рядом примеров. [c.158]

В дальнейшем исследованием влияния рентгеновых лучей на шелочно-галоидные фосфоры, активированные свинцом, занимались Шульман [266], Бурштейн [312], Лущик [302] и автор [313]. [c.204]

По данным Ч. Б. Лущика и И. В. Волина [318], исследовавших спектры стимуляции оптической вспышки ряда рентгенизованных щелочно-галоидных фосфоров, основной является F-полоса, Обнаруживаются также и более длинноволновые М-, N- и 0-полосы стимуляции оптической вспышки, но они в несколько десятков раз слабее, чем F-полоса. Таким образом, тепловые микродефекты, существующие в неактивированных щелочно-галоидных кристаллах проявляются также и в активированных кристаллах в качестве электронных центров захвата. [c.210]

Идея о рекомбинационном характере послесвечения щелочно-галоидных кристаллофосфоров была высказана С. И. Вавиловым еще в 1933 году [328]. В дальнейшем эти представления были существенно развиты в исследованиях В. В. Антонова-Романовского [317, 329, 330]. Принципиально важные экспериментальные данные, подтверждающие предположение о рекомбинационном характере послесвечения щелочно-галоидных кристаллофосфоров, были получены также в работах И. А.Парфиановича [305,] Ч. Б. Лущика [173, 318] и автора [246]. [c.237]

В спектре поглощения К1 — 5п наблюдается [255 ] кроме того еще одна полоса с максимумом около 255т[х, которую Н. Е. Лущик и Ч. Б. Лущик [266] приписывают переходу электрона на более высокий уровень возбуждения Ьр Ри Однако, полученные нами данные показывают, что общий вид спектра поглощения К1—5п и особенно коротковолновая полоса при 255 тц сильно зависят от концентрации активатора, условий выращивания и от последующей термической обработки фосфора. [c.254]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология