Активированный кристалл

Плотность активированного кристалла, г/см . . . 1, 55 Насыпная масса, г/см [c.214]

Плотность гидратированного кристалла равна 2,00 г/см , активированного кристалла 1,55 г/см , насыпная плотность кристалла 0,525 г/см . Удельная теплоемкость Ср гранул изменяется в зависимости от температуры [c.120]

Рис. 8. Схема образования энергетических уровней в механически активированном кристалле Ео -энергия основного состояния Еех - энергия, не- 0 обходимая для перевода кристалла в возбужденное состояние Е1ь - энергия порога Еас - энергия, накопленная кристаллом кТх — соответствует точке начала, кТг - точке завершения термоэффекта на кривой ДТА

Применявшиеся нами для исследования монокристаллы иа очищенных солей щелочно-галоидных соединений выращивались из расплава по методу Киропулоса. Во многих случаях эта методика применялась и для выращивания щелочно-галоидных фосфоров, активированных различными примесями. Однако в тех случаях, когда температура кипения активирующего соединения значительно ниже температуры кипения основания, получение активированных кристаллов методом Киропулоса весьма затруднительно или даже совершенно невозможно, так как активирующая примесь быстро улетучивается. [c.47]

Романовского [317] устойчивость фотохимической окраски в таллиевых фосфорах действительно значительно меньше, чем в чистых кристаллах, и активированный кристалл обесцвечивается сравнительно быстро по сравнению с чистым. [c.210]

СВОЙСТВА АКТИВИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ [c.449]

Повышенную реакционную способность механически активированных кристаллов можно объяснить понижением энергии активации вследствие разрыхления связей в твердой фазе. Таким образом, уменьшается различие энергетических уровней исходного вещества и конечного продукта (см. рис. 6.7). По формуле (6.30а) вероятность реакции равна [c.455]

Ртутные источники света можно использовать лишь в отдельных случаях, поскольку многие трехзарядные ионы редкоземельных элементов поглошают излучение ламп типа Торонто , что может приводить к возбуждению флюоресценции. Реально этот тип возбуждения использовался для большинства ионов редкоземельных элементов при облучении активированных кристаллов ультрафиолетовым излучением ртутной лампы. [c.132]

Активированные кристаллы галогенидов щелочных металлов [c.551]

К резонансным модам примеси Ag+ [172]. В более ранней работе по теплопроводности этого активированного кристалла постулировалось существование резонансной моды Eg с частотой 90 см . [c.553]

Плотность активированного кристалла, г см ............1,55 [c.14]

Особенностью и достоинством настоящей монографии является и то, что в ней впервые систематически изложены методы и некоторые основные результаты спектроскопии стимулированного излучения активированных кристаллов. Автор книги — известный специалист в этой области. Совместно с другими советскими исследователями и самостоятельно он выполнил ряд пионерских работ в этой области, начало развитию которой в нашей стране было положено выдающимися работами академиков Н. Г. Басова и А. М. Прохорова. Нелишне здесь отметить, что А. А. Каминским был открыт и детально исследован эффект стимулированного излучения более чем у трети из известных лазерных диэлектрических кристаллов. [c.6]

Нужно полагать, что монография будет полезна и интересна не только специалистам в области квантовой электроники, спектроскопии активированных кристаллов и кристаллографии, но и тем, кто работает в ряде смен<-ных областей физики твердого тела. [c.6]

Автор с благодарностью отмечает, что первым, кто обратил его внимание на важность спектроскопии лазерного излучения активированных кристаллов, и тем определившим его научную судьбу, был академик А. М. Прохоров. С тех нор в течение вот уже почти пятнадцать лет автор работает в этой области. Он надеется, что написанная книга послужит ему своеобразным отчетом. [c.8]

Если в первые годы развития квантовой электроники спектроскопические исследования активированных кристаллов выявляли возможности их использования в оптических квантовых генераторах, то, в свою очередь, накопленный опыт по изучению параметров стимулированного излучения позволил в последующие годы во многих случаях глубже и шире анализировать характеристики этих веществ и раскрыть их новые свойства в комплексе с такими традиционными спектроскопическими методами, как [c.12]

Прежде чем переходить к рассмотрению других применений ОКГ с КАС при спектроскопических исследованиях активированных кристаллов, укажем, что энергетические свойства этого типа квантовых генераторов (см. рис. 3.25) будут описаны ниже. [c.56]

Значения приведены для активированных кристаллов. [c.190]

Разумеется, реакции (I) и (II) неразрывно связаны друг с другом в едином процессе фотолиза А Вг. В то время как чистый бромид серебра чувствителен к сравнительно коротковолновому свету, сенсибилизированный красителем, он разлагается под действием даже инфракрасного излучения. В этом отношении адсорбция красителя АдВг напоминает активирование кристаллов примесями при получении на их основе фосфоров. [c.131]

В силу их недостаточной прочности к воздействию света они не применяются в промышленности для крашения тканей, однако обладают редкой для органических соединений способностью поглощать свет в видимой и инфракрасной областях и трансформировать энергию в фотографической эмульсии в виде латентного изображения в активированных кристаллах галогенидов серебра. Таким образом, нормальная светочувствительность бромсеребря-пой эмульсии к ультрафиолетовой и синей областям спектра (Я 350—530 нм) может быть распространена на зеленую, красную и ближнюю инфракрасную области (вплоть до Я 900—1000 нм). С помощью комбинации различных красителей этого типа сенсибилизация может быть сбалансирована по всему видимому спектру, в результате чего получается панхроматическая эмульсия. Цианиновые красители с разным диапазоном сенсибилизации применяются и для производства различных специальных технических пленок и бумаг. [c.250]

Итак, оба пика кривых термического высвечивания рентге-низованных щелочно-галоидных кристаллов в интервале температур 300—500°К обусловлены F- и М-центрами. Такие выводы о природе центров захвата, ответственных за оба пика термовысвечивания во втором интервале температур, были сделаны автором в работах [122, 126]. Впоследствии к аналогичным выводам о природе этих пиков в активированных кристаллах щелочно-галоидных соединений пришли также И. А. Парфианович [212] и Ч. Б. Лущик [1581. [c.119]

По данным Ч. Б. Лущика и И. В. Волина [318], исследовавших спектры стимуляции оптической вспышки ряда рентгенизованных щелочно-галоидных фосфоров, основной является F-полоса, Обнаруживаются также и более длинноволновые М-, N- и 0-полосы стимуляции оптической вспышки, но они в несколько десятков раз слабее, чем F-полоса. Таким образом, тепловые микродефекты, существующие в неактивированных щелочно-галоидных кристаллах проявляются также и в активированных кристаллах в качестве электронных центров захвата. [c.210]

В случае роста кристаллов из однокомпонентных систем важно знать ответы на первый и третий вопросы (если нужно вырастить активированные кристаллы). Чтобы шел тот или иной процесс кристаллизации, обычйо необходимо, чтобы выращиваемый кристалл был термодинамически стабильной твердой фазой при давлении и температуре кристаллизации. Встречаются случаи, когда твердая фаза образуется или кристалл вырастает и в метастабильных условиях. В таких условиях термодинамика равновесных процессов не имеет силы, но мы оставим такие процессы за рамками нашего рассмотрения. [c.55]

Наша и методически сходная с ней работа по изучению электролитической миграции ионов свинца и таллия в хлориде калия [И] могут вызвать критические замечания. Возможно ли делать заключение о характере и направленности дрейфа примесных ионов в электрическом поле, если неизвестно, сохраняются ли начальные границы между кристаллами Необходимо быть уверенным, что на плоскостях соприкосновения активированного кристалла II с вспомогательными (защитными) кристаллами I и III не происходит деструкции кристаллической решетки КС1 или врастания в нее новых кристаллических плоскостей. Действительно, наблюдавшееся перемещение начальной границы раздела в некоторых из описанных в предыдущей главе опытах по электромиграции Са + в кристаллах Na l делает такое замечание уместным. [c.147]

Переформулировка метода ФГ на базисе ЛКАО, осуществленная в работах Н. Н. Кристофеля с сотр. [3], позволила придать физически ясный смысл параметрам теории и провести численные расчеты для реальных, а не модельных объектов — центров КС Т , КС1 Ей. На основе этих расчетов удалось не только оценить положение локальных уровней относительно зон совершенного кристалла, но и проанализировать ряд физических явлений, связанных с ЛЦ, в частности рекомбинационные процессы в активированных кристаллах. В методе ФГ, в принципе, можно решить все 5 поставленных выше задач, хотя довольно сложным оказывается расчет волновых функций и распределения электронной плотности. Релаксация решетки вокруг ЛЦ в рамках метода ФГ до сих пор не рассмотрена. [c.257]

Несмотря на то, что со времени создания первого оптического квантового генератора (ОКГ) прошло всего пятнадцать лет, во всех областях физики лазеров достигнуты значительные успехи. Этому прогрессу способствовали в первую очередь и сам интерес к многочисленным захватывающим проблемам квантовой электроники, и открывающиеся широкие перспективы использования ОКГ в науке и технике. Стимулирующим фактором также являлась и незримая подхлестывающая дискуссия о сравнительной перспективности тех или иных типов квантовых генераторов. На определенных этапах развития квантовой электроники предпочтение оказывалось генераторам на основе то полупроводников, то активированных кристаллов, то стекол или неорганических жидкостей. Успехи в создании мощных газовых ОКГ, а также перестраиваемых по частоте параметрических лазеров и генераторов на основе органических красителей, по-видилюму, еще долго будут находиться в центре внимания специалистов. [c.7]

В наибольшей степени активированные кристаллы раскрыли свои свойства после того, как Джонсон и Нассау вскоре создали ОКГ на основе aWOi — Nd +, излучающий при комнатной температ/ре в области 1 мкм с чрезвычайно низким порогом возбуждения [17]. Последнее обусловливалось тем, что конечный для индуцированного перехода уровень иона Nd + расположен примерно на 2000 над основным и при рабочей темпера- [c.9]

Методы спектроскопии стимулированного излучения, базирующиеся на использовании принципов, заложенных в работе ОКГ перечисленных выше типов, помогают решать одну из основных задач квантовой электроники, а именно — расширение списка частот, на которых по.тучена генерация и освоение новых спектральных диапазонов. Высокотемпературные методы спектроскопии стимулированного излучения [23, 32] позволяют анализировать поведение индуцированных переходов в широком интервале температур, что особенно важно для исследования электрон-фопонного взаимодействия в активированных кристаллах. Первые обнадеживающие исследования в этом плане уже проведены с кристаллами ЬаГд и зА15012, активированными ионами N(1 + [37, 38]. [c.13]

В спектрах люминесценции активированных кристаллов максимальную интенсивность свечения имеет обычно одна группа линий, связанная с переходами между штарковскими компонентами одной пары мультиплетов. Напрпмер, для иона это переходы а для иона Но — переходы /7 —На этих переходах (назовем их условно основными) в обычных условиях, т. е. с использованием широкополосных зеркал оптического резонатора и широкополосной накачки, и возбуждается стимулированное излучение. Для большинства известных. лазерных активаторных ионов основные переходы связаны с самыми нижними метастабильными состояниями в их энергетическом с пектре. Для получения генерации па частотах других линий, обусловленн.лх переходами, которые связаны с высоко расположенными метастабильными состояниями или с другими парами мультиплетов (такие переходы в дальнейшем будем называть дополнительными) и которые обычно имеют меньшие поперечные сечения, необходимо искусственно формировать конту]) усиления системы такилг образом, чтобы оно было максимальным па частоте возбуждаемых линий. [c.30]

В предыдущих разделах были рассмотрены рабочие схемы ОКГ на основе неорганических кристаллов, стимулированное излучение которых обусловливалось электронными переходадги между штарковскими уровнями примесных ионов. Дополнительные возмончности активированных кристаллов [c.33]

К детальному теоретическому анализу явления передачи энергии возбуждения в активированных кристаллах впервые приступил, по-видимому, /(екстер [56]. Им был выявлен ряд общих закономерностей. В частности, он показал, что передача энергии от донора к акцептору особенно эффективна при наличии спектрального резонанса между спектром из-яучения доиор-попов п спектром поглощения акцепторов. Степень перекрытия их спектров описывается параметром, который принято называть интегралом перещштия [c.40]

Заканчивая этот раздел, отметим, что схемы возбунчдения люминесценции активированных кристаллов посредством кумулятивных процессов могут оказаться весьма эффективными и для создания ОКГ, генерирующих в УФ-участке спектра. Особенно здесь заманчиво использование мопщого ИК-из-лучепия полупроводниковых ОКГ. [c.48]

Если ранее спектроскопические исследования примесных кристаллических веществ выявили возможности их использования в оптических квантовых генераторах, то, в свою очередь, накопленный опыт по изучению параметров их генерации вылился в новое спектроскопическое направление — спектроскопию стимулированного излучения активированных кристаллов. В комплексе с такилш традиционными методами, как люминесцентный и абсорбционный анализы, это новое спектроскопическое направление в настоящее время широко применяется и для исследования природы разнообразных явлений, протекающих в возбужденных активных средах, и вносит существенную помощь в решение такой важнейшей проблемы, как поиск новых более эффективных генерирующих соединений. Приведенные в книге данные со всей очевидностью свидетельствуют, что спектроскопия стимулированного излучения внесла значительный вклад в раскрытие новых генерационных возможностей и у известных лазерных кристаллов. Удельный вес этого вклада на различных этапах почти 15-летнего развития физики кристаллических ОКГ представлен на рис. 8.1. [c.230]

Сведения о ежегодном количестве синтезироваппых диэлектрических активированных кристаллов, у которых был открыт эффект генерации за период с 1960 по 1973 г., моншо получить из рис. 8.1, а. При составлении диаграммы рис. 8.1, б учитывалось открытие эффекта генерации на каждом отдельном индуцированном переходе, связывающем определенную пару мультиплетов примесного иона в одной активной среде. Представленная на ней информация в большей степени характеризует достижения [c.230]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология