Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Термического высвечивания кривы

    КРИВЫЕ ТЕРМИЧЕСКОГО ВЫСВЕЧИВАНИЯ [c.23]

Рис. 1.21. Кривые термического высвечивания. Рис. 1.21. Кривые термического высвечивания.

    В 10, II и 12 третьей главы дан краткий обзор истории и теории метода кривых термического высвечивания, рассмотрены различные способы определения энергии тепловой ионизации центров захвата при помощи метода термического высвечивания. [c.6]

    МЕТОДОМ КРИВЫХ ТЕРМИЧЕСКОГО ВЫСВЕЧИВАНИЯ [c.72]

    После того как выяснились столь широкие возможности метода кривых термического высвечивания в изучении фундаментальных проблем в области люминесценции кристаллофосфоров, этот метод получил за последние 10—15 лет самое широкое применение и является в настоящее время одним из основных методов исследования локальных уровней захвата в кристаллофосфорах. [c.72]

    Однако, подобный вывод не был сделан также и Урбахом в 1930 году [153], несмотря на то, что его опыты наиболее близки к методу термического высвечивания в его современном виде. Им впервые были получены кривые термического высвечивания при нагревании фосфоров, возбужденных при комнатной температуре жестким излучением, но полученные результаты не получили какой-либо принципиально новой интерпретации. [c.73]

    В его современном виде метод кривых термического высвечивания, как метод исследования спектра локальных уровней захвата, был применен впервые автором, что неоднократно отмечалось в советской научной печати (см., напр., (156—158, 181]). Работа была выполнена в Институте физики Одесского госуниверситета и была доложена на коллоквиуме института в мае 1941 года, но так как все материалы оставались в Одессе во время ее оккупации фашистскими войсками, то автор смог ими воспользоваться лишь после войны (см. [74] и примеч. на стр. 502). В упомянутой работе автор также впервые указал на возможность применения метода кривых термического высвечивания к исследованию не только электронных уровней, но и спектра дырочных уровней захвата. [c.74]

    Теория метода кривых термического высвечивания была затем существенно развита В. В. Антоновым-Романовским в 1946 году [56]. В отличие от [159, 160], в работе В. В. Антонова-Ро-мановского форма кривых термического высвечивания объясняется, исходя из простой бимолекулярной реакции, и учитывается возможность повторной локализации электронов на уровнях захвата. Кроме того, им было предложено несколько новых методов вычисления энергии локализации электронов на уровнях захвата. [c.75]

    Метод кривых термического высвечивания имеет не только теоретическое значение как метод исследования локальных уровней захвата в кристаллофосфорах. Он уже находит также важное практическое применение как новый метод термолюминесцентного анализа в геолого-поисковой работе [179]. [c.75]


    Нельзя также согласиться с утверждением Прингсгейма см. 1150] стр. 437) о том, что Урбахом впервые придуман простой метод определения энергии, необходимой для освобождения электронов с локальных уровней. Получив кривые термического высвечивания, Урбах подобной и вообще никакой интерпретации им не давал. Более того, в течение 15 лет, прошедших с момента опубликования работы Урбаха, ни он сам, ни другие зарубежные исследователи не воспользовались термическим высвечиванием как методом исследования электронных локальных уровней. [c.76]

    Теория метода кривых термического высвечивания, предложенная Рэндаллом и Уилкинсом (159, 160), основана на предложении, что повторные захваты электронов на акцепторных уровнях совершенно отсутствуют. При этом они считают, что в щелочно-галоидных фосфорах возбужденные электроны находятся на метастабильных уровнях самих центров свечения и только в фосфорах типа цинксульфидных акцепторные уровни пространственно отделены от центров свечения. [c.76]

    Такое уравнение получается для кривой термического высвечивания в предположении, что имеются уровни захвата только одной глубины и при условии, что можно пренебречь процессами повторного захвата электронов центрами захвата. [c.77]

    Во всех случаях площади под кривыми термического высвечивания должны быть пропорциональны числу электронов п , на- [c.77]

    В. В. Антонов-Романовский 1156] впервые показал, что форма кривых термического высвечивания может быть объяснена на основе простой бимолекулярной реакции, согласно которой в отличие от (1.3) [c.79]

    Вычисленные по формуле (16.-3) теоретические кривые термического высвечивания хорошо совпадают с экспериментальными кривыми. Кроме того, в отличие от соотношения (6.3), согласно которому форма кривой не должна меняться с изменением начальной концентрации электронов на уровнях захвата, из формулы [c.80]

    Ч. Б. Лущик [170] ввел в рассмотрение для характеристики метода кривых термического высвечивания такие понятия как дисперсия, разрешающая способность и светосила. [c.80]

    Метод кривых термического высвечивания позволяет при помощи сравнительно простых средств изучать самые разнообразные явления, связанные с локализацией электронов на уровнях захвата. Кривые термического высвечивания, измеренные в широком температурном интервале, сразу же дают наглядное представление о полном спектре уровней захвата кристаллофосфора, о распределении электронов по этим уровням и о влиянии различных факторов как на это распределение, так и на спектр локальных уровней в целом. [c.83]

    В. В. Антонов-Романовский [156] показал для случая кривой термического высвечивания с одним пиком, что энергия тепловой ионизации может быть определена тремя независимыми способами. [c.87]

    Первый способ основан на применении соотношения вида (11. 3). Пользуясь этим соотношением и измерив / и п по кривым термического высвечивания, можно определить численное значение р для разных температур. Если затем изобразить графически зависимость между 1пр и Т , то можно по наклону прямой [c.87]

    Третий способ, предложенный В. В. Антоновым-Романовским, основан на анализе нисходящей ветви кривой термического высвечивания и применим для поздних стадий нагревания в случае, если кривая термического высвечивания состоит только из одного пика. [c.88]

    Кривые термического высвечивания с несколькими пиками интенсивности люминесценции получены автором [72, 74, 122, [c.93]

    Если уменьшить скорость нагревания при наиболее низких температурах, то в интервале— 180-130°С в кривой термического высвечивания КВг наблюдается не изображенный на рис. 29 пик интенсивности при — 160°С. Более отчетливым становится при этом также пик при — 158°С в кривой высвечивания КС1. [c.94]

    На рис. 33 приведена кривая термического высвечивания кристалла КС1 в видимой области в температурном интервале от —180 до -f 200°С. Нагревание кристалла происходило равномерно со dT [c.94]

    Кривая зависимости интенсивности люминесценции от температуры (или времени), наблюдаемая при нагревании кристаллофосфоров, называется кривой термического высвечивания (КТВ). На рис. 6.5.4 приведен пример такой кривой термовысвечивания. Форму 1СТВ определяют термическое освобождение носителей заряда и опустошение ловушек. Если у кристаллофосфора несколько типов ловушек, КТВ состоит из нескольких пиков, с чем и приходится сталкиваться обычно в реальных условиях. Для ТЛД пригодны те кристал-лофосфоры, у которых интенсивность одного — главного максимума значительно выше остальных (кривая 1 на рис. 6.5.4 кривая 2 объясняется тепловым свечением). Светосумма, определяемая по площади под КТВ [c.122]

    Дальнейшее существенное развитие (1939г.) метод термического высвечивания получил в работе автора и Соломонюка [117]. В работе были впервые получены кривые термического высвечивания ультрафиолетовой люминесценции кристаллов каменной соли. Последние облучались рентгеновыми лучами при температуре жидкого воздуха и затем постепенно нагревались до комнатной температуры. Люминесценция регистрировалась при помоши [c.73]

Рис. 27. Одна из кривых термического высвечивания каменной соли в ультрафиолетовой области, полученных Кацом и Соломонюком в 1939 г. [117]. Рис. 27. Одна из кривых термического высвечивания <a href="/info/2150">каменной соли</a> в <a href="/info/142457">ультрафиолетовой области</a>, полученных Кацом и Соломонюком в 1939 г. [117].

    Значительную роль в развитии метода кривых термического высвечивания сыграли работы Рэндалла, Уилкинса и Гарлика, которые были опубликованы в конце 1945 года [159, 160]. В отличие от работы автора и Соломонюка, в которой нагревание фосфора было неравномерным, Рэндалл и сотрудники применили равномерный нагрев. Они также дали количественную теорию метода кривых термического высвечивания, в которой, однако, не учи- [c.74]

    Из последующих работ, посвященных теории метода кривых термического высвечивания [158, 161—172], следует отметить работы Ч. Б. Лущика [158, 170], в которых дается обобщение теории на случай произвольного соотношения между вероятностями повторного захвата и рекомбинации и работы И. А. Парфиановича [169, 171], в которых дан анализ некоторых методов вычисления энергии локализации электронов. [c.75]

    Из приведенного краткого обзора истории метода кривых термического высвечивания следует особая роль советских физиков в разработке этого метода. Однако в зарубежной научной печати это обстоятельство не всегда находит должное освещение (см. [180]). Начиная с 1946 года, метод кривых термического высвечивания именовался в зарубежной литературе в течение нескольких лет Методом Рэндалла и Уилкинса . Такое наименование метода нельзя считать обоснованным, несмотря на несомненные заслуги упомянутых авторов в развитии метода кривых термического высвечивания. [c.75]

    Из других работ, посвященных вопросам теории метода кривых термического высвечивания, можно отметить работу Вильямса и Зйринга Пб2], хотя по полученным результатам б ней не содержится чего-либо существенно нового по сравнению с работами Рен- алла и Уилкинса [159, 160] и Антонова-Романовского 166]. [c.82]

    В работе 1162] теоретический анализ кривых термического высвечивания производится на основе теории абсолютных скоростей реакции, предложенной и разработанной Эйрингом для решения задач химической кинетики. За сравнительно короткое время своего существования теория абсолютных скоростей реакции вышла за пределы собственно химической кинетики и была применена к явлениям диффузии, вязкости, электропроводности и т. д. Указанную работу Вильямса и Эйринга по теории термического высвечивания следует рассматривать как пример применения теории абсолютных скоростей реакции к явлениям гермолюминесценции. [c.82]

    Анализ этого вопроса и выполненные в работе [1721 вычисления показывают, что.значения е, определяемые по методу Гарлика и Гипсона отличаются от значений е, найденных другими методами. Далее, сильно отличаются также значения р,,, вычисляемые по методу Гарлика и Гипсона от значений р , найденных специальными измерениями. Автор [1721 полагает, что эти расхождения обусловлены некоторым распределением уровней захвата по глубине и взаимным наложением уровней захвата, относящихся к соседним пикам кривой термического высвечивания. [c.85]

    На рис. 29 и 30 и представлены кривые термического высвечивания кристаллов Na l, K l и КВг в ультрафиолетовой области. [c.94]

    На рис. 31 представлена кривая термического высвечивания в видимой части спектра кристалла Na l, рентгенизованного при температуре жидкого кислорода. В кривой высвечивания этого кристалла в интервале от— 180°С до комнатной температуры наблюдаются три пика, соотношение интенсивности между которыми не одинаково для различных образцов. [c.94]

    Несколько пиков наблюдается также в уЪомянутом интервале температур в кривой термического высвечивания КВг в видимой области (рис. 32). [c.94]

    На рис. 34 представлены две кривые термического высвечивания в видимой области одного и того же кристалла Na l во втором интервале при двух различных скоростях нагревания. Кривые имеют по два пика термовысвечивания с максимумами в области 60—70°С и 160— 170°С. При меньшей скорости нагревания максимумы интенсивности, как и следовало ожидать, смешены в сторону низких температур, так как при медленном нагревании электроны успевают высвсбодиться с глубоких уровней при более низкой температуре. Зависимость формы кривых от скорости нагревания была отмечена в ранних исследованиях автора и Соломонюка в 1939 году (см. 117). [c.94]

    Из кривых рис. 34 можно заключить, что термическое высвечивание рентгенизованных кристаллов. Na l в видимой области обусловлено во втором интервале двумя группами локальных уровней энергии, отличающимися между собой величиной энергии связи электрона в локализованном состоянии. [c.94]

    На рис. 35 представлены кривые термического высвечивания кристалла Na i в видимой области, сохранявшегося после рентгенизации до начала измерений высвечивания различные промежутки времени в темноте. Кривая а рис. 35 снята тотчас же пос- [c.94]


Смотреть страницы где упоминается термин Термического высвечивания кривы: [c.19]    [c.24]    [c.137]    [c.74]    [c.86]    [c.93]   
Неорганические люминофоры (1975) -- [ c.23 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Кривые термического высвечивания



© 2025 chem21.info Реклама на сайте