Длительность импульса

Рис. 3.28. Влияние длительности импульса на точность измерений толщины а — нормальный режим измерений, <0.25 б — измерение импульса малой амплитуды, х>1

Длительность импульса определяется выражением [c.70]

Теоретические исследования показали [281], что длительность импульса можно оценить по формуле [c.167]

Мощность, излучаемая лазером в режиме свободной генерации, т.е. без дополнительного управления, соизмерима с мощностью лампы накачки. Более высокая мощность может быть получена в режиме модулирования добротности, при котором резонатор помещается в быстродействующий оптический затвор. После накопления достаточной энергии затвор открывается на короткое время. Для резонатора длиной 60 см длительность импульса составляет 10-20 не и при энергии 1 Дж пиковая мощность достигает 50-100 МВт. Поскольку в лазерном резонаторе возможны многомодовые колебания, для увеличения мощности используют также режим синхронизации или захвата мод, позволяющий генерировать более короткие (пикосекундные) импульсы [11]. [c.99]

Отличительным признаком ударного или импульсного акустического воздействия является пространственно-временная локализация энергии в технологическом объекте. Как правило, импульсная система запасает от источников энергию на некотором интервале времени а отдает ее за короткое время импульса Д<д, причем с 3. Характерные длительности импульсов составляют 10"3-10- с, поэтому при сравнительно малой энергии в десятки джоулей мощность в импульсе составляет мегаватты, что и обусловливает высокую эффективность импульсной технологии. [c.63]

В зависимости от вида преобразования энергия может сосредоточиваться в различных промежуточных накопителях между источником и нагрузкой. В качестве накопителей энергии используют химические, магнитодинамические, индуктивные, механические и емкостные накопители. Эти накопители обладают различными характеристиками длительностью импульса, током в импульсе, величиной запасенной энергии, указанными на рис. 3.11. Кроме перечисленных важны также и эксплуатационно-экономические характеристики, которые здесь не обсуждаются, сведения о них имеются в литературе [31]. [c.63]

В работах по подводным взрывам [36] отмечается, что новые выходы на свободную поверхность ударной волны создают на ней бугорки, вырастающие в столбики высотой порядка 0,1 м, которые затем распадаются на отдельные капли, образуя купол брызг. Импульсная кавитационная прочность воды зависит от ее чистоты и длительности импульса [20, 2I, 27]. Для обычной воды, не подвергаемой кипячению и дистилляции, при длительности 0,2- 0,3 мкс величина Рк = 8 МПа, при длительности 1-10 мкс - Рк = 6,5-0,6 МПа, а для загрязнений воды -не более 0,1 МПа. По данным работы [37], вода выдерживает динамические растяжения в 0,25 МПа при длительности 20- 30 мкс с увеличением длительности до 150 мкс прочность уменьшается до 0,15 МПа, а затем спадает практически до статической при длительностях 300-500 мкс. Известно также, что кавитационная прочность при импульсном возбуждении ультразвука аналогично зависит от длительности, [13]. Указанными особенностями можно пользоваться для регулирования кавитационных процессов. [c.68]

Как правило, в качестве накопителей энергии для рассматриваемых излучателей используют специальные батареи конденсаторов, а коммутаторами служат разрядники, игнитроны, тиратроны и тиристоры [44]. Расчет импульсных электродинамических и электроразрядных систем приведен в работе [3]. Для оценок максимального давления и длительности импульса можно принять [c.73]

Нитрид фосфора может быть синтезирован под воздействием электронного пучка плотностью 15 кА/м , длительностью импульса тока 2,5 мкс, энергией электронов 1 МэВ. Один из электродов камеры служит тиглем для возгонки фосфора. Нитрид фосфора, синтезируемый в таком разряде, представляет собой мелкодисперсное вещество с частицами размером 0,6-2,5 мкм, обладает повышенной термостойкостью и химической стабильностью по сравнению с продуктом, синтезированным чисто химическим способом [4]. [c.188]

Перемагничивание тороидального сердечника с ППГ по предельной петле гистерезиса осуществляется импульсами тока, амплитуда, форма и длительность импульса напряжения, наводимого при этом в измерительной обмотке преобразователя, определяются выражением [c.139]

По мере увеличения амплитуды и длительности импульса тока при емкости батареи конденсаторов 6400 - 8000 мкФ качество сварного шва улучшается (шелушение приварного слоя снижается). При значениях энергетических параметров наблюдается также наименьшее число пор. [c.53]

Емкость батарей конденса- торов, мкФ Амплитуда импульса тока, кА Длительность импульса тока, МС Глубина вмятин сварочной точки, мм Число пор диаметром, мм Шелушение, % от восстановленной поверхности [c.54]

Для деталей диаметром 30 - 500 мм рекомендуется следующий режим приварки ленты толщиной 0,4 мм частота вращения детали - 5 мин 1 подача сварочных клещей - 3 мм/об усилие сжатия электродов - 1,5 кН коэффициент трансформации -36 емкость батарей конденсаторов - 6400 мкФ напряжение заряда конденсаторов - 365 В амплитуда импульса тока -13,5 кА длительность импульса тока - 10,8 мс число сварных точек на 1 см сварного шва - 6 или 7 количество охлаждающей жидкости - 1,5 л/мин. [c.55]

Супервизорное управление. В режиме супервизорного управления УВМ используется в замкнутом контуре, т. е. машина связана с процессом таким образом, что уставки регуляторов могут задаваться непосредственно ею. Если в режиме советчика оператору вычисленные значения уставок регуляторов преобразовывались в форму, удобную для восприятия оператором, то в режиме супервизорного управления они преобразуются в величины, которые можно использовать для изменения настроек регуляторов (напряжение, число импульсов, длительность импульса и т. д.). Функции оператора сводятся к наблюдению, он вмешивается лишь при возникновении аварийных ситуаций. [c.203]

Излучатель-приемник волн поперечного типа принимает эхосигнал от цилиндрического отражателя диаметром 2Ь (рис. 1.24), находящегося в стальном образце на расстоянии г>Ь. При каком соотношении диаметра Цилиндра и длины волны импульсы волн обегания будут интерферировать, если считать, что длительность импульса равна четырем периодам колебаний т=4Г [c.55]

При условии Д>0,7 конечная длительность импульса будет приводить к сглаживанию осцилляций амплитуды эхосигнала. [c.56]

Анализ выражения (2.2) показывает, что величина Р Ро может быть представлена как функция двух безразмерных параметров расстояния от преобразователя до отражателя, отнесенного к длине ближней зоны преобразователя, и отношения диаметра диска к диаметру преобразователя. Третий параметр (форма и длительность импульса), влияющий на величину Р 1Ро в ближней и переходной зонах, выражение (2.2) не учитывает. На основе этого для расчета амплитуды отражения от диска (плоскодонного отвер-110 [c.110]

Для структурных помех коэффициент прозрачности не зависит от толщины слоя. Это явление связано с тем, что в этом случае уровень структурных помех определяет не амплитуда, а интенсивность, пропорциональная энергии прошедшего импульса, которая равна произведению квадрата амплитуды на длительность импульса, а она остается практически постоянной при изменении условий интерференции в тонком слое. Если, например, коэффициент прозрачности уменьшается, то соответственно упадет амплитуда, но возрастет длительность импульса, таким образом, что энергия прошедшего через слой импульса остается постоянной. В результате электрический уровень структурных помех на экране ЭЛТ не зависит от толщины слоя контактной жидкости при контроле контактным методом. [c.134]

Достижение максимальной лучевой разрешающей способности ограничивается теми же факторами, что и достижение минимальной мертвой зоны. Сигнал от дефекта, расположенного ближе к преобразователю, действует подобно зондирующему импульсу и мешает выявлению дефекта, импульс от которого приходит позднее. Влияние переходных процессов в преобразователе в этом случае гораздо меньше, поскольку амплитуда сигнала, вызывающего эти процессы, в сотни раз меньше зондирующего импульса, поэтому лучевая разрешающая способность зависит в основном от длительности импульса и составляет Дг=0,5ст = 2Я, если импульс состоит из четырех периодов колебаний. [c.142]

Основным средством повышения лучевой разрешающей способности служит уменьшение длительности импульса. С этой целью применяют способы, рассмотренные ранее. При контроле изделий большой толщины иногда бывает трудно разделить на экране два 142 [c.142]

Эмиссию называют дискретной, когда длительность регистрируемых импульсов меньше интервала между ними. В противном случае говорят о непрерывной АЭ. Появление импульсов АЭ в значительном объеме материала — процесс во времени статистический, поэтому можно говорить лишь о средней длительности импульсов и интервалов между ними. Кроме того, дискретность или непрерывность зависит от разрешающей способности регистрирующей аппаратуры. [c.173]

Эхометод в его традиционном виде с использованием частот 0,5 МГц и выше применяют для контроля гомогенных изотропных материалов типа стекла, плотной керамики, некоторых пластмасс. Для контроля материалов с повышенным затуханием приходится снижать частоты до 0,1 МГц. При этом длина волны увеличивается и возникают задачи сужения диаграммы направленности преобразователей и сокращения длительности импульсов. [c.220]

Ударные волны — импульсы давления, которые распространяются со скоростью, превышающей скорость распространения акустических колебаний. Пространственная метрика явле-ния (5ув) — радиус захвата ударной волной коллапсирующего кавитационного пузырька (гуц), а временная (тув) — длительность импульса ( им)- [c.167]

Между длительностью импульса Ai и шириной спектра А/ существует простое соотношение, напоминающее соотношение неопределен- [c.64]

При приварке ленты толщиной 0,3 - 0,4 мм рекомендуемая емкость батареи конденсаторов 6400 мкФ. Напряжение заряда конденсаторов регулируют в пределах 260 - 425 В. Ленту приваривают при напряжении 325 - 380 В. Чем больше диамеф восстанавливаемой детали и толщина привариваемой ленты, тем выше фебуемое напряжение заряда конденсаторов. Свариваемость ленты с основным материалом в зависимости от амплитуды и длительности импульса тока определяют по глубине вмятин сварной точки, числу пор на поверхности деталей, прошлифованных до номинального размера, и шелушению приварного слоя толщиной 0,15 - 0,02 мм. [c.53]

Вращение на 360° для человека, подвергшегося действию излучения огневого шара, маловероятно, но приводимые для случая такого вращения расстояния, по-видимому, находятся в большем соответствии с реальными эффектами воздействия облучений. Кроме того, вычисления не учитывают уменьшение в дозе облучения, получаемой бегущим человеком. Таким образом, согласно японским данным, длительность импульса приближается к 1,5 с, что близко к значениям, цитируемым Айзенбергом и др. (Отметим, что соотношение ингенсивность/время для светового импульса ядерного оружия заметно отличается эт прямоугольного импульса.) [c.191]

Схема спектрографической установки показана на рис. 56, б. Регистрирующим прибором служит спектрограф J2, а в качестве спектроскопического источника света используется спектроскопическая импульсная лампа /, свет от которой, пройдя реакционный сосуд и спектрограф, попадает на фотопластинку 13. Спектроскопическая лампа зажигается через определенный промежуток времени после вспышки фотолитической лампы при помощи блока временной задержки 14. Таким образом по.лучается полный спектр поглощения фотолизуемого раствора. Меняя время задержки, можно получить набор спектров, изменяющихся во времени. В качестве импульсных фотолитических ламп обычно используются трубчатые импульсные ксеноновые лампы. Такие лампы имеют электрическую мощность до нескольких килоджоулей. Световая отдача таких ламп составляет 5- 20% от электрической мощности. Время вспышки ламп колеблется от 10 до 10 с (по уровню 1/е). Иногда для увеличения излучения в УФ-области к ксенону добавляют другие газы, например Нг, или ртуть. Используют им-пульсные лампы и с другим наполнением (Ог, N2, Аг). Ксенон обладает рядом преимуществ перед другими газами он имеет хорошие спектральные характеристики (сплошной спектр излучения), химическую инертность (нет взаимодействия с электродами), низкий потенциал ионизации. С увеличением энергии разряда максимум излучения смещается в ультрафиолетовую область. Разрешающее время импульсной установки определяется временем затухания светового импульса фотолитической вспышки. А время вспышки импульсной лампы в свою очередь зависит от нескольких факторов от типа лампы, электрической энергии и от емкости и индуктивности контура питания. Электрический контур составляют конденсатор, импульсная лампа и соединительные провода. Электрический разряд в контуре носит колебательный или затухающий характер в зависимости от соотнонюния между сопротивлением R, индуктивностью L и емкостью С элементов контура. Наиболее выгодным с точки зрения длительности импульса является соотпошепие Lj . Уменьшение времени затухания т достигается снижением индуктивности соединительных проводов, а также снижением емкости и индуктивности конденсатора (r yZ, ). При этом уменьшение энергии вспышки E = Wj2 компенсируется за счет увеличения напряжения на конденсаторе U. Увеличение [c.157]

Импульсная система регистрировала время поступления, энергию (площадь под огибающей) и длительность импульса. Обработка сигналов акустической эмиссии состояла в локализации ее источников, разделении их по параметрическим категориям и формировании на основе этих категорий обобщенных параметров эмиссии. Основывались на зонной структуре локализации, представляющей собой систему вложенных непере-крывающихся пространственных областей. [c.195]

Для локации используют зоны различного уровня. Наиболее эффективными являются зоны пятого уровня. На отрезке трубы длиной 2 м при симметричном расположении шести датчиков образуется около 100 зон локации. По завершении локации определяют категорию импульса на двумерной плоскости — энергия-длительность импульса (15 категорий). Из импульсов в одной зоне и одной категории формируют статистические потоки и определяют общее количество импульсов, их среднюю энергию, временной интервал поступления импульсов, первые три момента функции распределения времени ожидания следующего импульса. В режиме обработки off line [c.195]

Рассмотрим сначала действие одиночного импульса высокочастотного поля Длительностью т на систему ядерных магнитных моментов, поляризованных сильным постоянным магнитным полем Яо. Импульс перпендикулярного Яо переменного поля резонансной частоты отклоняет результирующий вектор ядерной намагниченности М от равновесного направления, совпадающего с направлением Яо, на угол, определяемый при т<Ст1, Т2 длительностью импульса и амплитудой высокочастотного поля. После прекращения действия импульса вектор М свободно прецессирует вокруг направления Яо с ларморовой частотой vo= у (2я) Яо, постепенно возвращаясь к равновесному положению (рис. 8.2). [c.220]

В этих работах в качестве подложки использовались монокристаллы, например, платины, на которые осаждали серебро, свинец или ртуть. На электрод накладывался двойной импульс потенциала. Высота первого импульса длительностью подбиралась такой, чтобы на поверхности электрода могли возникать трехмерные кристаллические зародыши. В ходе второго импульса, называемого импульсом проявления , эти кристаллики выращивались до таких размеров, чтобы их можно было обнаружить под микроскопом. Таким образом, потенциал второго импульса был достаточным для роста образовавшихся, но не для возникновения новых зародышей. Для проверки теории, выбрав определенную длительность Tj первого импульса, постепенно увеличивали его высоту, пока, наконец, не достигали такого перенапряжения tij, при котором образовывался лишь один зародыш. Затем увеличивали длительность импульса до и снова определяли перенапряжение TI2, при котором такх<е образовывался один зародыш, и т. д. Так как в ходе первого импульса возникал каждый раз лишь один зародыш, что требовало затраты одного и того же количества электричества <7 = /iTj = /2Т2. .. = onst, то [c.332]

В практике АК используют волновые процессы, ограниченные во времени и пространстве. Вместо монохроматических колебаний применяют импульсы. Импульс (от лат. impulsus — удар, толчок) — ограниченный по времени колебательный процесс. Амплитуда колебаний в импульсе изменяется от нуля до конечной величины по закону, определяющему форму импульса. Длительностью импульса т обычно считают время, в течение котооого амплитуда превышает 0,1 своего максимального значения. Произведение ст называют пространственной длительностью импульса. Оно определяет область пространства, занимаемую импульсом. [c.18]

Импульс ультразвуковых колебаний длительностью т имеет спектр частот Д/, определяемый приближенным выражением Д/ж2,28/т. Оценить, при каких значениях отношения под влиянием конечной длительности импульса будет происходить сглаживание осцилляций амплитуд отраженных сигалов, показанных на рис. 1.19 (кривая 4). [c.56]

В иммерсионном способе (от позднелат. ттег51о — погружение), применяемом преимущественно при автоматическом контроле, слой жидкости имеет толщину, значительно большую длины волны. Если используют акустические импульсы, то слой считают толстым или протяженным, если в нем не возникает интерференции, связанной с отражением импульсов от границ слоя. Условие отсутствия интерференции — удвоенная толщина слоя кс больше пространственной длительности импульса ст [c.58]

Простой для практиечской реализации способ — изменение длительности зондирующих импульсов, при сохранении их амплитуды. Если х АТ Т — период колебаний), то полезный сигнал практически не увеличивается при дальнейшем увеличении т. В то же время уровень структурных помех растет пропорционально Ут. Дефектоскоп для контроля крупнозернистых материалов должен обладать переменной длительностью импульса (как минимум, от 4 до 9 периодов). Когда возникает сомнение, что наблюдаемые импульсы вызваны структурными помехами, то изменяют т и проверяют, изменяется или нет их амплитуда. Если амплитуда не изменяется (с точностью 1 дБ), то импульсы — сигналы от дефектов. Если амплитуда изменяется приблизительно на 3 дБ или более—это структурные помехи. Статистическое накопление и обработку сигналов можно также производить, перемещая преобразователь по поверхности изделия, изменяя угол ввода, рабочую частоту, ширину диаграммы направленности (например, варьируя диаметр преобразователя). [c.140]

Третий из показанных на рис. 2.44, а импульсов соответствует процессу акселерационного типа. Когда дислокации противоположного знака сближаются и аннигилируют или дислокация выходит на поверхность кристалла и исчезает, их энергия преобразуется в упругую. Процессы сближения или выхода на поверхность дислокаций происходят с ускорением, отсюда название импульса этого типа. Энергия процесса аннигиляции дислокаций порядка Дж, длительность импульса — 10 с, ширина спектра— сотни мегагерц. Другие дислокационные источники имеют большую длительность и энергию (до 10 Дж). [c.173]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология