Монокристаллы из раствора

Рис. 88. Схема установки для выращивания монокристалла из раствора (с движущимся кристаллом).

От степени соответствия ближней упорядоченности в растворе характеру структуры кристаллизующейся фазы во многом зависит возможность получения высококачественных монокристаллов из растворов. Хорошо известно, например, что большинство кристаллогидратов можно без особых затруднений получить в виде крупных монокристаллов. [c.16]

Получение монокристаллов из раствора в расплаве. Понижение температуры затвердевания расплава в присутствии постороннего [c.256]

Жидкофазная эпитаксия. Метод выращивания эпитаксиальных иленок ферритов из жидкой фазы очень близок к методу выращивания объемных монокристаллов из раствора-расплава. Для этой цели используются близкие по составу или одни и те же растворители, области концентраций раствора и температуры. [c.170]

ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРОВ [c.334]

Выращивание монокристаллов из растворов-расплавов может осуществляться следующими методами [c.337]

ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА [c.448]

Выращивание монокристаллов из раствора [c.449]

Выращивание бездефектных монокристаллов из растворов или расплавов - большое искусство, требующее от экспериментатора ювелирного владения приборной техникой. Для этой цели есть много приборов, созданных в лабораториях и поставляемых фирмами. Ниже описана только небольшая часть приборов, конструирование которых доступно для большинства лабораторий. [c.400]

Рис. 217. Схемы приборов для выращивания монокристаллов из раствора в стакане с крышкой-холодильником (а), в эксикаторе (б) и в держателях (в). Тигельная (г) и чашечная (д) камеры растворения

Особенности и границы применимости метода. Многие полупроводниковые материалы разлагаются до достижения температуры плавления, и поэтому монокристаллы тадих веществ не удается вырастить из стехиометрического расплава. Также трудно осуществимы процессы выращивания монокристаллов из расплава для полупроводниковых соединений, обладающих высоким-давлением пара при температуре плавления. Применение Метода выращивания монокристаллов из раствора снижает температуру в реакторе, а иногда и давление пара в системе. Поэтому выращивание из раствора позволяет в благоприятных условиях получать монокристаллы веществ, претерпевающих фазовый переход в твердом состоянии или обладающих значительной упругостью пара. [c.88]

Амиулу помещают в высокотемпературную часть печи лабораторной установки (см. работу 9). Нагрев осуществляют следующим образом в течение 30 мин температуру поднимают до 400 С н выдерживают ампулу при этой температуре 30 мин затем температуру повышают до 500° С и снова выдерживают в течение 30 мин. После этого быстро нагревают ампулу до температуры, на 20—40° превышающей температуру ликвидуса раствора-расплава, и проводят направленную кристаллизацию, перемещая ампулу из горячей зоны в холодную со скоростью 1 мм/ч. Ступенчатый нагрев необходим для того, чтобы испаряющийся фосфор успевал прореагировать с расплавом индия и давление в системе не повышалось выше 1—2 атм. Для получения монокристаллов из раствора необходимо использовать скорости 0,1 мм ч. При более высоких скоростях кристаллизации возможно образование отдельных монокристаллических пластинок, разделенных слоем растворителя. (индия). После кристаллизации ампулу разбивают и извлеченный слиток по.мещают в раствор серной кислоты (1 1) или в концентрированный раствор азотной кислоты для растворения свободного индия. Если размеры выращенных кристаллов позволяют провести определение их типа проводимости, то последнее осуществляется методом термозонда. [c.90]

ТОЛЬКО в случае тех полимеров, у которых фибриллы имеют пластинчатую форму. К счастью, такие полимеры довольно многочисленны. Толщина пластинок, их общий вид и ориентация молекул перпендикулярно плоскостям пластинок — все это подтверждает, что они образуются складывающимися цепями. Очевидно, что структуры, наблюдаемые на поверхностях сферолитов, гораздо труднее согласовать с мицеллярной структурой. У полимеров с высокой степенью кристалличности и с пластинчатыми фибриллами структура должна так или иначе несколько отличаться от структуры, представленной на рис. 1, и более близко соответствовать наракри-сталлической упорядоченности, которую описали Стюарт [130] и другие. При анализе кинетики сферолитного роста полимеров Гофман и Лауритзен [42] изложили свою точку зрения о том, что пластинчатые кристаллы должны быть нестабильными, если молекулярные цепи в значительной степени не сложены. Эти авторы доказывают, что кристаллизация из расплава пластинок со сложенными цепями молекул определяется в основном теми же кинетическими факторами, что и рост монокристаллов из раствора. Их предсказание об увеличении толщины пластинок с ростом температуры кристаллизации, по-видимому, подтверждается экспериментально, а тангенциальная ориентация молекул в сферолитах является естественным следствием описанного ими процесса. В связи с этим особый интерес представляет тот экспериментальный факт, что изредка в тонких пленках полимера с открытой поверхностью образуются полиэдрические кристаллы или агрегаты таких кристаллов. Пока еще непонятно, какая связь существует между этими кристаллами и сферолитами однако ясно, что они составлены из сложенных молекул [31 ]. [c.468]

Изотактический полистирол, закристаллизованный в виде монокристаллов из растворов на основе различных растворителей при температурах в диапазоне от 150 до 190 °С, был получен в лаборатории Келлера Кейтом с сотр. [45] и Овер-бергом с сотр. [46,47]. Толщина монокристаллов составляла от 70 до 110 A и зависела от температуры кристаллизации и условий отжига. [c.92]

Матева и др. [270] при полимеризации триоксана в более хорошем растворителе-нитробензоле-наблюдали в начале реакции образование кристаллов в виде гексагональных ламелей толщиной 50—100 X и диаметром 100 -2000 А. Кристаллы быстро росли в ширину, вначале без значительного изменения толщины, т.е. соверщенно аналогично нормальному росту монокристаллов из растворов (см. рис. 3,44). При увеличении конверсии кристаллы начинали расти в толщину по спирали роста с длиной вектора Бюргерса всего несколько ангстрем. [c.379]

Дипиридинат дитизоната ртути (II) [ SN4H2X X ( eHsbHg Ру2 [46] выделен в виде монокристаллов из раствора в пиридине. Атомы ртути расположены в частных положениях на двойных осях симметрии, и образуют ковалентную связь с атомами серы в гране-положении расстоянием 2,41 А, угол S—Hg—S 155°. Расстояние между. атомом ртути и двумя атомами азота азогрупп двух молекул дитизона несколько больше суммы ковалентных радиусов (2,5—2,6 А). На этом основании дитизонат ртути не считался ранее ВКС, координационное число атома ртути предполагалось равным 2 в соответствии с гибридизацией sp, хотя угол при атоме ртути равен 155°. Однако в свете новых представлений атомы азота или кислорода, расположенные от металла [c.29]

Производство крупных монокристаллов требует специальной и четко разработаиной технологии. Имеются три основных метода выращивания монокристаллов из растворов, из расплавов и из паров. Недавно было составлено несколько обзоров по этому довольно специальному вопросу практической кристаллизации [23—25], поэтому здесь мы ограничимся только кратким изложением. [c.209]

Шефталь Н. Н. Статический метод выращивания монокристаллов из растворов (научные и практические итоги). Труды Института кристаллографии АН СССР. вып. 4, 1948, стр. 231—233. [c.287]

Выращивание монокристаллов из растворов во многом напоминает кристаллизацию из однокомпонентной жидкой фазы. Однако вследствие присутствия добавочного компонента — растворителя теоретический анализ в этом случае становится значительно сложнее. При росте кристаллов из растворов возможность образования зародыщей несколько больше, чем в одно-комионентной жидкой фазе. Ширина метастабильной области в этом случае зависит от природы и состава растворителя, кристаллизующегося вещества, его химического состава и строения, интенсивности перемешивания. [c.142]

Давление паров мышьяка над расплавом стехиометрического состава, равное 0,976 ат, относительно высокая температура плавления GaAs и взаимодействие галлия с кварцем или графитом являются теми факторами, которые значительно усложняют технологию получения монокристаллов высокого качества. Для получения монокристаллов GaAs осуществляют выращивание монокристаллов из расплавов стехиометрического состава методами Бриджмена, Чохральского и бестигельной зонной плавки, выращивание монокристаллов из растворов-расплавов, содержащих избыток галлия, процессы переноса в паровой фазе. [c.473]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология