Контраст в изображении включений

Для теоретического анализа контраста изображении в динамической теории рассчитываются интенсивности в прямом направлении и в направлении дифрагированных лучей в зависимости от длины колонки (толщины кристалла) и ее положения по отношению к тому или иному элементу микроструктуры (дислокации, включения и др.). [c.496]

Контраст в изображении включений [c.522]

Рис. 21.39. Матричный контраст в изображении включений

АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННООПТИЧЕСКОГО КОНТРАСТА В ИЗОБРАЖЕНИЯХ ВКЛЮЧЕНИЙ (АНАЛИЗ ГЕТЕРОГЕННОГО СПЛАВА] [c.295]

В изображениях включений (частиц) в металлической фольге может действовать различный механизм контраста в зависимости от природы включения, состояния и природы матрицы и оптических условий наблюдения. В большинстве случаев контраст носит дифракционный [c.295]

Вопрос нелинейного объемного усреднения , выражаемого соотношениями (152) и (153), приводит к ряду характерных нелинейных артефактов в изображении дефектов. Эти артефакты связаны с зависимостью чувствительности (а Дц/д) от размеров дефекта в шюскости контролируемого слоя. Поэтому расслоения или включения одинаковых контраста и толщины, но разной протяженности будут воспроизводиться с различной эффективной плотностью (ЛКО). Изображения протяженных дефектов будут иметь края с несколько большей кажущейся плотностью, чем центральные области, для которых характерны заниженные значения ЛКО. [c.149]

Как и при анализе контраста от дислокаций мы считаем, что кристалл в целом находится возле отражающего положения тогда где-то в деформированном участке кристалла изгиб плоскостей может привести их в точное вульф-брэгговское положение. При этом интенсивность соответствующих дифрагированных лучей возрастает, а интенсивность электронов прямого пучка, формирующих изображение в светлом поле, соответственно уменьшится. Если деформации, например, в верхней части окрестности включений, т. е. в нижней части столбика АВ (рис. 21.32,6) будут отдалять кристалл от отражающего положения, тогда в верхней части того же столбика те же плоскости окажутся в точном вульф-брэгговском положении. Слева от включения в отражающем положении окажутся нижние участки области искажений. Таким образом сферическое включение, создающее в матрице симметричные радиальные смещения атомов, должно изображаться в виде двух темных дужек. [c.523]

Рис. 21.38. Анализ контраста в изображении призматических дислокационных петель и дискообразных включения

Рис. 21.40. Контраст в изображении частиц в фольге переменной толщины (клин), обусловленный различием структурных факторов включения и матрицы (случай, когда 1 )

Второй тип контраста — амплитудный контраст определяется степенью взаимодействия различных участков образца с проходящими электронами. Амплитудный контраст в просвечивающей электронной микроскопии щироко используют при исследовании различных элементов внутренней структуры твердофазных материалов достигаемое при этом разрещение заметно меньше, чем при фазовом контрасте, и составляет около 1 нм. Взаимодействие электронов с веществом обусловлено различиями как в элементном составе разных участков облучаемой области (это позволяет исследовать размеры и форму составляющих образец наночастиц, включения другой фазы в наблюдаемые частицы или вариации элементного состава без образования вторых фаз), так и в ориентации кристаллических фрагментов относительно направления падающего электронного пучка. Это позволяет изучать малоугловые границы внутри зерен (контрастируя их изменением ориентации образца), а также различать механически напряженные участки частиц, что в свою очередь позволяет непосредственно наблюдать (по окружающей их области искаженной структуры) протяженные дефекты кристаллического строения вещества, такие как дислокации или дефекты упаковки. Контраст на электронномикроскопическом изображении также может быть связан с интерференционными эффектами, например, с широкими полосами равной толщины на клиновидных краях зерен образца или полосами Френеля по границам зерен. Амплитудный контраст (как и фазовый) существенно зависит от положения фокуса объективной линзы, при точном фокусе он минимален, а при удалении от этого положения наблюдается контрастирование изображения с [c.247]

НИИ всего цикла температурный перепад между зонами роста и растворения (за счет изменения температуры в зоне растворения) периодически, через каждые 10—15 сут, увеличивается (или понижается) на 2—3 °С. Это позволяет получить кристалл, состоящий из нескольких слоев, различающихся скоростями выращивания. Изменение концентрации примеси в этих слоях дает возможность выбрать для исследования препараты из тех областей кристалла, где достигается максимальный контраст декорирования дислокаций в различных пирамидах роста, которые после термообработки полированных пластин толщиной от 0,1 до 0,2 мм обнаруживаются под микроскопом в определенном-свете при относительно малых увеличениях. Оптическими исследованиями установлено, что визуализация дислокаций обусловлена светорассеянием на многочисленных закономерно ориентированных микроскопических трещинах, возникающих в местах локализации неструктурной примеси. Контраст изображения отдельной дислокации зависит от количества, размеров и ориентации микротрещин, располагающихся вдоль линии ее следования. Обычно трещины ориентируются параллельно плоскостям основных ромбоэдров, базиса, дипирамид и призм. Трещины, параллельные базисной плоскости, имеют довольно крупные размеры (до 1 мм) и поэтому дают размытые изображения дислокационных линий. Наиболее четкие изображения отмечаются в случае декорирования дислокаций несколькими разноориентированными колониями микротрещин. По всей вероятности, контраст декорирования увеличивается и за счет сферических пор диаметром в несколько десятков нанометров, обнаруживаемых под электронным микроскопом в отожженом кварце с включением неструктурной примеси А1. [c.164]

Экстинщионный контраст в изображении включений. Если частица имеет структурный фактор Рнкь, больший [c.531]

Результат дифракции в микрообъемах чаще всего представляет собой точечную картину от монокристалла (см. п. 11.2) или наложение картин дифракции от включения кристаллической фазы и окружающей ее матрицы, если объектом исследования является гетерогенная высокодисперсная структура. При дифракции с очень ограниченных участков тонких кристаллов в просвечивающем электронном микроскопе электронограммы могут содержать малое число рефлексов при резких различиях их интенсивности. Эта особенность реальных микроэлектро-нограмм обусловлена не только субструктурой объекта и малостью области дифракции, но и сознательно выбранной оптимальной геометрией съемки близостью ориентировки кристалла к условию Вульфа — Брэгга для определенных семейств плоскостей (рис. 20.27, б). При таком положении образца оказывается наилучшим контраст микроскопического изображения определенных деталей его структуры. [c.467]

В условиях точной вульф-брэгговской ориентации видимая ширина изображения должна возрастать с увеличением экстинкционного расстояния, т. е. при использовании отражений с большими индексами НКЬ. Чтобы убедиться в том, что контраст обусловлен деформацией матрицы, следует, получить изображение при разных действующих отражениях если вектор g параллелен пластинке, деформационный контраст должен исчезать. Для анализа следует оценить угол 1 ), выбрать отражение, для которого g перпендикулярно пластинке. Далее выбрать участок объекта вблизи от изгибного экстинкционного контура (sg=0) и включение, имеющее симметричное изображение, т. е. расположенное в центральной части сечения фольги. Более точное определение диаметра диска (пластины) возможно в условиях отсутствия сильного деформационного контраста. [c.530]

Контраст из-за структурного фактора прямо пропорционален толщине включения. Это приводит к заниженной оценке размера сферических частиц из-за резкого уменьшения контраста на их периферии. Затруднения в оценке плотности частиц связаны с резкой зависимостью экстинкционного контраста от локальных условий дифракции все частицы имеют разный контраст, а при 5=7 0 изображения частиц могут иметь разный контраст [c.533]

Указать какие способы надо применить, чтобы различить контраст полосчатой картины муара и толщинных контуров в изображении плоских включений и экстинкционные изгибные контуры и дислокации. [c.548]

Поскольку смещения в матрице и в частице радиальны, атомная плоскость, проходящая через центр включения, не искривляется. Поэтому если кристалл расположен возле любого вульф-брегговского положения, в изображении через центр частицы должна проходить область нулевого контраста (перпендикулярно г ). При изменении действующего отражения соответственно поворачивается область нулевого контраста (см. рис. 166). [c.297]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология