Вероятность переходов зеемановских

Переменное поле высокой частоты, приложенное перпендикулярно направлению постоянного магнитного поля, вызывает переориентацию неспаренных электронов, т.е. индуцирует переходы электронов между зеемановскими уровнями. Это поле забрасывает электроны на верхний уровень и сбрасывает их с верхнего уровня на нижний с равной вероятностью. Но поскольку число электронов на нижнем уровне больше, чем на верхнем, то число переходов снизу вверх больше, чем в обратном направлении. При большой мощности высокочастотного поля населенности обоих зеемановских уровней выравниваются, поглощение энергии высокочастотного поля отсутствует и сигнал ЭПР исчезает - это и есть насыщение ЭПР. [c.284]

В процессе релаксации решетка и спин-система обмениваются энергией. Этот обмен продолжается и в стационарном (равновесном) состоянии, когда число переходов с нижнего на верхний зееманов-ский уровень равно числу обратных переходов. В первом случае спин-система отбирает из решетки энергию А , а во втором, наоборот, спин-система отдает такую же энергию решетке. Если вероятность первого процесса равна (-) (переход с нижнего зеемановского уровня на верхний), а обратного И (+), то при равновесии [c.17]

V (в Мгц) = 2,8 Н (в гс)]. Для исследований используются, главным образом, частоты 3, 9, 25 и 35 Ггц. С увеличением частоты чувствительность метода возрастает, так как при увеличении напряженности магнитного поля возрастает разность заселенностей верхнего и нижнего зеемановских уровней, вероятность переходов между которыми пропорциональна v . [c.449]

Большинство современных знаний о структуре молекул получено с помощью молекулярной спектроскопии. Анализ молекулярных спектров позволяет определить не только положение различных энергетических уровней молекул на основании измерения волновых чисел спектральных линий, но и геометрическую конфигурацию молекулы, т. е. валентные углы и длины связей [1]. Зная интенсивности спектральных линий, можно рассчитать вероятности переходов и симметрию молекулярных состояний. Измерения зеемановского и штарковского расщепления уровней позволяют определить магнитный и электрический дипольные моменты, а такл<е дают информацию о поляризуемости молекул. [c.242]

Трехосная анизотропия Г-тензора, тензора тонкой структуры X) н тензора СТВ Т, изотропное ядерное зеемановское взаимодействие, совпадающие главные оси тензоров. Программа предназначена для систем с произвольными электронным 5 и ядерным I спинами (одно ядро). Индивидуальная линия — лоренцева или гауссова с постоянной шириной б. Резонансные поля вычисляются по теории возмущений третьего порядка, вероятности переходов — по теории возмущении второго порядка па вырожденном уровне. [c.211]

Рассмотренные в предыдущей главе симметричные линии ЭПР могут получаться лишь в тех случаях, когда кристаллическое поле пренебрежимо мало либо имеет сферическую симметрию, т. е. когда = gy = g . В общем случае влияние кристаллических полей может привести, как это было показано в главе П1, к появлению тонкой структуры и зависимости положения линии от ориентации электрической оси кристалла в постоянном магнитном поле. Рассмотрим прежде всего те случаи, когда положение линии ЭПР зависит от ориентации, а тонкая структура отсутствует, т. е. когда расстояние между любыми соседними Зеемановскими уровнями одинаковы (это автоматически выполняется, например, при S Мы ограничимся анализом линий в кристаллическом поле осевой симметрии, т. е. случаем gx = = ёу = gL ёг = ё - В главе П1 было показано, что при произвольной ориентации кристалла в магнитном поле наблюдаемое значение -фактора и вероятность перехода W g) определяются формулами [c.97]

Уравнение (13) является достаточно строгим, чтобы с его помощью корректно вычислять вероятности рождения молекулы из пары в состоянии Го и количественно оценивать магнитные эффекты. Оно справедливо в сильных магнитных полях, где зеемановское взаимодействие g H велико и уровни удалены, при этом можно пренебречь вкладом Т+ 3- и Г — -переходов в спино- [c.21]

В основе рассматриваемого в книге материала лежат новые проявления спинового запрета в радикальных реакциях, единственным следствием которого ранее считалось его влияние на вероятность рекомбинации радикалов. Эти новые проявления связаны со спиновыми переходами в радикальных парах под влиянием взаимодействий магнитной природы — зеемановских и сверхтонких. Именно благодаря этим переходам магнитные взаимодействия могут влиять на вероятность рекомбинации радикальной пары. Поскольку энергия магнитных взаимодействий в свободных радикалах на много порядков меньше энергии теплового движения, обсуждаемые в книге магнитные эффекты можно рассматривать как одии нз немногих ярких примеров управляющего влияния слабых взаимодействий в химической кинетике. С другой стороны, благодаря спиновым пере.ходам в радикальных парах химическая реакция между радикалами выступает в качестве диспетчера, сор- [c.3]

Отметим, что заметная анизотропия -фактора и СТВ в сочетании с ядерным зеемановским взаимодействием порядка одной из констант СТВ сильно искажает спектр. На рис. 3.33 представлен синтезированный спектр для / = и ядерного зеемановского взаимодействия порядка СТВ. Параметры таковы, что вероятность разрешенных переходов в параллельной ориентации больше, а в перпендикулярной меньше, чем запрещенных. Всего в спектре четыре компоненты, три из которых плохо разрешены. [c.118]

В выражениях (1.160) сумма интенсивностей всех линий нормирована к величине, характерной для аналогичного изотропного поликристаллического образца в отсутствие асимметрии / в соответствующих монокристаллах. Из выражения (1.160) явствует, что учет анизотропии вероятности эффекта Мессбауэра в монокристаллах сильно влияет на относительную интенсивность линий, отвечающих переходам /2 +V2 в зеемановском спектре изотропных поликристаллических порошков. В работе [27] приведены также интенсивности линий при квадрупольном и зеемановском расщеплении для пере-хода 2- -0 (например, четно-четные изотопы редкоземельных элементов) Р с учетом анизотропии / в соответствующих монокристаллах. В отличие от квад- [c.90]

В пределах рассматриваемой теории свойства парамагнитной системы характеризуются временем и функцией /(х). Зависимость вероятности перехода W от расстройки X учитывает эффекты, связанные с размытием зеемановских энергетических уровней за счет спин-ре-шеточных взаимодействий. [c.68]

Однако приведенные выражения слишком громоздки для качественного рассмотрения и скорее пригодны для расчета на ЭВМ. Лишь в наиболее простом случае — изотропный д и Г-тепзоры, = О и пренебрежение ядерным зеемановским взаимодействием — выражения для резонансных полей и вероятностей переходов могут быть записаны в сравнительно простом явном виде. Впервые этот случай проанализирован в работе Блини [80]. [c.134]

Анизотропия g -фактора совпровождается изменением вероятностей переходов. Действительно, переходы между Зеемановскими уровнями происходят под действием магнитной компоненты СВЧ поля, перпендикулярной Я. Очевидно, если, например, поле Я действует сильнее всего при перпендикулярной ориентации ( п)> то ВЧ поле Я при этой ориентации будет действовать слабее, чем при параллельной, и соответственно вероят- [c.67]

Прежде всего обсудим механизм ХПЯ. В сильных магнитных полях главный вклад в Т—5-превращение радикальной нары вносят переходы из состояния Го. Из уравнения (1) для простейшей пары К1К2 видно, что если Д >0 и а>0, то вероятность Го— 5-перехода в паре с т=-+-72 больше, чем вероятность того же перехода в паре с т =— /г- Это означает, что пары с протоном, ориентированным но нолю, быстрее претерпевают тринлет-синг-летное превращение и быстрее рекомбинируют, т. е. продукты рекомбинации обогащаются положительно ориентированными ядрами и имеют положительную поляризацию. Напротив, радикалы, избежавшие рекомбинации, имеют избыток протонов, ориентированных против поля эти радикалы приносят в продукты их превращения отрицательную поляризацию. Положительная ноляри-зация соответствует избыточной заселенности нижнего зеемановского уровня и проявляется в спектрах ЯМР как аномально сильное поглощение (А) при отрицательной поляризации избыточно заселен верхний зеемановский уровень (эмиссия Е в спектрах ЯМР). Таким образом, ирн переходах Го—5 в радикальных парах происходит отбор — селекция радикалов но их ядерным спинам. [c.24]

Для случаев, когда зеемановская ядерная энергия больше энергии электронно-ядерных взаимодействий, вероятность запрещенных переходов на частотах созз и 0)14 меньше вероятности разрешенных переходов на частотах [c.81]

Этот механизм можно представить следующим образом ксгда решетка колеблется, расстояния между ПЦ изменяются с частотами этих колебаний, что приводит к возникновению осциллирующего магнитного поля. Те колебания решетки, частота которых равна частоте лар-мороЕской прецессии па> = g Ho, имеют конечную вероятность вызвать переход магнитного момента из верхнего энергетического состояния в нижнее. Этот процесс, в котором поглсщение зеемановского кванта сопровождается испусканием фонона с энергией рЯо, называется прямым. [c.103]

Так как вероятность обнаружить электрон на верхнем или нижнем уровне одинакова, то разность заселенности зеемановских уровней п = N(-)—N +) может быть только результатом внешнего воздействия на спин электрона. Это воздействие должно приводить не к излучательным, а к безызлучательным переходам с верхнего уровня на нижний, т. е. преобразовывать электромагнит-чХ ную энергию в энергию, нутренних связей пара-Х 1агнитной частицы или % энергию тепловых ко-Чуутебаний внешней среды — [c.17]

Лэмб и Ризерфорд налагали еще постоянное магнитное поле. Тогда переходы между зеемановскими компонентами уровней 2 и 1 оказываются менее вероятными, и эффект разрушения данного уровня под влиянием радиочастотного излучения выступает более явственно. [c.575]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология