Энергия возгонки

Значения энергий некоторых связей, найденные из теплот образования и сгорания соединений или из спектральных данных, приведены в приложении 6. Приведенные во многих учебниках, руководствах, монографиях и справочниках аналогичные таблицы содержат величины, часто заметно различающиеся между собой. Причиной такому положению является, во-первых, расхождение в величинах энергии возгонки углерода (р-графита), положенных в основу расчета. До последнего времени эту величину нельзя считать точно установленной (разные авторы дают ее значение или 125 [8] или 171,3 ктл г-атом (64]). Однако расхождения несущественны для практического использования таблиц, так как влияние этих величин элиминируется при обратном расчете теплот образования соединений из простых веществ с помощью той или иной таблицы. Второй, более существенной причиной расхождений (менее значительных) являются различные наборы исходных данных, положенных в основу отдельных таблиц. [c.34]

Аналогичные таблицы, приводимые в различных справочниках и монографиях, содержат величины энергий связей, часто заметно различающиеся между собой. Причиной этому являются, во-первых, расхождение в величинах энергии возгонки углерода, положенных в основу расчета. Эти расхождения несущественны для практического использования таблиц, так как влияние этих величин элиминируется при обратном расчете теплот образования соединений из простых веществ с помощью той или иной таблицы. Второй, более существенной причиной расхождений (менее значительных), являются различные наборы исходных данных, положенные в основу отдельных таблиц. [c.69]

Если газ, образующийся в результате возгонки кристалла, состоит из тех же частиц, что и сам кристалл, то энергия кристаллической решетки равна энергии возгонки и ее можно определить экспериментально. Это относится к атомным, металлическим и молекулярным кристаллам. При испарении ионных кристаллов в газовую фазу переходят молекулы или атомы, вследствие чего определить экспериментально энергию кристаллической решетки таких кристаллов нельзя. В этом случае расчеты проводят на основании закона Гесса (гл. 7), исходя из экспериментальных данных по энергиям других процессов. Наибольшая энергия кристаллической решетки характерна для ионных и атомных кристаллов, меньшая — для металлических и еще меньшая — для молекулярных кристаллов [c.80]

Энергия кристаллической решетки равна энергии, которую необходимо затратить на удаление составных частей кристаллической решетки на бесконечно большое расстояние друг от друга, измеряется в кДж моль Если газ, образующийся в результате возгонки кристалла, состоит из тех же частиц, что и сам кристалл, то энергия кристаллической решетки равна энергии возгонки и ее можно определить экспериментально Это относится к атомным, металлическим и молекулярным кристаллам При испарении ионных кристаллов в газовую фазу переходят молекулы или атомы, вследствие чего определить экспериментально энергию кристаллической решетки таких кристаллов нельзя В этом случае расчеты проводят на основании закона Гесса (гл 7), исходя из экспериментальных данных по энергиям других процес сов Наибольшая энергия кристаллической решетки характерна для ионных и атомных кристаллов, меньшая — для металлических и еще меньшая — для молекулярных кристаллов [c.80]

Таким образом, энергия возгонки атома с поверхности в газ составляет pi, где р меняется в пределах 0<р< /2- При переводе атома катализатора из кристаллической решетки на поверхность катализатора необходимо затратить энергию аА, , где [c.212]

Недостатки этого метода ни в коем случае нельзя считать тривиальными. Так, например, величина О (8 — 8), вычисленная исходя из энергии возгонки, является ошибочной [30] из-за отсутствия учета избыточной поверх- [c.28]

Д /з —энергия возгонки кремния (88,04 ккал/моль [255] [c.150]

Если предположить, что энергия связи между атомами вещества равна энергии возгонки ЛЯ, отнесенной к одному атому, то выражение для пороговой энергии 0 (минимальной энергии, необходимой для выбивания атома мишени) имеет вид [c.32]

Если газ, образующийся в результате возгонки, состоит из тех же частиц, что и сам кристалл, то энергия кристаллической решетки совпадает со значением энергии возгонки (сублимации). Это относится к молекулярным, атомно-ковалентным и атомно-металлическим кристаллам. Таким образом, в этом случае энергию кристаллической решетки можно определить экспериментально. [c.166]

Другая, более серьезная трудность, возникающая при расчете энергий адсорбции, заключается в полном отсутствии сведений относительно действительного расстояния адсорбированного атома или молекулы от адсорбирующей поверхности. Большинство же тех сил, которые служат причиной адсорбции, сильно зависят от этого расстояния. Равновесное расстояние между адсорбированным атомом и поверхностью определяется равновесием всех сил притяжения и отталкивания, которые действуют на атом. Расчеты энергий кристаллических решеток и энергий возгонки твердых тел, основанные на учете различных одновременно действующих сил, были весьма успешны, потому [c.24]

Выходит, чтобы судить о том, насколько прочны будут низшие соединения металла с другими элементами, надо знать, насколько велика энергия возгонки этого металла. Опять (в который раз ) мы встречаемся с тем, что физические характеристики вещества определяют их химические свойства. [c.55]

Итак, теперь наше правило мы можем сформулировать в новом варианте. Если энергия возгонки (или, как ее еще называют, энергия сублимации) металла велика, то низшие соединения этого металла должны быть неустойчивыми. [c.55]

Значения, рассчитанные по этому уравнению, приведены в табл. 168. Теплота возгонки тетрахлорида равна 47,7 ккал-моль -, свободная энергия возгонки [c.382]

ТЕПЛОТЫ и СВОБОДНЫЕ ЭНЕРГИИ ВОЗГОНКИ НЕКОТОРЫХ СМЕШАННЫХ ГАЛОГЕНИДОВ УРАНА (IV) [c.439]

Таким образом, следующим шагом будет смягчение отталкивания, возможное с помощью модели Леннарда-Джонса (12—6). Можно надеяться, что эта модель исправит недостатки потенциала Сюзерленда, сохранив его преимущества. Результаты для такой модели приведены в табл. 4.9, включая параметры, определенные по энергии возгонки и плавления кристаллической решетки при 0° К- Согласование между параметрами потенциала оказывается поразительным. Для сферических и квазисферических молекул Не, Ме, Аг и СН4 параметры согласуются очень хорошо действительно, все приведенные параметры можно немного подогнать для большей точности без заметного ухудшения согласия с экспериментом. Однако этого нельзя сделать для N2 и СО2, для которых расхождение с экспериментом явно превышает ошибку эксперимента, т. е. параметры, найденные из В, не воспроизводят точно значения вязкости т], и наоборот [120а]. В этом отношении СО2 значительно хуже N2, что, несомненно, можно объяснить отсутствием в модели ориентационно зависимой части. Включение некоторых основных ориентационно зависимых членов значительно улучшает результаты [56, 143, 147, 150], так как из табл. 4.4 видно, что эти члены вносят существенный вклад в В. [c.264]

Энергия ионной кристаллической решетки равна теплоте образования данного вещества АЯобр, энергии возгонки металла АЯвоаг, диссоциации молекул двухатомного газа на атомы ДЯдисс I ионизации атомов металла и газа /м п Е [c.51]

Эти же величины появились во вторых изданиях обеих монографшх. Герцберг объяснил причину расхождения данных тем, что он не учел энергию испарения брома и энергию возгонки иода. На основанип более полного обсуждения данных в гл. XX можно принять, что ошибка в этих значениях О не превышает 0,2 ккал/молъ. Фтор в отличие от других галогенов поглощает свет непрерывно, поэтому в этом случае приходится ссылаться на термические данные для энергии диссоциации, а также на дифракцию электронов и спектры комбинационного рассеяния при определении межъ-ядерного расстояния [16]. Для определения частоты колебания иснользуют зависимость коэффициента тушения от частоты [16а]. [c.382]

Правило Трутона устанавливает связь между энергией возгонки кристалла АЯвозг и его температурой кипения Тшш- [c.82]

Френкель показал, что поверхность реального кристалла при любой конечной температуре должна иметь некоторую шероховатость, вызванную тепловыми флуктуациями. Эта шероховатость представляется в виде мономолекулярных ступенек, на которых имеется значительное количество изломов (рис. 5.8). Число изломов определяется выражением где — энергия, необходимая для образования излома на ступеньке (равная энергии возгонки на атом). На бездислокационной грани ступенька либо начинается и кончается на краях грани, либо она образует замкнутую петлю. Ступенька образует двугранный угол, излом — трехгранный. Прямые ступеньки могут быть устойчивы только тогда, когда поверхность кристалла находится в состоянии устойчивого равновесия с паром (пар не пересыщен и не недосыщен). Если же пар пересыщен или недосыщен, то имеются только замк- [c.254]

Давление пара. Давление пара гексахлорида определено независимо двумя методами. Полученные результаты плохо совпадают. Одна группа измерений была выполнена с цельностеклянным эффузиопным манометром [200]. Давление пара и свободная энергия возгонки могут быть выражены с точностью до 1% или даже большей следуюш,ими уравнениями [c.402]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология