Получение полупроводниковых материалов

Обессоливание применяется в тех производствах, где к воде предъявляются особо жесткие требования по чистоте, например, при получении полупроводниковых материалов, химически чистых реактивов, фармацевтических препаратов. Обессоливание воды достигается методом ионного обмена, дистилляцией и электродиализом. [c.75]

Карбид, а также некоторые сплавы и соединения бора находят применение в ядерной технике в связи с его способностью поглощать нейтроны. Галлий, индий, таллий и их соединения используются в приборостроении и при получении полупроводниковых материалов. [c.74]

Применение в энергетике. Водород применяют как газообразный диэлектрик, как восстановитель при получении полупроводниковых материалов и тугоплавких металлов повышенной чистоты. Фтор и хлор применяют для синтеза полимеров фторопластов, винипластов, широко используемых в качестве диэлектриков. [c.235]

Полупроводимость отличается от обычной металлической электропроводности не только своей малой величиной. Она увеличивается с повышением температуры и сильно зависит от освещения полупроводников. Наиболее же существенным признаком полупроводимости является, как это указано выше, крайняя ее чувствительность (даже со стороны самого качества явления) к наличию примесей в самых ничтожных количествах. В связи с этим чрезвычайно важное значение имеет получение полупроводниковых материалов в исключительно чистом виде. [c.206]

РАБОТА 8. ПОЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ МЕТОДОМ ГАЗОТРАНСПОРТНЫХ РЕАКЦИЙ [c.75]

Металлы особо высокой чистоты получают из монокристаллов, прошедших зонную плавку. Зонная плавка применяется также при получении полупроводниковых материалов (германий и кремний) и основана на том, что примеси обладают большей растворимостью в жидком металле, как это видно из диаграмм плавкости (см. рис. 154, 155, 156,6). Создавая в твердом материале узкую прослойку жидкой фазы, медленно двигающуюся по нему от одного конца к другому, можно, последовательно проведя 4—6 таких операций, извлечь примеси из него и собрать их в один конец, который потом отрезается и идет в отход. [c.288]

Методы получения полупроводниковых материалов. Исходными материалами для получения чистого кремния и германия являются тетрахлориды, полученные из технических продуктов и про- [c.433]

Галлий, индий и таллий используют для получения полупроводниковых материалов. Индий наносят на металлы в качестве защитного покрытия. [c.233]

Учитывая современные требования и возможности науки и техники, разработан ряд компьютерных информационно-расчетных программ, позволяющих моделировать основные технологические процессы получения полупроводниковых материалов(такие как процессы зонной плавки, эпитаксии и др.). Эти программы могут быть использованы как для научно-технических расчетов, так и в учебном процессе. [c.159]

На рис. 1 представлена схема кристаллизационной печи для получения полупроводниковых материалов. Печь представляет собой охлаждаемую цилиндрическую камеру 1, в которой располагаются тигель 2, электрический нагреватель - сопротивление 3, система экранирования 4 и затравка с монокристаллом 5. В процессе вытягивания монокристалла тигель 2 и затравка [c.9]

С середины 50-х годов наиболее жесткие требования к чистоте материалов предъявляет полупроводниковая техника, так как качество полупроводников определяется в основном степенью их чистоты. Без разработки методов контроля содержания примесей с чувствительностью 10 — 10" %, а в отдельных случаях и до Ю %, невозможно уточнить технологию получения полупроводниковых материалов и соединений и создать надежные полупроводниковые приборы с заданными свойствами. Следует подчеркнуть, что необходимо вести контроль (правда, с разной чувствительностью) на всех этапах технологического процесса — от анализа сырья до анализа готовой продукции и не только основных полупроводниковых веществ германия, кремния, интерметаллидов, но и исходных элементов для синтеза полупроводниковых соединений, материалов для легирования, большого числа вспомогательных материалов и реактивов. [c.7]

Прм Получение полупроводниковых материалов (ОаАз и др.), компонент сплавов (с тяжелыми металлами), например с РЬ, для изготовления ружейной дроби. [c.88]

Перекисные соединения используются в самых различных областях народного хозяйства в процессах отбеливания и крашения естественных и искусственных волокон, для отбеливания древесной массы, целлюлозы, мыла, жиров, масел, в качестве составных частей стиральных порошков и синтетических моющих средств, в неорганическом и органическом синтезе, в пищевой промышленности, для производства пено-пластов, как инициаторы процессов полимеризации, в медицине и косметической промышленности, для регенерации воздуха, в пиротехнике, для извлечения некоторых металлов из рудных концентратов, для получения полупроводниковых материалов, для обработки и травления металлических поверхностей, в качестве добавок в дизельное топливо, в жидкостных реактивных двигателях. [c.3]

Научные работы посвящены исследованию и разработке материалов электронной техники. Выполнил фундаментальные исследования в области глубокой очистки, ориентированной кристаллизации и прецизионного легирования моно-кристаллических полупроводников — германия, кремния, соединений типа А "в и А в Изучал кинетику роста и легирования эпитаксиальных слоев полупроводниковых элементов, соединений и твердых растворов на их основе. Развил теорию и практику физикохимических процессов получения широкого класса полупроводниковых материалов, организовал их промышленное производство. Внес значительный вклад в становление и развитие микроэлектроники. Выдвинул идею получения полупроводниковых материалов в условиях космического пространства. По [c.319]

Основные научные работы — в области химии и технологии редких металлов, полупроводниковых материалов и металлов высокой чистоты. Исследовал (до 1956) электрохимию редких металлов, затем возглавлял научно-исследовательские, конструкторские и проектные работы по технологии получения полупроводниковых материалов. [c.450]

Тщательно проведенные анализы ряда соединений, а именно некоторых твердых окислов, сульфидов, гидридов, карбидов, убедили в том, что нестехиометрические соединения далеко не редки как среди природных минералов, так и среди искусственно полученных веществ. Нестехиометрические соединения вызвали к себе большой интерес не только с теоретической точки зрения, но и вследствие большого их значения в различных областях прикладной химии, в частности в технологии получения полупроводниковых материалов. - [c.8]

Легирующие примеси, среди которых наибольшее применение нашли фосфин, арсин, оксид мышьяка, диборан, хлороксид фосфора и трибромид бора, используют при получении полупроводниковых материалов. [c.131]

Большое значение в последние годы придается элементоорганическим соединениям, содержащим полиацетиленовые группировки. Эти соединения находят применение в качестве фармакологических препаратов, ингибиторов коррозии стали в кислой среде, а также как мономеры при получении полупроводниковых материалов. [c.174]

Возникновение электрохимии полупроводников как новой главы теоретической электрохимии обусловлено двумя основными причинами. Во-первых, многие электрохимические процессы, протекающие на границе электрод — электролит, совершаются фактически на поверхности, обладающей полупроводниковыми свойствами, со всеми особенностями, присущими такого рода материалам. Проводимость этих поверхностных слоев — окислов металлов, их гидридов, интерметаллических соединений и т. п.— по своей величине лежит между проводимостью металлов и диэлектриков. Она чувствительна к внедрению в основной слой следов примесей и в противоположность металлам увеличивается с температурой. Прохождение тока через полупроводники в общем случае осуществляется электронами (п-проводимость) или дырками, т. е. вакансиями, оставшимися после ухода электронов в другую энергетическую зону (р-проводимость). В отличие от металлов, в полупроводниках вблизи их поверхности раздела с другими фазами имеется широкая область объемного заряда, что значительно усложняет картину двойного электрического слоя. Выяснение кинетики многих электрохимических реакций (процессы в химических источниках тока, анодное растворение металлов и т. п.) становится поэтому невозможным без разработки электрохимии полупроводников. Во-вторых, в самой технологии получения полупроводниковых материалов, идущих на изготовление радиотехнических приборов, солнечных батарей и т. п., важную роль играют процессы, являющиеся по своей природе электрохимическими. К ним относятся, например, анодное и обычное травление полупроводников, осаждение тонких слоев металла на поверхность полупроводников и др. [c.491]

Получение полупроводниковых материалов, пьезоэлектриков. [c.10]

Получение полупроводниковых материалов с заданным распределением большого количества примесей [c.34]

Методы получения полупроводниковых материалов. Исходными материалами для получения чистого кремния и германия являются тетрахлориды, полученные из технических продуктов и прошедшие очистку вакуумной разгонкой и фракционированием. [c.435]

Наиболее супдественным признаком нолупроводимости (см. гл. VII, 3) является крайняя ее чувствительность (даже с качественной стороны явления) к наличию примесей в самых ничтожных количествах. В связи с этим чрезвычайно важное значение имеет получение полупроводниковых материалов, з частности гермаиия, в иск. почительно чистом виде. [c.365]

Методы получения полупроводниковых материалов. Исходными материалами для получения чистого кремния и германия являются тетрахлориды, полученные из технических продуктов и прошедшие очистку вакуумной разгонкой и фракционированием. Из тетрахлоридов 8(С14 и ОеСЦ, представляющих собой жидкости (см. с. 429), выделяют снова элементарный 5 и Ое, которые подвергают вакуумной плавке для удаления примесей и превращают в монокристаллы. [c.448]

Г. с., в отличие от алюминийорг. соед., как катализаторы полимеризации используются редко, гл. обр. из-за того, что стоимость Ga существенно выше, чем А1. Перспективно применение Г.с. для получения полупроводниковых материалов, напр, галлия арсенида. [c.481]

Одной из главных задач металлургии полупроводников является выращивание монокристаллов с заданными электрофизическими свойствами. Процессы получения полупроводниковых материалов тесно связаны с самыми различными областями науки и техники. Поэтому задачи металлургии полупроводников, очевидно, могут быть решены только совместными усилиями металлургов, физиков, химиков, теплофизиков и др. [c.5]

Элементарные процессы, происходящие при оброзоващш (17 нов и возбужденных частиц в их реакциях с молег лами в иошкш источнике масс-спектрометра, являются вместе с тем важными элементарными реакциями радиационной химии, химии высоких температур, химии электроразрядной плазмы и космохимии. Поэтому метод масс-спектрометрии может применяться для непрерывного определения состава жидкостей и газов в технологических системах, в том числе в химических реакциях, процессах получения полупроводниковых материалов и тонких пленок [36]. [c.141]

ИОД л1. 1. J (Jodum), химический элемент с порядковым номером 53, включающий 27 известных изотопов с массовыми числами 115-141 (атомная масса единственного природного изотопа 126,9045) и имеющий типичные степени окисления -I, -1-1, -(-Ш, -I-V, -I-VII. 2. Jj, простое вещество, чёрные с металлическим блеском кристаллы применяется для рафинирования тугоплавких металлов, для получения полупроводниковых материалов, в медицине и др. [c.159]

ЭЛЕКТРОПЕРЕНбС м. Явление разделения компонентов систем с электронной или дырочной проводимостью при пропускании постоянного тока используется для глубокой очистки металлов и для получения полупроводниковых материалов. [c.506]

Развитие основных направлений современной науки и техники связано с возрастающим использованием материалов высокой чистоты. В последние годы наиболее жесткие требования к чистоте материалов предъявляет полупроводниковая техника. Для уточнения технологии получения полупроводниковых материалов и соединений и создания на- дежных полупроводниковых приборов с заданными свойствами иеобхо-цима разработка методов контроля содержания примесей с чувствительностью 10 —10 %. [c.3]

Таким образом, разработка технологических схем получения полупроводниковых материалов, содержащих селен и теллур, всегда должна сопровождаться контролем степени чистоты исходных металлов с применением различных методов определения микропримесей элементов в них. [c.445]

Таким образом, накопленный к настоящему времени экспериментальный материал по особенностям проводимости полисопряженных систем указывает па возможность получения полупроводниковых материалов с разнообразными электрофизическими свойствами путем надлежащего подбора их химической макромолекулярной и пачечно-кристаллической структур. Однако получаемые до сих пор полимерные полупроводниковые материалы представляют собой либо неплавкие и нерастворимые порошки, либо непрочные волокна и ткани. Неудовлетворительные механические свойства являются одной из причин, затрудняющих не только применение, в частности использование их в качестве элементов радиотехнических устройств, но также и исследование этих материалов. [c.165]

Монография предназначена для химиков-неорганпков, научных работников, преподавателе и студентов химических вузов, а также для инженеров и техников, занимающихся получением полупроводниковых материалов. [c.4]

Ряд хлоридов, имеющих относительно низкую температуру кипения, можно подвергать глубокой очистке с последующим получением полупроводниковых материалов особой чистоты. Особое место занимают природные хлориды, применяемые в пищевой и химической промышленности (Na l), а также и как минеральные удобрения (КС1). [c.5]

Ртуть часто применяют в качестве вспомогательного вещества при изучении металлических систем. Например, с ее помощью были уточнены диаграммы состояния бинарных сплавов никель — цинк, никель — олово, железо — марганец, хром — цинк и др. Она применяется в качестве растворителя для получения полупроводниковых материалов, в частности, для выращивания при низких температурах из насыщенных ртутных растворов а-олова монокристаллов серого олова Пластинки, изготовленные из серого олова, обладают большой чувствительностью к инфракрасному излучению и позволяют обнаруншвать электромагнитные волны длиною до 15 мкм. [c.8]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология