Мотта

Рис. 26. Переход ионов металла па точки Я в междоузлия решетки окислов по теории Мотта и Кабреры I — металл 2 — окисел —хемосорбированный кислород

Согласно теории Мотта и Кабреры, скорость переноса электронов через тонкий слой путем туннельного эффекта велика по сравнению со скоростью переноса ионов металла. Контролирую- [c.49]

Теория Мотта и Кабреры позволяет прежде всего определить критическую толщину окисной пленки hg, выше которой применима теория образования толстой окалины, а ниже которой необходимо использовать теорию для тонких пленок. [c.50]

Дунстан и Мотт заключили из этих опытных данных, что водоро 1( и азот дают равные результаты. [c.345]

Рис. 27. Электронные уровни в металле, окисле и хемосор-бированном кислороде по Мотту и Кабрере

По теории Мотта и Кабреры, скорость окисления определяется величиной ионного тока, характеризуемой соотношением [c.55]

Кабреры— Мотта Перенос ионов в электрическом поле — Пленки тоньше 80 А Окислы -типа (1000 А) Окислы п-типа (1000 А) — Окислы п-типа [c.81]

Мотта, Материалы Международной конференции по мирному использованию атомной энергии, Женева, 1955, т. 9, стр. 733. [c.467]

См. список литературы. Необходимо отметить, что в книге Н. Мотта [c.96]

Мотт Н. Электрон в неупорядоченных структурах. Мир , 1969. [c.98]

НЫМИ энергетическими зонами (ср. разд. 6.6.3). Схема расположения энергетических зон по Мотту и Джонсу изображена на рис. В.ЗЗ. [c.580]

При небольшой толщине окисного слоя внутри его возникает электрическое поле большой напряженности. В таких условиях по И. Мотту и И. Кабрере существует экспоненциальная зависимость между плотностью тока и напряженностью поля в окисном слое [c.383]

Рис. 47. Плотность вероятности электронных состояний ртути по Мотту [28]

Сравнительно хорошее для теоретических расчетов согласие с экспериментом дает простая модель, впервые предложенная Моттом, которая основана на аналогии с моделью атома водорода (см. гл. I). Если рассматривать атом мышьяка в германии, то свободный электрон движется, как и в атоме водорода, в поле одного элементарного заряда, однако на него одновременно воздействует периодическое поле решетки. В связи с этим для него [c.239]

Допущение, что скорость дезактивации не зависит от внутренней энергии, является до некоторой степени грубым. Имеется экспериментальное доказательство, что скорость потери колебательной энергии молекулой Ij при столкновении примерно в 100 раз больше для высоко возбужденных состояний, чем для более низких энергетических состояний. Ельяшевич [4], Мотт и Массей [5] сделали приближенные квантовомеханические расчеты, которые указывают, что при соударении с атомом потеря или приобретение кванта колебательной энергии гармоническим осциллятором пропорциональна энергии осциллятора. Другая работа по этой проблеме заключалась в экспериментальном изучении дисперсии звука в газах. Эти измерения показали [6], что для самых низких вибрационных состояний величина Хо равна около 10 , но может сильно варьировать от газа к газу и сильно зависит от химической природы соударяющихся газов. [c.210]

В. Мотт [44] полагал, что теплота хемосорбции облегчает обменные процессы на поверхности металла на начальной стадии взаимодействия с кислородом. Перестройка поверхности (обмен местами катионов металла и анионов кислорода) происходит тогда, когда энергия, обусловленная силами зеркального изображения кислородного иона больше энергии связи катиона в кристаллической решетке металла. [c.38]

Одна из первых теорий роста очень тонких оксидных пленок была развита Моттом [44] на основе следующих положений [c.42]

Теория Мотта, как следует из исходных предпосылок, предсказывает независимость скорости окисления от давления кислорода. Вместе с тем экспериментальные исследования свидетельствуют о наличии такой зависимости (рис. 16, 17). [c.43]

Мы проанализируем тлавнейшпе работы Мотт и Дунстан подвергали газойли воздействию под давлением во цорода и азота с целью определения, являются ли получаемые результаты следствием применяемого давления или гидриро-Еанпя перерабатываемой продукции. [c.345]

Механизм, который предложили Кабрера и Мотт (]949 г.), исходит и из существования на металле образовавшейся в процессе хемосорбции кислорода пленки, в которой ионы и электроны движутся независимо друг от друга. При низких температурах диффузия ионов через пленку затруднена, в то время как электроны могут проходить через тонкий еще слой окисла либо благодаря термоионной эмиссии, либо, что более вероятно, вследствие туннельного эффекта (квантово-механического процесса, при котором для электронов с максимальной энергией, меньшей, чем это требуется для преодоления барьера, все же характерна конечная вероятность того, что они преодолеют этот барьер, т. е. пленку), обусловливающего высокую проводимость окисной пленки при низких температурах. При этом на поверхности раздела металл— окисел образуются катионы, и на поверхности раздела окисел— газ—анионы кислорода (или другого окислителя). Таким образом, внутри окисной пленки создается сильное электрическое поле, благодаря которому главным образом ионы и проникают через пленку, скорость роста которой определяется более медленным, т. е. более заторможенным, процессом. [c.48]

Мотта— Хауффе— Ильшнера Туннельный эффект (электронный) Пленки тоньше 50 А - — — — — [c.81]

Из многоступенчатых установок по своей простоте заслуживают особого внимания установки системы Эделеану и Холлея—Мотта (по 5 баллов). Изготовление многоступенчатых вертикальных и центробежных экстракторов при увеличении размеров сопряжено с большими конструктивными затруднениями, поэтому их следует применять, если не требуется высокой производительности. [c.369]

Первый смеситель-отстойник типа Холлей-мотт был применен в нефтеперерабатывающей промышленности. В аппарате имеются отдельные смесительные и отстойные камеры, где противоток осуществляется под действием силы тяжести. В установках тииа смеситель-отстойник , применявшихся раньше, одна из фаз перекачивалась насосом из одной стунени в другую. [c.144]

На рис. 1Х-2 представлено другое смесительно-отстойное оборудование. На рис. 1Х-2, а показан экстрактор Халлей Мотта [c.161]

Атомы щелочных металлов отличаются высокой подвижностью. Однако и атомы других металлов могут переходить на поверхностные слои окислов и мигрировать там. Окисление многих металлов начинас тся так же, как в случае механизмов, описанных выше. Молекула кислорода, хемосорбированная на поверхности металла, получая от последнего электроны, переходит в соответствующий ион. К, образовавшемуся хемосорби-ювангюму иону кислорода может приблизиться ион металла. 3 результате взаимодействия этих ионов возникает мономолекулярный слой окисла. На поверхность данного слоя может перейти новая порция ионов металла, которые также будут взаимодействовать с кислородом, и т, д. П )н этом перенос ПОНОВ обоих видов может происходить и по другим механизмам. В частности, ноны металла могут проникать сквозь слой окиси через имекш1иеся в ее решетке вакантные места, а ионы кислорода—двигаться в противоположном направлении. Рассма триваемый вопрос имеет близкую связг с широко распространенными реакция.ми потускнения металлов, которые в течение последних 20—25 лет подроб[ю изучаются и, в частности, описаны в очень интересных работах Вагнера [163] и Мотта [164] и в небольшой, но превосходной монографии Риза [866]. [c.105]

При всех других значениях у функция гр экспоненциально возрастает, как показано пунктиром на рис. 26, а. На рис. 26,6 мы видим, что при прохождении через барьер функция возрастает. Электронная щ волна при подходяших значениях энергии может проходить через неупорядоченный ряд барьеров. Мотт показал, что в промежутках между Р потенциальными барьерами волновая функция г]) для ряда значений энергии имеет О, 1, 2... нулей, т. е. для этих значений собственные функции уравнения (УП.П) локализованы в данных промежутках. [c.97]

Эти потери рассмотрены Моттом и Бейтесоном, а расчет долговечности при атермическом разрушении приведен в [5]. Стартовая скорость трещины иа в атермических условиях разрушения [c.308]

Галогениды серебра обладают эффектом фотопроводимости. Считается, что освещение галогенида серебра перебрасывает фотоэлектроны из валентной зоны в зону проводимости галогенида (см. разд. 8.9.2). Механизм образования свободного серебра в этом случае включает миграцию фотоэлектронов и внедренных ионов серебра в избранные точки на зерне, а затем появление свободных атомов серебра в результате соединения ионов и электронов. Образовавшиеся таким образом свободные атомы серебра действуют как эффективные ловушки возникающих впоследствии фотоэлектронов, и новые ионы серебра превращаются в нейтральные атомы вблизи того места, где появился первый атом. Поэтому крупицы серебра растут в отдельных исходных точках. Остающиеся после отрыва электронов положительно заряженные дырки могут обладать некоторой подвижностью и диффундировать к поверхности галогенидосеребряных зерен, выделяя свободный галоген. На рис. 8.14 показан механизм образования изображения, базирующийся на представлениях Гёрни и Мотта. Альтернативная схема, предложенная Митчеллом, предполагает первоначальный захват электрона ионом Дg+ с последующей адсорбцией Ag+ на растущей крупице серебра для захвата возникающих позже электронов. В обоих случаях основные процессы аналогичны. Стадии до образования крупицы из двух атомов обратимы, что согласуется с экспериментальным фактом стабильности скрытого изображения лишь при формировании агрегатов из более чем двух атомов (см. выше). [c.247]

Гипотетический механизм Гёрни — Мотта (или Митчелла) экспериментально хорошо подтвержден. Фотопроводимость галогенидов серебра, которые предварительно освещались до почернения, оказывается меньше, чем у неэкспонированных Это указывает на эффективный захват электронов частицами коллоидного серебра (или физическими дефектами, вносимыми в решетку при образовании частиц). Участие заряженных частиц в формировании изображения показано в эксперименте, в котором кристалл хлорида серебра помещался между двумя электродами и освещался через полупрозрачное токопроводящее окно в одном электроде. Образец облучался в области максимума спектра поглощения. В отсутствие приложенного электрического поля место формирования изображения ограничивалось областью вблизи поверхности кристалла. Однако в случае приложения сильного электрического поля и при освещении через отрицательный электрод фотоэлектроны смеща- [c.247]

Рис. 8.14. Схема формирования серебряного изображения, основанная на концентрационном принципе Гёрни —Мотта. В альтернативной схеме Митчелла первой стадией является захват электрона ионом Ад+ образующийся нейтральный атом kg адсорбирует второй ион А + и т. д.

Как показал Н. Мотт [28], аномальное поведение ртути объясняется тем, что валентная зона, электронные состояния которой полностью заполнены, слабо перекрывается со следующей зоной. В результате, как видно из графика на рис. 47, а, описывающего зависимость плотности вероятности электронных состояний от их энергии, образуется провал псевдощель . При снижении плотности ртути провал становится глубже (рис. 47, б). [c.197]

Мотт П., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. Пер. с англ. ИЛ, 1950. 304 с. с ил. [c.537]