Температура заселения

Значения V различны для разных связей, но для большинства связей находятся в пределах 10 — 10 с" (подробнее см. 10.3). Нетрудно убедиться, что при комнатной температуре заселенность даже первого возбужденного состояния может быть довольно низкой. Например, для ч = 3 10 с отношение заселенностей первого возбужденного (у = 1) и основного (о = 0) состояний составляет согласно (1.34) и (6.5) [c.97]

При достаточно низкой температуре заселен только основной уровень, н спектр поглощения сильно упрощается в нем остаются только линии, соответствующие переходам с основного уровня. При повышении температуры по мере заселения возбужденных уровней [c.212]

При неравновесном состоянии вещества заселенность уровней зависит от конкретных условий возбуждения и может очень сильно отличаться от равновесной при данной температуре. Это ведет к изменению спектров поглощения и испускания. Если при низкой температуре заселенность высших уровней велика, наблюдается так называемое холодное свечение. [c.213]

При обычной температуре заселенность основного уровня с /= = +72 несколько выше, чем уровня с I—— /г- Однако эта разность невелика — всего 10 от общего числа магнитных ядер в образце. Связано это с тем, что энергия теплового движения значительно выше, чем разность уровней АЕ. При поглощении энергии переменного магнитного поля радиочастотного диапазона с частотой V происходит выравнивание заселенностей обоих уровней за счет перехода избыточной части ядер с низшего уровня на высший. В методе ЯМР регистрируется энергия излучения при возвращении ядер в исходное состояние. [c.88]

Прн какой температуре заселенность первого (и=1) колебательного уровня молекулы На будет равна половине заселенности самого нижнего (о = 0) колебательного уровня Основная частота составляет 4395 см-. [c.492]

При 70 °С при повышении температуры уменьшается. При повышении температуры уменьшается. При повышении температуры заселенности всех конформеров становятся равными. [c.203]

При высоких температурах заселенность уровней в этой области становится существенной для средней колебательной энергии молекул. [c.229]

В этой главе мы ограничимся кратким описанием принципов измерения температуры пламени. Подробное рассмотрение вопроса измерения температуры заселения будет проведено в следующей главе. Здесь мы используем упрощенную методику, обычно применимую только к излучателям, спектры которых можно считать непрерывными в интервале длин волн, разрешаемых спектральным прибором. [c.394]

ТЕМПЕРАТУРА ЗАСЕЛЕНИЯ И ПОСТУПАТЕЛЬНАЯ ТЕМПЕРАТУРА СВОБОДНЫХ РАДИКАЛОВ В ПЛАМЕНАХ [c.411]

Температура заселения и поступательная, температура 415 [c.415]

ВЛИЯНИЕ САМОПОГЛОЩЕНИЯ ИА НАБЛЮДАЕМУЮ ТЕМПЕРАТУРУ ЗАСЕЛЕНИЯ В ЭКСПЕРИМЕНТАХ ПО ПОГЛОЩЕНИЮ [19] [c.420]

Фиг, 17.3. Стандартные графики для определения наблюдаемых температур заселения Т основного электронного состояния в опытах по поглощению для различных температур Тд источника света. [c.421]

Рис. 24. Зависимость от температуры заселенности самого низкого уровня энергии (число частиц на этом уровне N0) и возбужденных уровней (число частиц на них N ) для системы бо,-зонов

Колебательные уровни молекул ближе друг к другу, чем электронные, однако при нормальных температурах обычно почти все молекулы находятся в основном колебательном состоянии. Возьмем для примера окись углерода СО. Разница в энергиях уровней составляет 25 кДж/моль, поэтому при комнатной температуре заселенности первого возбужденного и основного состояний находятся в соотнон1епии [c.22]

Подводя итог, можно сказать, что два взаимно дополняющие метода исследования структуры молекул — чисто вращательная спектроскопия и электронография—имеют свои недостатки. Можно указать иа два недостатка такого идеального метода как чисто вращательная спектроскопия. Первый заключается в том, что микроволновые спектрометры для работы в области высоких температур имеют чувствительность на три порядка ниже, чем работающие при комнатной температуре второй — при высоких температурах заселенность различных возбужденных колебательных уровней молекул с относительно низкими частотами велика, а так как микроволновой спектрометр обычно разрешает вращательные переходы разных колебательных состояний, интенсивность отдельных линий оказывается низкой. Отсюда следует, шз мнению таких крупных специалистов, как Клемперер и Бюхлер, что многоатомные частицы, возникающие при высоких температурах, не могут быть успешно изучены абсорбционной микроволновой спектроскопией [41]. [c.31]

В гл. 16 и 17 излагаются оптические методы измерения температуры пламен. Этим вопросом Пеппер занимался длительное время. В первой из этих глав обсуждаются различные методы измерения температуры (яркостной, цветовой, метод обращения и его модификация, двухпутный метод, метод горячей проволочки с компенсацией). Во второй же дискутируется вопрос о температуре заселения и трансляционной температуре радикалов. В качестве дополнительной литературы к этим главам можно рекомендовать сборник статей Оптическая пирометрия плазмы [48] и книги Гейдона и Вольфгарда Пламя, его структура, излучение и температура [49] и Кадышевича ]йзмеренйе температуры пламен [50]. Поскольку в книге Пеннера отечественные работы по оптической пирометрии пламен не отражены, мы сочли целесообразным привести библиографию по этому вопросу [53—70]. [c.10]

В следующем разделе будет показана зависимость определения температуры заселения от измерения отношения интегральных интенсивностей. Экспериментальные условия, при которых предполагается определять относительные интегральные интенсивности при измерении температур пламени, в общем отличны от условий, рассматриваемых в предыдущих главах. Поэтому интересно точно определить предположения, которые вводятся в стандартной экснеримептальиой методике. [c.411]

Температура заселения. Даже в областях активного сгорания можно определить и измерить температуры по относительной заселенности различных энергетических уровней молекул. Результаты измерения будем называть вращательной, колебательной или электронной темпера-туро11 в зависимости от того, какая степень свободы включена в измерепия. При термодинамическом равновесии эти температуры равны между собой и, следовательно, равны поступательной температуре, т. е. средней кинетической энергии молекул. В областях активного сгорания в общем нельзя ожидать равновесного распределения энергии по степеням свободы, которое устанавливается исключительно в результате молекулярных столкновений, происходящих вслед за химическими реакциями. [c.414]

Индексы ы и / 13 обозначении температур заселения показывают, что темнературы относятся к верхнему (и) или ииншему (/) уровням энергии. [c.416]

Простые соотнон1ения для колебательных и электронных температур могут быть получены путем применения соответственно формулы (17.25) для фиксированных значений /, /, г, I или /, /, V, V и формулы (17.26) для фиксированных значений /°, /", 1°, " и,тш /°, /", 0°, V". Имеются и другие очевидные приемы использования формул (17.22), (17.25) и (17.26) для определения температур заселения. [c.416]

Экспериментальные исследования температур заселения в пламенах описаны многими исследователями для —> 11-переходов ОН в пламенах при низком давлении [9—12] и при атмосферном давлении [9, 13—16]. Если данные, нолученные в экспериментах по излучению, обработать по обычной методике (разд. 17.1 и 17.2), то графики, используемые для определения вращательных температур, б5 дут иметь разрывы или искривления в областях малых н больших значений вращательной энергии Е К) в начальном (верхнем) состоянии. Рассмотрим количественно некоторые эффекты, которые могут вызвать искажение этих графиков даже для равновесного излучения [17—23]. Неравновесные вращательные и колебательные темнературы будут кратко рассмотрены в разд. 17.23. [c.417]

В разд. 17.4 показано количественно влияние самопоглощения иа наблюдаемую температуру заселения в изотермических системах в опытах по излучению, а в разд. 17.5 — возможное влияние самопоглощения на наблюдаемую температуру заселения. 7 в опытах по поглощению. В разд. 17.6 описаны количественные расчеты влияния абсолютных значений спектральной излучательной способности нри исиользовании метода равных интенсивностей [4, 23]. В разд. 17.7 исследованы радиационные характеристики специальных двухфазных смесей ОН в соответствии со стандартной методикой и методом равных интенсивностей для интерпретации опытов по излучению. В разд. 17.8 используется упрощенная модель для исследования одновременного искажения экснеримептальиых данных совместным влиянием самопоглощения и температурного градиента. В разд. 17.9 рассмотрен пример, иллюстрирующий возможность неправильного истолкования эксперимеитальных результатов. [c.417]

Формулы для определения наблюдаемых температур заселения. Для спектрально линии с допплеровским контуром максимзш наблюдаемой [c.417]

Метод демонстрации влияния самопоглощения на наблюдаемые температуры заселения ОН в излучении ). Рассмотрим теперь количествеппо-влияние абсолютных значений е гта наблюдаемые температуры засоления, определенные но формуле (17.33). Можно начертить графики зависимости lg I р] от для различных значений б по приведенной ниже схеме. [c.418]

Уравнения для определения наблюдаемых температур заселения. В методе поглощения, когда используется источник, более яркий, чем излучаемые линии, спектральная светимость которого равна максимальное значение эффективно поглощенной интенсивности а =, 4макс,/-Й8 (v ,J) дается выражением [c.420]

Метод, демонстрации влияния самопоглощения на наблюдаемые температуры заселения ОН. Рассмотрим количественно влияние абсолютных значений а на температуры заселения, определяемые ио (17.41). График зависимости 1н [Лмаис./й ц 1 1 ] от E можно построить по сле-Дующе схеме. [c.420]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология