Влияние самопоглощения

Интенсивность спектральной линии при постоянных условиях пропорциональна количеству введенных в пламя атомов элемента или концентрации соли металла в анализируемом растворе. Однако в реальных случаях эта зависимость может нарушаться вследствие протекания в пламени процессов самопоглощения, ионизации и образования термически устойчивых соединений. На рис. 1.13 представлена зависимость интенсивности спектральной линии от концентрации элемента в растворе. При средних содержаниях определяемого элемента в растворе эта зависимость линейна. Для больших содержаний сказывается влияние самопоглощения эмиссии атомов в плазме и в этом случае интенсивность излучения спектральной линии пропорциональна корню квадратному, из концентрации элемента в растворе. При очень низких концентрациях элемента и высокой температуре плазмы проявляется процесс ионизации его атомов и интенсивность излучения спектральной линии пропорциональна квадрату концентрации. В обоих случаях градуировочный график искривляется. Кроме процессов, указанных выше, на ход графика влияет ряд других факторов, поэтому определение элементов в методе фотометрии пламени проводят с использованием серии растворов сравнения. Они должны содержать все вещества, входящие в состав исследуемого раствора, и фотометрироваться в одинаковых с ним условиях. [c.37]

Интенсивность спектральной линии возрастает пропорционально концентрации невозбужденных атомов в плазме N0, а следовательно и концентрации элемента в пробе только при малых значениях этих величин. При более высоких концентрациях атомов зависимость интенсивности от N0 ослабляется вследствие эффекта поглощения плазмой излученных фотонов (самопоглощение). Влияние самопоглощения наиболее выражено для резонансных линий, так как в этом случае фотоны поглощаются атомами, находящимися в основном состоянии, т. е. преобладающими в плазме. При очень высоких концентрациях элемента и, соответственно, высоком самопоглощении интенсивность спектральной линии достигает максимума, не зависит от концентрации и равна интенсивности излучения абсолютно черного тела для данной температуры в данном спектральном интервале длин волн. [c.11]

Рис. 3. Влияние самопоглощения на прО ш[ь спектральной линии в отсутствие (1) и в случае (2, 3) резонансного поглощения.

Степень самопогло-щения, очевидно, возрастает с увеличением концентрации атомного пара. Это приводит к нарушению линейной зависимости / от с в области высоких концентраций (рис. 11.20, а). Для чета влияния самопоглощения предложено эмпирическое уравнение Ломакина—Шайбе. [c.232]

I — зона влияния ионизации II — зона прямой пропорциональности 111 — зона влияния самопоглощения [c.37]

Формы кривых для некоторых других металлов (рис. 37) могут быть объяснены, исходя из представлений о влиянии самопоглощения или замедленного испарения металла из частиц аэрозоля. [c.76]

Фиг. 5. Влияние самопоглощения в образцах на активность образцов

Влиянием самопоглощения объясняется и изменение относительной интенсивности компонент сверхтонкой структуры, что отмечалось ранее рядом исследователей, например в работе [13]. [c.76]

ВЛИЯНИЕ САМОПОГЛОЩЕНИЯ НА НАБЛЮДАЕМЫЕ [c.417]

ВЛИЯНИЕ САМОПОГЛОЩЕНИЯ ИА НАБЛЮДАЕМУЮ ТЕМПЕРАТУРУ ЗАСЕЛЕНИЯ В ЭКСПЕРИМЕНТАХ ПО ПОГЛОЩЕНИЮ [19] [c.420]

ВЛИЯНИЕ САМОПОГЛОЩЕНИЯ ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ МЕТОДА РАВНЫХ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ [19] [c.422]

Уравнение (54) описывает влияние самопоглощения на яркость выходящего флуоресцентного излучения. Когда плотность лазерного излучения очень высока, населенности двух уровней. [c.218]

Если в пламени преобладающим влиянием оказывается влияние самопоглощения, то при малых концентрациях между / и С наблюдается прямолинейная зависимость, а при больших концентрациях определяемого элемента величина / изменяется пропорционально ус (рис. 60, кривая /). Если преобладающее влияние оказывает ионизация (например, для щелочных металлов с низкими потенциалами ионизации), то при малых концентрациях (Я//(и < 0,01) интенсивность излучения / изменяется пропорционально квадрату концентрации, а при больших значениях С (Р/7(и > 100) наблюдается линейная зависимость I от С (кривая 2). Кривые 1 я 2 характерны для щелочных и щелочноземельных металлов. У элементов третьей группы часто наблюдается линейная зависимость / от С. На форме кривой зависимости / = /(С) часто сказывается влияние самопоглощения и ионизации одновременно. [c.211]

Однако положение максимума очень сильно зависит от самопоглощения в холодных газах, окружающих пламя. Этот эффект наиболее наглядно заметен на кривых Гарнера и Джонсона [92], полученных ими при исследовании взрывов расчет влияния самопоглощения на положение максимума полосы, лежащей около 4,4 [л, был проведен Баркером [10]. [c.168]

Влияние самопоглощения всегда сводится к увеличению относительной интенсивности слабых компонентов, что в пределе приводит к выравниванию интенсивностей. [c.570]

Вероятно, этой причиной во всех случаях можно пренебречь, по-видимому за исключением водорода и лития. Влияние самопоглощения и других причин, могущих привести к нарушению равенства отношения интенсивностей кантов полос отношению концентраций, насколько нам известно, ни в одном случае подробно не исследовалось. То, что такого рода причины существуют, следует хотя бы из результатов работы по изотопному анализу полония [ ]. [c.590]

Влияние самопоглощения линии. При наличии самопоглощения аналитическая кривая для изотопного анализа тяжелых элементов (а1 = аг) может быть выражена следующим образом [c.138]

Аналитическая прямая. Важным вопросом при анализе изотопного (состава лития является влияние самопоглощения линии Ы 6707,8 А [c.164]

Для среднего интервала концентраций зависимость прямолинейна. В области больших значений С кривая искривляется к оси абсцисс вследствие влияния самопоглощения, интенсивность излучения здесь прямо пропорциональна корню квадратному из концентрации элемента в растворе. При небольших концентрациях и высоких температурах пламен кривая искривляется к оси ординат, так как начинает проявляться процесс ионизации. [c.247]

Теоретически для измерения твердых образцов наряду со счетчиками могут быть применены и ионизационные камеры. Это возможно благодаря более высокой удельной ионизации -лучей углерода но сравнению с частицами фона, т. е. с ионизирующими частицами космического излучения и -лучами или электронами отдачи, вызванными неизбежными радиоактивными примесями. Таким образом, в процентном отношении к изморенной активности образца фон ионизационного тока в камере будет меньше, чем фон для числа сосчитанных счетчиком Г.—М. частиц. Практически, однако, при применении ионизационных камер изотоп измеряется в виде газообразного СОд, так как в этом случае в значительной степени исключается влияние самопоглощения. [c.178]

Оценим влияние самопоглощения на форму градуировочного графика, построенного в координатах А, Сне-Зависимость интенсивности спектральной линии / от концентрации атомов Л/ в разряде при наличии самопоглощения, установленная Л. А. Спекторовым [П] на основе теории Милна, имеет вид [c.350]

В разд. 17.4 показано количественно влияние самопоглощения иа наблюдаемую температуру заселения в изотермических системах в опытах по излучению, а в разд. 17.5 — возможное влияние самопоглощения на наблюдаемую температуру заселения. 7 в опытах по поглощению. В разд. 17.6 описаны количественные расчеты влияния абсолютных значений спектральной излучательной способности нри исиользовании метода равных интенсивностей [4, 23]. В разд. 17.7 исследованы радиационные характеристики специальных двухфазных смесей ОН в соответствии со стандартной методикой и методом равных интенсивностей для интерпретации опытов по излучению. В разд. 17.8 используется упрощенная модель для исследования одновременного искажения экснеримептальиых данных совместным влиянием самопоглощения и температурного градиента. В разд. 17.9 рассмотрен пример, иллюстрирующий возможность неправильного истолкования эксперимеитальных результатов. [c.417]

Метод демонстрации влияния самопоглощения на наблюдаемые температуры заселения ОН в излучении ). Рассмотрим теперь количествеппо-влияние абсолютных значений е гта наблюдаемые температуры засоления, определенные но формуле (17.33). Можно начертить графики зависимости lg I р] от для различных значений б по приведенной ниже схеме. [c.418]

Метод, демонстрации влияния самопоглощения на наблюдаемые температуры заселения ОН. Рассмотрим количественно влияние абсолютных значений а на температуры заселения, определяемые ио (17.41). График зависимости 1н [Лмаис./й ц 1 1 ] от E можно построить по сле-Дующе схеме. [c.420]

Самопоглощение света в разряде должно, вообще говоря, приводить к завышению интенсивности линии, принадлежащей тому изотопу, концентрация которого ниже. Са1М0-поглощение зависит от диаметра разрядной трубки, плотности тока и давления газа. В случае смеси водород-дейтерий учет самопоглощения осложняется различием в допплеровском уши-рении линий. Поэтому всегда выгодно пользоваться узкими разрядными трубками. Исследование, проведенное Бройда в широком интервале изменения силы тока и при разных давлениях в системе показало независимость отношений интенсивностей от силы тока в трубке. Это же подтверждено поставленными в работе [ ] опытами. Таким образом, можно считать, что при узких разрядных трубках влияние самопоглощения не выходит за пределы ошибок опыта. [c.536]

Для случая смешанного контура — допплеровского и дисперсионного — расчет влияния самопоглощення на контур линии испускания проведен Л. М. Биберманом и Е. М. Новодворской [ 2]. Для значений < 2 полученная ими зависимость ширины линии от Хц/ приведена на рис. 290. Здесь [c.518]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология