Критическое скалывающее напряжение

В кристаллах промышленного бериллия критическое скалывающее напряжение, т. е. напряжение, при котором наблюдается текучесть материала, наступает при величине 142 кГ/см в направлении растяжения под углом 45° к плоскости базиса. Остаточное удлинение до разрушения при этом мало и составляет 1—2%. При ориентации этих кристаллов для скольжения пр плоскости призмы критическое скалывающее напряжение составляет 710 кГ/см2, а удлинение до разрушения —12%. [c.16]

Б. Критическое скалывающее напряжение [c.154]

Рис. 71. Температурные зависимости критического скалывающего напряжения для нескольких монокристаллических карбидов [20, 21, 32].

Рис. 73. Изотермы концентрационной зависимости критического скалывающего напряжения в V , . [3].

Рис. 81. Температурные зависимости критического скалывающего напряжения в чистых (/) и легированных бором (2) (несколько десятых процента) монокристаллах Ti [47].

Очень высокие значения модуля упругости и критического скалывающего напряжения, необходимого для того, чтобы вызвать скольжение. [c.234]

К закону критического скалывающего напряжения [c.302]

Представление о дислокациях объясняет особенности пластической деформации кристаллов, описанные в 55. Плоскости и нанравления скольжения-это плоскости и направления движения дислокаций. Критическое скалывающее напряжение — это напряжение, которое должна преодолеть дислокация, чтобы прийти в движение. Идеальный кристалл мог 61,1 начать деформироваться только при одновременном разрушении всех связей в какой-либо кристаллографической плоскости. Деформация реального кристалла начинается, когда внешнее напряжение достигает значения, необходимого для начала [c.326]

Особенно интересен самый начальный этап возникновения зародыша микротрещины, который может быть представлен как слияние нескольких дислокаций и образование полого ядра [112, 113, 119]. Действительно, уже при небольших скалывающих напряжениях 10 дн см дислокационные скопления в отдельных плоскостях скольжения могут достигать величины п 10 —10 . При этом оказывается, что расстояние между двумя ведущими дислокациями Xi 0,42 Ф)1пх сокращается до нескольких Ъ, становясь меньше ширины дислокации [214], а силам отталкивания между ними, определяемым соотношением F = Gb l2n i — [i)xi [201], должны отвечать напряжения, достигающие так называемого теоретического значения критического скалывающего напряжения в идеальном кристалле, оцениваемого как G 2n — G/30 [215, 216]. Это означает, что в непосредственной близости от головы скопления выводы линейной теории утрачивают справедливость. Головным дислокациям оказывается выгодным слиться и образовать полое дислокационное ядро, как это изображено схематически на рис. 91. Преодолеваемый потенциальный барьер тем более мал, что начальное полое ядро еще не имеет развитой поверхности, т. е. значение избыточной свободной энергии а еще [c.176]

Таблица 14.3. Расчетные и экспериментальные значения критического скалывающего напряжения

Такие поверхностные барьеры на пути выходящих дислокаций могут иметь различную природу — окисныеи солевые пленки, поверхностные упрочненные слои, вакансионные комплексы, выделения и др. Скорость прохождения дислокаций сквозь более или менее прозрачные барьеры и размеры заторможенных подповерхностных дислокационных скоплений зависят от условий деформирования — скорости, температуры и др. Поэтому действие таких барьеров сказывается на характере стадий легкого скольжения и деформационного упрочнения, а также на скорости ползучести, тогда как непрозрачные барьеры (например, толстые и прочные поверхностные пленки) оказывают влияние на величину критического скалывающего напряжения. [c.144]

Эрдли [2] было показано на монокристаллах СпаАи, что критическое скалывающее напряжение падает непрерывно с увеличением степени порядка внутри домена (порядок изменялся от 0,8 до 1). В то же время в зависимости от величины домена изменяется по кривой с максимумом. [c.40]

Критерий механического двойникования. При макроскопическом описании трансляционного скольжения кристаллов в качестве критерия начала процесса щироко используется оправдавший себя на практике зжон критических скальшающих напряжений предел текучести независимо от вида напряженного состояния наблюдается тогда, когда касательные напряжения, действующие на плоскости скольжения в направлении скольжения, достигают некоторого критического значения. Относительно применимости закона критических скалывающих напряжений к описанию механического двойникования имеются противоречивые данные [1]. Поэтому в [39] предложен другой критерий механического двойникования. [c.133]

Напряжение сдвига вдоль плоскости и в направлении скольжения, необходимое для обеспечения макроскопического скольжения в монокристалле при данной температуре, называется критическим скалывающим напряжением (КСН). КСН для Ti i- изучалось в зависимости от температуры и состава [17, 19, 32] и для Nb [32], Zr [32], V o,84 [20] как функция температуры. В случае Zr эти исследования выполнялись для нескольких систем скольжения [21]. Измерения проводились при температурах выше 800°С, т. е. выше температуры перехода из хрупкого состояния в пластичное (перехода хрупкий — пластичный). КСН обычно определялось при испытании на сжатие вдоль направлений (100). В некоторых случаях для этой цели проводились испытания на изгиб с применением сосредоточенной нагрузки на образец, лежащий на [c.154]

Рис. 72. Зависимость критического скалывающего напряжения в Т1С1 1 от состава при 927 °С [32].

КСН Zr o,9o изучалось в зависимости от температуры для нескольких систем скольжения [21]. При изменении ориентации кристалла возникает скольжение по разным системам, выбор конкретной системы зависит от фактора Шмидта. Например, скольжение по плоскостям 110 более предпочтительно, чем по 111 , хотя различие между ними не очень велико. В то же время критическое скалывающее напряжение по плоскостям 100 почти в два раза больше, чем по двум другим плоскостям. [c.157]

Рис. 79. Влияние скорости деформации иа критическое скалывающее напряжение в Т1Со.9э [32].

Для монокристаллов олова при 20° С максимум адсорбционного эффекта лежит при скорости деформации около 5% мин . При повышенной температуре (100° С) максимум смещается в сторону больших скоростей. На рис. 9 дана зависимость величины адсорбционного эффекта, выраженного как разность пределов текучести АРщ— Рт)о Рт)л при растяжении монокристаллов олова, от скорости деформации при разных температурах. Величина критического скалывающего напряжения Тк = Р,п sin Xo osXo соответствующая пределу текучести, также зависит от скорости деформации. С увеличением скорости деформации критическое скалывающее напряжение монотонно возрастает, что наблюдается и при 100° С. В присутствии поверхностно-активных веществ эта зависимость имеет явно выраженный минимум, отвечающий оптимальной скорости деформации, что отдельно показано на рис. 10. [c.27]

Рис. 10. Зависимость критического скалывающего напряжения от скорости деформации и температуры в неактивной (точкио и 0) и активной (точки и э) средах

IIзменение предела текучести и критического скалывающего напряжения (Г1ммР ) монокристаллов кадмия различных ориентаций и диаметров в зависимости от состояния поверхности [c.41]

Для случая сдвига в кубическом кристалле с ориентапией вдоль главных осей а = (I, следовательно, критическое скалывающее напряжение имеет величину [c.327]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология