Кристаллизация одновременная

Отложение металла на катоде можно рассматривать как процесс кристаллизации. Когда ион разряжается, он становится на определенное место в кристаллической решетке, представляющей упорядоченную структуру, присущую твердому сплаву. Зародышей кристаллизации одновременно образуется много, и от всех таких центров идет рост кристаллов, пока не произойдет их встреча. [c.77]

Это предположение подтверждается тем, что одновременное образование кристаллов двух различных морфологий наблюдается в широком диапазоне концентраций винилацетата [5—33% (масс.)], причем но мере возрастания содержания винилацетата в указанном диапазоне относительная интенсивность пика Га возрастает. Наблюдается также зависимость от температуры кристаллизации. Например, для образцов одного и того же состава обнаружено возрастание интенсивности ника (т. е. относительного содержания кристаллов складчатой морфологии) нри снижении температуры кристаллизации (см. рис. Н1.45). Принимая во внимание, что период складывания макромолекул, соответствуюш ий этим температурам кристаллизации, одновременно уменьшается, можно сделать вывод о возрастании способности макромолекул к складыванию. [c.205]

Рис. 9.23 характеризует особенности плавления типичных образцов поливинилиденфторида, закристаллизованных из расплава. Преет и Луча [ 189] показали, что при температурах кристаллизации между 152 и 167°С кроме основных кристаллов формы II образуется некоторое количество кристаллов формы I. В световом микроскопе крис таллы этих двух форм могут быть легко различены. При нагревании таких образцов наблюдаются два пика плавления при этом пик при более высокой температуре соответствует плаванию кристаллов формы I. В данных условиях температура плавления кристаллов формы I приблизительно на 22°С выше температуры кристаллизации. Одновременное увеличение температур плавления и кристаллизации свидетельствует об особенно большом совершенствовании кристаллов после их начального образования. Вследствие этого невозможно путем экстраполяции достоверно определить равновесную температуру плавления этих кристаллов, используя уравнение (10) гл. 8. Кристаллы формы II, образующиеся при тех же температурах кристаллизации, не совершенствовались в той же степени и плавились значительно раньше (при 170 - 175°С). Однако большая устойчивость кристаллов формы I может быть следствием их больших размеров и меньшей дефектности, а не большей стабильности самой этой кристаллической структуры. К этому выводу приводят данные, согласно которым при длительном отжиге удалось избежать перехода кристаллов формы [c.243]

При относительно низких температурах устойчивость а-формы, как видно из кривой 6, рис. 50, явно увеличивается. Обращаясь к рассмотрению температурной зоны 21—6°, мы видим крайне быстрый рост числа центров кристаллизации а-формы (мы смогли проследить его лишь методом убыстренной киносъемки). Так, при 10° в 1 мин. образуется около 12 ООО центров кристаллизации. Одновременно уменьшается линейная скорость роста кристаллов а-фазы. Это говорит о том, что в определенных условиях кристаллизации из высоковязкого расплава а-форма должна давать структуры, характеризуемые множеством крошечных сферолитов. Рассмотрение кривых [c.118]

Необходимо иметь в виду, что при охлаждении любой тройной системы в первую очередь происходит выделение кристаллов тех компонентов системы, удаление которых из расплава приближает состав расплава к составу тройной эвтектики. Всякий тройной расплав можно рассматривать как эвтектическую смесь, к которой добавлен некоторый избыток одного или двух компонентов. В процессе охлаждения системы происходит постепенное выделение этих избытков. Когда расплав превращается в эвтектическую смесь, охлаждение достигает предела, и начинается кристаллизация одновременно всех трех компонентов при постоянной температуре. [c.270]

Положение точки состава комплекса на линии упаривания между точками В и К служит признаком того, что данный комплекс лежит в области кристаллизации одновременно двух твердых фаз. [c.49]

Положение точки состава комплекса на линии упаривания между точками К и Т показывает, что этот комплекс находится в области кристаллизации одновременно трех твердых фаз. [c.49]

На второй стадии упаривания состав жидкой фазы изменяется вдоль изотермы от точки М до эвтонической точки Е, а состав твердой фазы — от точки С до точки К. Для определения точки К на горизонтальной проекции из точки Е через точку Н (Т) проводят прямую до пересечения со стороной ВС треугольника. Полученная прямая КЕ является предельной линией кристаллизации одновременно двух компонентов С+В. Эту линию переносят на вертикальную проекцию и строят предельную точку К. [c.54]

Соединяя на вторичной проекции прямыми эвтоническую точку R с точками К ь К г и К з и продолжая эти прямые до пересечения с координатной осью фтора, находим точки Ьь Ьг и L3, характеризующие солевой состав раствора (по содержанию в нем F) в момент окончания кристаллизации двух солей и начала кристаллизации трех солей. Направляя из точек Li, Ьг и Ьз прямые в эвтоническую точку R на водной части диаграммы, находим положение точек Мь Мз и Мз на пересечении с линиями WKi, WK2 и WK3 (условно— линии высушивания растворов, соответствующих по соотношению компонентов составу фосфатных комплексов Кь Кг и Кз)-Как видно из диаграммы, точки состава комплексов Кь Кг и Кз расположены на этих прямых выше предельных точек Мь Мг и Мз, характеризующих момент начала кристаллизации трех солей (фторидов, моно- и дикальцийфосфата). Отсюда следует, что точки состава фосфатных комплексов Кь Кг и Кз находятся в объеме кристаллизации одновременно трех солей и конечным пунктом кристаллизации (при высушивании реакционной смеси) является эвтоническая точка R. [c.155]

Очень часто в промышленности используют комбинированные способы создания пересыщения. Например, при вакуум-кристаллизации одновременно с охлаждением раствора осуществляется и его упаривание. [c.18]

Ультразвук оказывает и десорбирующее действие, интенсивно освобождая катодную поверхность от адсорбируемых из электролита примесей, что, с одной стороны, значительно облегчает прохождение ионов через двойной слой, а с другой — способствует более равномерному и численно большему возникновению центров кристаллизации. Одновременное сочетание этих факторов приводит к тому, что в единицу времени разряжается относительно большее количество ионов и получаются, как правило, более мелкокристаллические осадки. Облегчение разряда ионов, в частности, является причиной и того, что при очень высоких при ультразвуковом воздействии получаются доброкачественные осадки (например, Еп при = 30 а/дм N1 до 75—80 а/дм и т. д.), тогда как в обычных условиях образуются гидроокисные соединения и осадить чистый металл невозможно. [c.361]

В эвтектической точке Е происходит одновременная кристаллизация и висмута и кадмия. Следовательно, во время кристаллизации одновременно существуют 3 фазы две кристаллические и одна жидкая. Число степеней свободы с=к-Ь1—ф=2- -1—3=0. Система нонвариантна пока здесь существуют три фазы, ни температура, ни состав не могут быть изменены произвольно, т. е. кристаллизация эвтектического сплава должна идти при постоянной температуре и постоянном составе. [c.344]

Дальнейшее исследование показало, что при одной и той же температуре кристаллизации одновременно были выделены нормальные и разветвленные парафины, а также циклические твердые углеводороды. [c.231]

Процессы второй группы обязательно сочетаются с процессами первой группы например, в любом непрерывном процессе всегда присутствуют перемещение твердого материала, смещение или сепарация. В рассматриваемых процессах происходит тепло-, а иногда и массообмен между твердыми частицами и псевдоожижа-ющей средой — газом или жидкостью, а также теплообмен кипящего слоя со стенками аппарата либо погружными теплообменными поверхностями. В большинстве промышленных процессов используется псевдоожижение газом, тогда как псевдоожижение капельной жидкостью (например, при массовой кристаллизации, растворении, некоторых способах очистки сточных вод и др.) используется много реже. Наконец, в совмещенных процессах грануляции — кристаллизации одновременно участвуют твердая, жидкая и газовая фазы (псевдоожижающая среда). [c.209]

При термообработке любого углеродсодержащего материала на начальной стадии разложения в нем зарождается большое число центров кристаллизации. Одновременное возникновение большого числа центров кристаллизации, ограниченные возможности их роста и выделение газообразных веществ приводят к образованию порисгого углеродного скелета. [c.536]

Таким образом, наша фигуративная точка находится одновременно на двух новерхностях на поверхности вторичного выделения е ЕуЕЕ и на плоскости, проходяще через ребро тетраэдра АВ и точку С, т. е. на линии их пересечения СН. При дальнегшем охлаждении системы она будет двигаться по этой линии, удаляясь от точки С. В конце концов настанет момент, когда эта фигуративная точка придет в точку Н, лежащую на линии Е Е третичного выделения компонентов А, С, В. Теперь жидкая фаза насыщена этим тремя компонентами. При дальнейшем охлаждении нашей системы будет происходить одновременная кристаллизация всех этих трех веществ, и фигуративная точка жид ОЙ фазы пойдет по линии третич1 ой ристаллизации ЕдЕ, удаляясь от точки Н и приближаясь к точке Е (четверной эвтектики). По достижении последней наступит четвертичная кристаллизация — одновременное выделение всех четырех компонентов А, В, С, В. Равновесие здесь будет условно-но вариа Тным (пять фаз — четыре твердых и одна жидкая). Поэтому и температура, и состав жидкой фазы будут оставаться посто- [c.318]

При анализе процессов как изотермической, так и полнтерми-ческой кристаллизации и высаливания конечный результат зависит от того, на какой участок луча испарения попадает фигуративная точка исходного комплекса. Когда точка состава этого комплекса на луче испарения ОТ попадает между точками L и О, то это указывает, что комплекс расположен в объеме кристаллизации одной твердой фазы (С). Это соответствует тому распространенному в технологии случаю, когда при охлаждении или высаливании исходного комплекса получается смесь насыщенного раствора и одной твердой фазы. Когда фигуративная точка состава этого комплекса находится на луче испарения между точками О и К, то этот комплекс расположен в объеме кристаллизации одновременно двух твердых фаз (В и С). Когда фигуративная точка состава комплекса на луче испарения лежит между точками К и Т, то комплекс находится в объеме кристаллизации одновременно трех твердых фаз (Л, В и С). [c.175]

Ясно, что для того, чтобы подойти к теоретическому анализу структурообразовапия в больших объемах, необходимо построение теории кристаллизации, одновременно учитывающей как роль тепловых процессов, так и влияние собственно кинетики кристаллизации на поверхности раздела фаз, а также возможность образования кристаллов в объеме переохлажденного расплава. [c.9]

В случае кристаллических полимеров по выходе пленки из плоско-щелевой головки ее быстро охлаждают (во избежание образования сферолитов) для фиксирования аморфной структуры. Поскольку вытяжку осуществляют ввязкоэластическом состоянии, пленку нагревают выше температуры стеклования, но значительно ниже температуры, при которой наблюдается максимальная скорость кристаллизации. Одновременное или раздельное вытягивание пленки в двух взаимно перпендикулярных направлениях способствует формированию фибриллярных структур и их ориентации в плоскости пленки. Термообработка при температуре, близкой к точке кристаллизации, фиксирует полученную структуру. [c.144]

Для монозамещенных бензола существование граничных слоев вблизи лиофильных поверхностей обнаруживается также и другими методами. Так, Пешель с сотр. [90] показали, что для галогеномоно-замещенных бензола вязкость в прослойках к <С. 500 А между гид-роксилированными кварцевыми поверхностями оказывается повышенной. При этом повышение вязкости наблюдается в довольно узком температурном интервале вблизи температуры кристаллизации. Одновременно обнаруживается и некоторое снижение диэлектрической проницаемости тонких прослоек [91]. В этом же температурном [c.212]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология