Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Поля первичной кристаллизации и след

    Переходим к нанесению промен уточных линий. Все сплавы от I до II дают после первичного выделения А вторичное (А С) линия вторичного выделения а Н идет от точки % до точки 1Г, лежащей на прямой а УН. У сплава II после первичного выделения А сразу следует третичная кристаллизация, так как точка II лежит на прямой АЕ. Сплавы от II до III имеют после первичной кристаллизации А вторичную (А + S), причем у самого сплава III первичная отсутствует. Это дает нам возможность провести на разрезе II Ei линию, отделяющую область первичного выделения А от области вторичного (А + S). Сплавы от III до IV после первичного выделения S имеют вторичное (S -f А), причем у самого сплава IV это вторичное выделение отсутствует поэтому проводим линию Е IV, отделяющую на разрезе область первичной кристаллизации S от области вторичной (S + А). Далее у сплавов от IV до VI после выделения В следует вторичное выделение (S -f- С). Напоминаем, что выделение одного S из сплавов V—VI происходит после первичного выделения В и инконгруэнтного процесса, в результате которого выделившийся компонент В нацело растворяется, и расплав оказывается в равновесии с одним S. В соответствии с определениями, приведенными выше, выделение S из сплавов V —VI следует называть первичным, хотя оно не является начальной стадией кристаллизации. Фигуративная точка, пройдя поле S, оказывается на линии вторичных выделений С -f S. Таким образом, на политермическом разрезе можно провести соответствующую линию IV VI. Эта линия оканчивается в точке VI и пересекается здесь с горизонтальной прямой VI B тройного перитектического процесса, так как у сплавов, точки которых лежат правее VI, имеет место нонвариантный перитектический процесс. [c.219]


    При определении путей кристаллизации следует пользоваться следующим правилом при первичной кристаллизации какого-либо компонента из смеси, находящейся в поле выделения этого компонента или другой кристаллизующейся фазы, состав жидкой фазы изменяется по прямой, проходящей через вершину этого компонента и изображающую точку смеси, удаляясь от точки этого компонента (или другой фазы). [c.24]

    Следует отметить, что поскольку точка двойного подъема (как и все другие тройные точки в трехкомпонентных диаграммах состояния) является инвариантной, все процессы в системе происходят в ней при постоянной температуре, и система не может перейти в другое состояние до тех пор, пока в результате указанной реакции не исчезнет минимум хотя бы одна фаза (могут одновременно исчезать две фазы). При этом в процессе охлаждения возможны следующие варианты 1) исчезает одна жидкая фаза — при этом кристаллизация в точке двойного подъема закончится и конечными продуктами будут три кристаллические фазы, поля первичной кристаллизации которых сходятся в этой точке 2) исчезает одна кристаллическая фаза — соединение, реагирующее с жидкостью, при этом кристаллизация при охлаждении продолжится дальше и путь кристаллизации уйдет из точки двойного подъема 3) исчезают одновременно две фазы —жидкая и одна твердая (соединение, реагирующее с жидкостью)—при этом кристаллизация в точке двойного подъема закончится и конечными продуктами будут две кристаллические фазы, находящиеся в равновесии вдоль единственной пограничной кривой с падающей от точки двойного подъема температурой (этот частный случай имеет место, когда точка исходного состава попадает на соединительную прямую, соответствующую указанной пограничной кривой, т. е. в частную двойную систему). [c.263]

    Например, в точке двойного подъема Gi (см. рис. 68) в равновесии с жидкостью находятся кристаллы соединений А, В и АВС. Единственная пограничная кривая с падающей от точки температурой— кривая Gi —отходит от поля первичной кристаллизации соединения А, поэтому при охлаждении именно это соединение будет взаимодействовать с расплавом состава точки Gi и полностью или частично исчезать, а кристаллы двух других соединений В и АВС будут выпадать из расплава. Схематически указанную реакцию можно изобразить следующим образом  [c.263]

    Так же как и в точке двойного подъема, в инвариантной точке двойного опускания минимум хотя бы одна фаза, а иногда две и даже три фазы должны обязательно исчезнуть, прежде чем система перейдет в новое состояние равновесия. При этом в процессе охлаждения возможны следующие варианты 1) исчезает одна жидкая фаза — при этом кристаллизация в точке двойного опускания закончится и конечными продуктами будут три кристаллические фазы — соединения, поля первичной кристаллизации которых сходятся в этой точке 2) полностью исчезает одна из двух реагирующих с жидкостью кристаллических фаз — при этом путь кристаллизации продолжится дальше и уйдет из точки двойного опускания по одной нз двух пограничных кривых с падающей от точки температурой 3) исчезают одновременно и полностью две фазы — жидкая и одна из реагирующих с ней твердых фаз —при этом кристаллизация в точке двойного опускания заканчивается и конечными продуктами будут две оставшиеся кристаллические фазы (этот частный случай имеет место, когда точка состава исходного расплава попадает на соединительную прямую, т. е. в частную двойную систему, причем конечными продуктами кристаллизации будут именно те соединения, точки состава которых соединяет эта соединительная прямая) 4) исчезают одновременно и полностью три фазы (жидкая и реагирующие с ней две твердые фазы)—кристаллизация в точке двойного опускания заканчивается и конечным продуктом будет одна кристаллическая фаза — соединение, поле первичной кристаллизации которого граничит с двумя пограничными кривыми с падающей от точки температурой (это имеет место, [c.264]


    В. II, 230 и ниже), приняты за основу при изучении условий кристаллизации в портланд-цементных клинкерах во время обжига и охлаждения. Прежде всего были изучены процессы кристаллизации основных силикатов и алюминатов кальция из тройных расплавов. Особый интерес для строения портланд-цемента представляет часть полной диаграммы равновесия, представленная на фиг. 798, причем поле состава (упрощенного) белого портланд-цемента (Р. С.) заштриховано. Эта область тройного состава частично захватывает и поле первичной кристаллизации окиси кальция и особенно поле трехкальциевого сиЛиката. Рассматривать кристаллизацию расплава в соответствующем поле следует с первичной кристаллизации окиси кальция, которая во время охлаждения поглощается расплавом с образованием трехкальциевого силиката в качестве новой кристаллической фазы. В реакционной точке 1470° появляется вторая кристаллическая фаза, трехкальциевый алюминат, а позднее двукальциевый силикат начинает замещать трехкальциевый силикат до тех пор, пока не достигается эвтектическая точка 1336°С и не начинают кристал- [c.779]

    Необходимо обратить также внимание на несовершенство возникающих в процессе формования областей кристаллической фазы. Это несовершенство заключается в образовании очень широкого набора дефектов в кристаллах (дислокация, проходные цепи , петли , макромолекулы, возвращающиеся в свой кристаллит и т. п.). Ранее уже говорилось о многообразии форм кристаллических образований. Для некоторых полимеров, в частности для полиамидов, в ходе первичной кристаллизации, наблюдается возникновение нестабильных кристаллических модификаций, переходящих в стабильные только при последующей перекристаллизации (например, в силовом поле ориентации). Следует заметить, что дальнейшая рекристаллизация с переходом к фибриллярным кристаллитам может быть успешно проведена только в том случае, если возникшая при первичном формовании кристаллическая структура несовершенна. С другой стороны, невыгодна и полностью аморфизированная структура, которая может образоваться, например, при формовании расплава в низкотемпературные ванны. В этом случае не удается осуществить преобразование полимера в структуру, состоящую из фибриллярных кристаллитов. [c.256]

    Поверхностью ликвидуса называется такая поверхность, по достижении которой фигуративной точкой расплавленной системы при охлаждении последней начинается кристаллизация. Относительно формы этой поверхности можно высказать следующие соображения она проходит через точки А, В, С, отвечающие температурам плавления компонентов, и через ликвидусы А е[В, А е С и В е цС двойных систем А—В, А—С и В—С, входящих в состав нашей тройной системы. Затем она должна состоять из трех отдельных поверхностей, соответствующих первичному выделению компонентов А, В, С, т. е. полей компонентов А, В, С. [c.184]

    При изменении состава исходного стекла в пределах поля кристаллизации его первичной кристаллической фазы наблюдается следующее изменение кристаллизационной способности. [c.83]

    Подобно процессу кристаллизации — плавления, процесс рекристаллизации может быть многократно повторен при соответствующем выборе направления поля механических сил. Действительно, если из шейки вырезать новый образец в том же направлении, что и направление первоначально действующих сил, то при растяжении этого образца он удлинится лишь незначительно, а сила, необходимая для его деформации, будет очень велика. Фактически кривая нагрузка — удлинение, полученная при этом, будет соответствовать третьей стадии общей кривой (см. рис. 133). Если образец из шейки вырезать перпендикулярно направлению действующих сил, т. е. растягивать участок шейки в направлении, перпендикулярном ориентации сегментов в шейке, то возникающая деформация будет следовать тем же правилам, что и при первоначальном растяжении. Таким образом можно воспроизвести кривую, показанную на рис. 133. Если остановить растяжение такого образца на второй стадии, когда новая шейка еще сосуществует с остатком толстой части образца, являющейся шейкой первичного процесса растяжения, то окажется, что обе части оптически и механически анизотропны, но отличаются друг от друга расположением в пространстве — они повернуты относительно друг друга на 90° [10]. [c.207]

    Например, в точке двойного опускания 0 (см. рис. 68) в равновеснн с жидкостью находятся кристаллы соединений А, С и АВС. Единственной пограничной кривой с падающей к точке температурой является кривая Вдоль нее в равновесии с жидкостью находятся соединения А и С, поэтому именно эти соединения будут прн охлаждении взаимодействовать с жидкостью состава этой точки и полностью или частично исчезать, в результате чего из расплава будет кристаллизоваться соединение АВС, поле первичной кристаллизации которого ( 2——Е граничит с двумя пограничными кривыми ОгЙ и 62Е с падающей от точки двойного опускания температурой. Схематически указанную реакцию можно изобразить следующим образом  [c.264]

    Наиболее простые и часто используемые п о мышленные стекла принадлежат к основной тройной системе кремнезем — окись натрия —- окись кальция, о подробной диаграмме фазовых равновесий, о которой говорилось в главе В. II, 82— 86. В данном случае воспроизводится сечение наиболее важной части диаграммы в.пря-моугольных координатах по Дитцелю (фиг. 909). Следует подчеркнуть, что из диаграммы равновесия нельзя получить ответ на любой специальный вопрос по промышленному производству стекла, но она имеет большое значение для научного познания строения стекла. Эта диаграмма, примененная к явлениям кристаллизации трехкомпонентных стекол вблизи эвteктичe кoй точки при 725°С, полностью не согласуется с экспериментом возможно существование неравновесного состояния, а при расстекловании могут образоваться кристаллические фазы, которые явно будут противоречить диаграмме. Кроме того, Куманин указал, что склонность стекол к кристаллизации сильно различна у составов вблизи пограничных кривых и составов, располагающихся в поле первичной кристаллизации. Следовательно, должно быть [c.902]


    Так как из правила фаз следует, что в трехкомпонентной системе при наличии жидкой и газообразной фазы могут существовать только три твердые фазы, то эти две линии не могут пересечься в одной точке с линиями — E и E — 3, разделяющими поля первичной кристаллизации Л и С и В и С. Поэтому в системе возникает уже не одна, а две инвариантные точки E я Е . Характер раопределения температур вдоль дополнительной пограничной кривой Et— Е, отвечающей равновесию между кристаллами А В и С, определяется правилом Алькемадэ. Согласно этому правилу, если две точки в треугольнике, изображающие составы двух твердых фаз, соединить прямой линией, то температура, при которой обе эти фазы находятся в равновесии с расплавом и газообразной фазой, растет по мере того, как пограничная- кривая приближается к точке пересечения ее соединительной линией, хотя сама пограничная кривая может утратить свою стабильность, прежде чем будет достигнуто указанное пересечение, и максимум становится, таким образом, мнимым. [c.187]

    Разрез СН проведен тоже параллельно стороне АВ треугольника АВС (см. рис. XIX.32, а), по он пересекает не только поля Ж + ос и Ж + р, но и поле Ж i- у. Сообразно с этим на изображающем его рис. XIX.32, г пересечение поверхности ликвидуса состоит из трех частей С 1Г, II IV и IVH. Пересечение поверхности солидуса (части С"Г, H"V и I V) аналогично такому же пересечению для разреза FD (см. рис. XIX.32, в). У сплавов отрезков СП и II/Fпосле первичной кристаллизации (а или Р) следует вторичная (ос + у или Р + у) поэтому точки С" и //, равно как и точки Н" и IV, следует соединять кривыми СП и H"IV эти кривые должны начинаться в точках С" и 77", отвечающих эвтектическим температурам двойных систем А—С и В—С. Указанные кривые должны кончаться в точках /7 II 1V у сплавов, отвечаюпщх этим точкам, первичная кристаллизация отсутствует, н их затвердевание начинается вторичным выделением (ос -f- у, соответствеппо р + у). У сплавов отрезка II—IV за первичной кристаллизацией у с.тедует вторичная а + Y от точки II до точки III и р + у — от точки III до точки I V. Поэтому еще следует соединить кривыми точку ПГ с точками II и IV. На этом построеггие разреза заканчивается. [c.256]

    Ультразвуковые колебания, введенные в кристаллизующийся расплав, изменяют условия протекания процессов зарождения и роста кристаллов. Первичными факторами, которые характеризуют ультразвуковое поле, следует считать интенсивность подводимого к расплаву ультразвука и обусловленную свойствами среды эффективность поглощения его энергии на развитие кавитации, акустических потоков, радиационного давления и сил вязкого трения. В общем случае при кристаллизации следует учитывать действие ультразвука на жидкую фазу (расплав), на фронт кристаллизации и переходную (твердо-жидкую) область. Так, например, диспергирование кристаллов может происходить только на межфаз-ной поверхности расплав — кристалл, т. е. на фронте кристаллизации или на поверхности затвердевшей корочки расплава. Активиция примесей, развитие в расплаве акустических течений, изменение градиентов температуры в расплаве, напротив, возможно только в жидком металле вдали от фронта кристаллизации. [c.462]

    По данным ДТА построены кривые первичной, вторичной и т. д. кристаллизаций составов, отвечающих линии конверсии А — Р (рис. IX.7). Как следует из трех ветвей первичной кристаллизации, большая часть ликвидуса осевого треугольника (КР)2—Ва 04—КааМо04 занята полями кристаллизации продуктов обмена — фторида бария, фторида натрия и [c.233]

    Фигуративные точки компонентов называются иногда полюсами соответствующих полей. Термин этот, однако, сравнительно малоупотребителен, и иногда ему придают несколько иной смысл (см. ниже). Легко видеть, что эти поля имеют самые высокие точки на ребрах призмы, т. е. в точках плавления компонентов, и идут, понижаясь к средним частям поверхности ликвидуса. В самом деле, рассмотрим детально, например, поле компонента А. Системы, при охлаждении которых этот компонент начинает выделяться первым, можно считать растворами двух других компонентов В и С в А. Чем богаче наш раствор компонентами В и С, тем при более низкой температуре должна начинаться кристаллизация А и, с другой стороны, тем дальше лежит его фигуративная точка от ребра призмы АА. Отсюда следует, что поверхность его первичного выделения имеет наивысшую точку на ребре А А — это точка плавления чистого А чем дальше точки поверхности находятся от этого ребра, тем они расположены ниже. Ясно, что то же самое можно сказать и о нолях соединений В и С. На рис. XVII.1 изображены эти три поля А е Е е — поле А В е Е е — поле В и Се Е е — поле С. Кроме того, поля должны пересекаться попарно. Линии этих пересечений отвечают вторичным выделениям. На рис. XVII.1 эти линии обозначены следующим образом Е — линия вторичного выделения А В е Е — А + С е Е — В + С. Линии вторичных выделений начинаются на гранях призмы в эвтектических точках двойных систем и, понижаясь, отходят от них внутрь призмы. [c.184]

    Процессы кристаллизации аналогичны таковым для предыдущих систем, кроме тех сплавов, которые имеют фигуративные точки, лежащие в полях abed и сЬр. рх (см. рис. XIX.24, б) на плоской диаграмме. У этих сплавов после первичного выделения а следует вторичное, заключающееся в выделении р при одновременном растворении а. У сплавов, фигуративные точки которых лежат в поле ad b, жидкость расходуется раньше, чем фаза а, и после затвердевания сплавы представляют собой смесь фаз а и р. У тех же сплавов, фигуративные точки которых попадают в поле сЪр р , наоборот, фаза а расходуется раньше жидкости, и после окончательного растворения этой фазы система представляет собой смесь жидкости с фазой Р при продолжающемся отнятии теплоты в системе происходит опять первичное выделение, но иа этот раз уже не фазы а, а фазы р, и, таким образом, после затвердевания система представляет собой только кристаллы р. [c.247]

    Рассмотрим затвердевание сплавов, принадлежащих к разным участкам нашей диаграммы. Начнем со сплава, фигуративная точка которого попадает в область АЬк, где к — точка пересечения бинодальной кривой с линией 4/. Этот процесс начинается для указанных сплавов первичным выделением компонента А, причем фигуративная точка жидкой фазы движется по лучу, соединяющему исходную точку с точкой А, удаляясь от последней когда эта движущаяся точка достигнет бинодальной кривой Ъкс, то возникает вторая жидкая фаза и начинается трехфазный монотектический процесс (см. раздел XXI.1). Сообран ениями, аналогичными изложенным выше, можно показать, что на ветви Ъд, температура падает от точки 6 к й. Это ясно также и из условий пересечения области расслаивания Ж1 + Ж2 с полем начала первичного выделения А. Как следствие этого, на ветви с/ температура падает от с к /. Таким образом, в трехфазном монотектическом процессе фигуративные точки жидких слоев будут двигаться по этим двум ветвям Ъй и с/, удаляясь от точек и с и приближаясь к точкам <7 и /, но они не могут дойти до этих точек. В самом деле, если точка исходного сплава лежит на прямой Ак, а не внутри треугольника АЪЬ,, то в процессе трехфазной монотектической кристаллизации валовой состав жидких слоев достигнет точки /, которая указывает состав второй жидкости. Сопряженная с / точка й будет соответствовать лишь бесконечно малому количеству Ж , которое в этот момент будет израсходовано окончательно. Это следует из того, что точка валового состава жидкости, двигаясь по прямой / /, пересекает конноды отрезки коннод справа от точек пересечения указывают на количество Ж , а слева — на количество Жа. Когда точка валового состава жидких фаз придет в точку /, то часть конноды, отвечающая Жх, обратится в нуль, и система будет состоять из второй жидкой фазы и кристаллов А. [c.273]

    НОМ виде, как ни в одном из других случаев полимеризации. Это следствие огромных внутримолекулярных сил, приводящих к внутримолекулярной кристаллизации, сопровождающейся большими изменениями энергии. Первое, на чем следует остановить внимание, это на кинетике реакции синтеза полипептида (поли-у-бен-зилглютамата, поли-1-лейцина, поли-1-фенилаланина) в диоксане (нитробензоле) при инициировании первичным амином (гексил-амином).  [c.56]

    Тило и др. [9] указывают, что хотя представления о силе поля дают возможность классифицировать нитратные системы по их склонности к стеклообразованию, эти представления не позволяют объяснить положение и границы области стеклообразования в конкретной системе. В этом смысле наиболее полезна корреляция между температурой ликвидуса и способностью к стеклообразованию, на что впервые указал Роусон [17]. По этому вопросу сейчас, по-видимому, существует единое мнение [13, 15, 18]. Тило и соавторы наблюдали, что в изученных ими системах области стеклообразования расположены вблизи эвтектик и чем ниже температура плавления эвтектики, тем обширнее область стеклообразования. Тем не менее корреляцию между температурой ликвидуса и областью стеклообразования нельзя считать простой (см. рис. 94). В некоторых системах расплавы эвтектического состава не образуют стекол. Кроме того, Дитцель и Пёгель указывали, что наиболее устойчивые стекла в системе КМОз — Са(МОз)г не соответствуют по составу эвтектике. Как мы видели из приводимых выше примеров, температура ликвидуса — приближенный и простой критерий возможной устойчивости стекол, поэтому исключения вполне вероятны. В системе КМОз — Са(МОз)2 может иметь значение то обстоятельство, что граница стеклообразования со стороны КМОз достаточно хорошо совпадает с составом, где в качестве первичной кристаллической фазы выделяется КМОз. Появление новой первичной фазы, возможно, вызывает заметное изменение скорости кристаллизации, в данном случае, видимо, возрастание ее. Другой фактор, который следует рассматривать в нитратных системах, это термическая диссоциация расплава. Тило и соавторы принимали это обстоятельство во внимание и при получении стекол избегали нагрева их до слишком высоких температур, [c.228]

    Поверхность ликвидуса системы разделяется на 12 полей кристаллизации в соответствии с характером выделяющихся первичных фаз и имеет следующую особенность трайные соединения обладают низкой температурой плавления (не выше 725°) н сильно диссоциируют в расплаве. В связи с этим и температуры поверхности ликвидуса также низки (лежат в пределах 570—750 ) для всей центральной части системы. Более высокие температуры ликвидуса встречаются только в пределах полей ЗЮг, Ыа2510з. N3251205 в участках, прилегающих к этим соединениям. [c.33]


Смотреть страницы где упоминается термин Поля первичной кристаллизации и след: [c.92]    [c.463]    [c.470]    [c.97]    [c.179]    [c.188]    [c.144]    [c.252]    [c.153]    [c.186]    [c.507]    [c.624]    [c.907]    [c.930]    [c.111]   
Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений (1988) -- [ c.0 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Кристаллизация первичное

Поле кристаллизации

след

след н след



© 2025 chem21.info Реклама на сайте