Теория ионных решеток

Согласно электронной теории металлов, при учёте периодического поля кубической ионной решётки возможны только такие [c.159]

Период с 1916 по 1930 г. явился, по существу, этапом большого размаха работ по исследованию, на базе, главным образом, электростатических представлений, кристаллов с ионной решёткой, к которым модели электростатической теории были наиболее приложимы. [c.158]

II вообще об атомных и электронных процессах. Так, мы знаем теперь, что положительные ионы металла расположены в узлах некоторой правильной пространственной решётки, что колебания этих ионов около положения равновесия подчинены законам квантовой физики и обусловливают в основном теплоёмкость металлов, что те же квантовые законы управляют взаимодействием атомов и электронов и движением как электронов в металле, так и молекул газа, наконец, что электроны обладают волновыми свойствами наравне со свойствами частицы. Прежнее представление о свободных электронах и об их движении, совершенно не учитывавшее взаимодействия электронов с ионами и атомами и не знавшее квантовых законов, не может теперь удовлетворять физика. Но и все новые, более совершенные видоизменения электронной теории принимают 1) что в металлах существуют электроны, передвигающиеся так или иначе по всему металлу, 2) что при увеличении температуры скорость движения электронов увеличивается, 3) что при вылете из поверхности металла электрон должен затратить некоторую работу за счёт энергии своего движения. [c.80]

Большую ясность в вопросе о том, какие же электроны могут быть вырваны светом из металла без нарушений закона сохранения импульса благодаря их связи с кристаллической решёткой металла, внесла теория Тамма [392]. Тамм отдельно рассматривает действие света на электроны, находящиеся в очень тонком слое у самой поверхности металла, где сосредоточено поле, вызывающее наличие потенциального барьера, и на электроны во внутренних областях металла, где электроны находятся в периодическом (в пространстве) поле ионов пространственной решётки. Эмиссию первых под действием света Тамм называет поверхностным фотоэффектом, эмиссию последних — внутренним фотоэффектом ). Данное Таммом решение задачи возмущения электронной волны светом приводит, к ещё более сложному выражению для СИЛЫ фототока с единицы поверхности металла, чем (137) и (138). Кривая спектральной характеристики обладает по Тамму селективным максимумом, и имеет место векториальный эффект. [c.159]

Другой вариант теории вторичной электронной эмиссии предложен советским физиком А. Е. Кадышевнчем. Исходные положения теории Кадышевича электронный газ в металле является вырожденным газом с распределением энергии по Ферми упругие столкновения с ионами решётки металла изменяют направление движения первичного электрона проникающий в металл первичный электрон и созданные им вторичные электроны тормозятся благодаря взаимодействию с электронами проводимости. Взаимодействие электронов с ионами решётки учитывается путём рассмотрения упругих соударений электрона с решёткой. Кадышевич учитывает суммарно как рассеяние, обусловленное наличием решётки и её периодического поля, так и рассеяние, вызванное тепловыми колебаниями решётки. Кадышевичу удаётся объяснить ряд типичных особенностей вторичной эмиссии, в том числе возрастание коэффициента о нри увеличении угла падения первичных электронов (возрастание тем более быстрое, чем больше скорость первичных электронов) и малые значения о для щелочных металлов. В последнем случае концентрация свободных электронов бо,пьше, чем у другах металлов следовательно, торможение, обусловленное кулоновым взаимодействием между электронами, тон е больше, а соответствующий полный пробег как первичных, так и вторичных электронов меньше. [c.85]

В настоящее время наиболее правдоподобной является теория катодного распьшения, представляющая собой синтез теории ионного удара и теории испарения. По этой теории энергия иона передаётся не одному атому, а некоторому их числу, другими словами, предполагается, что при ударе положительного иона о пространственную решётку металла происходит сильное местное нагревание на очень небольшом участке поверхности металла. За короткий промежуток временп вследствие теплопроводности металла температура нагретого элемента поверхности быстро падает за счёт увеличения нагретой площади, но за это короткое время успевает произойти отрыв отдельных атомов металла. [c.273]

Другой вариант теории вторичной электронной эмиссии предложен Кадышевичем [519]. Исходные положеиия теории Кады-шевича электронный газ в металле является вырожденным газом с распределением энергии по Ферми упругие столкновения с ионами решётки металла изменяют направление движения первичного электрона проникающий в металл первичный электрон и созданные им непосредственно или ступенчатым путём вторичные электроны тормозятся благодаря взаимодействию с электронами проводимости. Взаимодействие электронов с ионами решётки учитывается путём рассмотрения упругих соударений электрона с решёткой. Вводя полный пробег >) упругого рассея- [c.183]

Большую ясность в вопросе о том, какие же электроны мог т быть вырваны светом из металла без нарушений закона сохранения импульса благодаря пх связи с кристаллической решётко [ металла, внесла теория советского физика И. Е. Тамма. Тамм отдельно рассматривает действие света на электроны, находящиеся в очень тонком слое у самой поверхности металла, где сосредоточено поле, вызывающее наличие потенциального барьера, и на электроны во внутренних областях металла, где электроны находятся в периодическом (в пространстве) поле ионов пространственной решётки. Эмиссию первых под действием света Тамм называет товерхностным фотоэффектом, эмиссию последних— внутренним фотоэффектом ). Данное Таммом решение задачи возмущения [c.69]

Возникновение длительного свечения, характерного для кристаллофосфоров связано с нарушениями кристаллической решётки, вызываемыми внедрением в неё ионов активаторов, обычно катионов, а также появлением в отдельных местах решётки родственных ионов, образующихся при приготовлении фосфоров (например. О, 304 вместо 8), или вводимых в виде вещества плавня (например, С1). Эти вкрапления нарушают периодичность решётки и создают местные локальные энергетические уровни, не распро-хтраняющиеся на весь кристалл. Для теории длительного свечения суще- [c.330]

Возникает вопрос о положении ионов Т1+ в решётке щёлочногалоидного кристалла. Данные рентгеноскопии указывают на то, что ион Т " входит в решётку щёлочно1 алоидного кристалла, заменяя нон металла решётки и образуя смешанный кристалл. Однако величины изменения постоянной решётки не совпадают с требованиями теории, что указывает иа существование особого взаимодейс1вия между ионами Т1+ и окружающими его ионами галоида. Это обстоятельство подтверждается сравнением спектров ноглощения кристаллофосфора, активированного Т1, и спектров поглощения кон- [c.423]

Транснассивация - это равномерное активное растворение металла, следующее за областью пассивного состояния, т.е. выход металла из пассивного состояния с ростом анодной ноляризации. С позиций фазовой теории транснассивное состояние связывается с тем, что пассивирующая пленка нерастворимого оксида ири низкой степени окисления металла (СггОз) с ростом Е и увеличением степени окисления металла (СггОу ) растворяется. По адсорбционной теории, с ростом Е усиливается хемосорбция кислорода, растёт число 0-атомов, координирующих с ионом металла, ослабляются связи в решётке металла и образуются хорошо растворимые комплексы с в более высокой степени окисления. [c.32]