Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Потенциостатическое включение

    Более надежен метод чистого электрогравиметрического разделения с автоматическим регулированием катодного потенциала. Для этого используют схему с контролируемым катодным потенциалом, который измеряют относительно электрода сравнения (например, каломельного электрода), не участвующего в электролитическом процессе постоянство катодного потенциала достигается потенциостатическим включением установки. Сила тока в процессе [c.264]


    При измерениях с потенциостатическим включением в момент t = О мгновенно включается постоянный потенциал электрода, не зависящий от тока. При этом потенциале устанавливается плотность тока, зависящая от времени I I) (см. 83). Экспериментальное устройство довольно сложное. Чтобы поддерживать потенциал постоянным, необходимы специальные схемы регулирования. Применяющиеся для этого электронные приборы 4. г по Хик-лингу называются потенциостатами . На рис. 139 показана принципиальная схема потенциостата, правда, не электронного в измерительном устройстве. [c.453]

    При гальваностатическом включении для зависимости от перемешивания при турбулентном режиме характерны нерегулярные колебания напряжения с амплитудой 100 мв и больше и средней частотой около 1 гц, наблюдающиеся даже при постоянной скорости перемешивания. При потенциостатическом включении возникают соответствующие нерегулярные колебания тока около 10% от предельного тока. Плотность тока реакции свободна от этих явлений. На рис. 130 воспроизведены характерные осциллограммы этих колебаний при предельном токе диффузии как при потенциостатическом, так и при гальваностатическом включении. [c.433]

    Для методов гальваностатического и потенциостатического включения система электродов представлена эквивалентной схемой, показанной на рис. 145, б, в которой зависящая от времени величина Вд ( ) представляет собой сопротивление диффузии. При этом для фарадеевского сопротивления В имеем [c.460]

    В связи с этим возникает вопрос о различимости предельных токов диффузии и реакции. Критерий для их различения был предложен Феттером . Как следует из уравнений (2, 145) и (2. 147), предельная плотность тока диффузии зависит от толщины ди фузионного слоя по Нернсту. Так как толщина этого слоя б сильно зависит от интенсивности и способа перемешивания (см. 60), то и предельная плотность тока диффузии в равной степени зависит от этих факторов. Особенно сильно растет д с увеличением скорости перемешивания. После достижения предельной плотности тока диффузии при потенциостатическом включении и турбулентном режиме размешивания появляется кратковременное и не всегда одинаковое по форме колебание плотности тока, а при гальваностатическом включении — аналогичное колебание потенциала со средней частотой около 1 гц (см. 93). Эти [c.277]

    Зти граничные условия справедливы в предположении, что перенапряжение реакции т)р достаточно велико, чтобы выполнялось условие с с. Следовательно, это и есть граничное условие использования методики потенциостатического включения, при которой рассматривается мгновенный ток реакции, изменяющийся во времени. [c.294]


    Согласно этому уравнению, 1/ip можно найти линейной экстраполяцией l/ пp на HY(a = 0. Этот прием применили Фрумкин и Тедорадзе при определении плотности тока перехода д при замедленном протекании реакции перехода в условиях потенциостатического включения. [c.366]

    Как и при измерениях с гальваностатическим включением (см. 101), для определения кинетики электрохимических реакций при потенциостатическом включении также необходимо выявление перенапряжения перехода, так как из перенапряжения [c.455]

Рис. 143. Зависимость I (г)/гд (4) от 1/А- [по ур. (3. 24)] для определения начальной плотности тока г (0) при потенциостатическом включении. Рис. 143. Зависимость I (г)/гд (4) от 1/А- [по ур. (3. 24)] для определения <a href="/info/1564161">начальной плотности тока</a> г (0) при потенциостатическом включении.
Рис. 145. Эквивалентные схемы для сопротивления переменному току (а) и для гальваностатического и потенциостатического включения (б). Рис. 145. <a href="/info/15317">Эквивалентные схемы</a> для <a href="/info/609911">сопротивления переменному току</a> (а) и для гальваностатического и потенциостатического включения (б).
    Упрощенное уравнение (4. 185) действительно только для столь больших катодных перенапряжений, когда можно пренебречь плотностями анодных токов обратных реакций 0г+ ф и (1 0) + J,. При потенциостатическом включении перенапряжения начинает протекать ток плотностью i (i), который частично обусловлен изменением степени заполнения 0  [c.632]

    ПЛОТНОСТЬ тока = /8т(ю<) вызывает смещение среднего во времени значения потенциала от равновесного значения на небольшую величину Ат). Этому эффекту Олдэм дал наименование фарадеевское выпрямление . По сравнению с обычными иеременнотоковыми импедансными методами или методами галь-ваностатического и потенциостатического включения с помощыо эффекта выпрямления при известных условиях можно изучать еще более быстрые электродные процессы. Необходимо, однако, указать, что использование этого метода требует определенных предположений о форме кривой ток — напряжение, которая именно для очень быстрых электродных процессов выявляется лишь с трудом. [c.398]

    При измерениях с потенциостатическим включением в момент =0 мгновенно включается постоянный потенциал электрода, не зависящий от тока. При этом потенциале устанавливается плотность тока, зависящая.от времени, I (1). Чтобы поддерживать потенциал постоянным, необходимы специальные схемы регулирования, однако в определенных условиях для регистрации кислорода возможна очень простая потенциостатическая схема (Феттер, 1967), приведенная на рис. 60. Обязательным условием применения такой схемы является наличие электрода сравнения, который поляризующим током плотностью I (/) заметно не поляризуется. Этого можно достичь увеличением поверхности электрода. Кроме того, освещение одиночной вспышкой хлоропластов вызывает выделение крайне малых количеств кислорода в суспензии, что сопровождается относительно небольшим увеличением тока в системе. Поэтому сколько-нибудь заметной поляризации электрода сравнения не наблюдается. Дополнительным условием применения схемы, изображенной на рис. 60, является соблюдение условия, при котором ток нагрузки потенциометра 1д должен быть гораздо больше I (О- [c.196]

    Геришером [17] методом потенциостатического включения для процесса разряда ионов цинка из раствора, содержащего 0,02 моль-л 2па и 1 моль-л- ЫаСЮ4, на электроде из амальгамы цинка получена зависимость плотности тока в момент включения от перенапряжения процесса  [c.116]

    Зависимость плотности тока от времени при потенциостатическом включении может быть установлена следующим путем. В начальный момент концентрация ионов у поверхности электрода равна ее значению в объеме электролита, т. е. Со, но пО Сле включени-я тока она мгновенно падает до нуля. В соответствии с этим граничные усло,вия- записываются в виде [c.64]

    В общем виде при потенциостатическом включении перенапряжения необходимо учитывать влияние емкости двойного слоя, которое проявляется в дополнительной к i емкостной плотности тока емк = p BdsIdt. При беглом рассмотрении можно принять, что с идеальным потенциостатом изменение потенциала Ае = г в течение Ai -> О совершается при протекании емкостной плотности тока емк —> ОО- При этом должно было бы выполняться условие Ai- емк = СдвАе, так что теоретически при достаточно мощном потенциостате возможно заряжение двойного слоя кратковременным, но большим броском тока. Однако на практике даже с лучшим потенциостатом невозможно наложить потенциал электрода в течение определенной постоянной времени. [c.392]


Рис. 142. Определение начальной плотности тока г (0) при потенциостатическом включении (по Геришеру и Фильштиху при большой доле перенапряжения диффузии. Рис. 142. Определение <a href="/info/1564161">начальной плотности тока</a> г (0) при потенциостатическом включении (по Геришеру и Фильштиху при большой доле перенапряжения диффузии.
    Величину 0 можно определить экстраполяцие тафелевской прямой до т] = О или из сопротивления перехода Вп- Тафелевская прямая получается измерениями с постоянным током и с гаяьвано-статическим или потенциостатическим включением. Сопротивление перехода можно определять с применением постоянного и переменного тока, а также измерениями с включением. [c.470]


Смотреть страницы где упоминается термин Потенциостатическое включение: [c.392]    [c.453]    [c.455]    [c.457]    [c.459]    [c.467]   
Смотреть главы в:

Электрохимическая кинетика -> Потенциостатическое включение




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Потенциостатические процессы при включении

Электрод эквивалентная схема для гальваностатического и потенциостатического включения

включения



© 2025 chem21.info Реклама на сайте