Работа на спектрографе

Дефицитность 0 и необходимость работать на спектрографах очень высокого разрешения пока ограничивает подобные эксперименты. [c.108]

Естественно, что чем выше дисперсия прибора, тем больше расстояние между спектральными линиями, что дает возможность детальнее изучить спектр. Однако знания одной дисперсии прибора еще недостаточно для того, чтобы определить, будут ли две соседние линии наблюдаться раздельно. В приборе с нечетким, размытым изображением линий они представляются в виде одной линии, тогда как в другом приборе, с хорошим изображением, они будут разрешены (видны раздельно), хотя дисперсия этого прибора может быть значительно меньшей. Необходимо ввести новое понятие — разрешающая сила прибора. Под ней понимают отношение К/АХ, где ДЯ — расстояние (в длинах волн) между двумя соседними линиями, которые еще разрешаются величину АК называют пределом разрешения. Иногда (при работе на спектрографе) пользуются термином линейное разрешение, понимая под этим максимальное число линий на одном миллиметре, видимых раздельно. Линейное разрешение т связано с линейным пределом разрешения А/ и линейной дисперсией прибора очевидным соотношением [c.20]

А слабее линии Сг 2843,24 А. Однако при работе на спектрографе средней дисперсии эти три линии сливаются, позволяя [c.275]

Согласно схеме собирают установку и подготавливают ее к работе. На спектрографе устанавливают камеру с фокусным расстоянием Р= 120 мм. [c.136]

Темный фон является непрерывным спектром, создаваемым раскаленными угольными электродами и раскаленными твердыми частицами в пламени столба дуги. Интенсивность темного фона повышается и тогда, когда сжигание пробы протекает при больших силах тока (20—30 а). Однако уменьшить время сжигания пробы или силу тока не всегда возможно, так как в таком случае проба не полностью сгорит и тем самым могут быть потеряны некоторые особенно труднолетучие элементы. Снижения интенсивности темного фона на негативе можно достигнуть уменьшением количества света, падающего на щель спектрографа, а также и сужением ширины самой щели. Обычно для полуколичественного спектрального анализа используется ширина щели в 0,005— 0,01 мм. Количество света, падающего на щель спектрографа от горящих углей, регулируется подбором вырезов револьверной диафрагмы в трехлинзовом осветителе. Ослабление темного фона достигается также увеличением дисперсии спектрографа. Это объясняется тем обстоятельством, что энергия непрерывного спектра распределяется по большей площади на спектрограмме. Поэтому при работе на спектрографе с большой дисперсией (например, ДФС-3) чувствительность повышается по сравнению со спектрографом ИСП-28. [c.80]

Полученные спектрограммы рассматривают на спектропроекторе, выбирают спектрограмму с наиболее резким спектром и устанавливают фокусировочный барабанчик спектрографа в положение, соответствующее этой спектрограмме. При дальнейшей работе на спектрографе следят, чтобы положение барабанчика не сбивалось. [c.165]

В заключение следует отметить, что пространственная и временная селекция приводят к улучшению спектра, если речь идет о ширине спектральных линий. Это позволяет с помощью данной аналитической линии анализировать широкий диапазон концентраций, а также получать высокую чувствительность определения при работе на спектрографе с высокой разрешающей способностью. [c.103]

При работе на спектрографе важна именно освещенность, т.е. величина Е=ф/8з, где Зз — площадь облучаемой пластинки. Для более детального изучения этого вопроса читателю следует обратиться к работе [45]. [c.104]

При работе на спектрографах большой дисперсии (ДФС-13, ПСП 51 с камерой У-85) можно использовать наиболее интенсивные линии вольфрама 4008,77 и 4294,62 А вольфрам можно определять при концентрации >0,001%. Линии 2946,98 и 2896,45 А при съемке на спектрографе ДФС-13 появляются при концентрации вольфрама 0,003%. Для определения вольфрама с чувствительностью 3-10 % по линии 4294,62 А применяют атмосферу аргона. [c.157]

Из уравнения (2.20) видно, что интенсивность спектральных линий можно повысить, увеличивая скорость испарения вещества. Одним из эффективных способов повышения скорости испарения элементов примесей является применение сильноточной дуги. Изучение влияния силы тока на скорость испарения элементов примесей проводилось при работе на спектрографе ИСП-28 с трехлинзовой системой освещения щели с использованием электродов класса В-3 с глубиной канала кратера 7 мм при диаметре 3,8 мм. В качестве основы использовались редкоземельные окислы эрбия и иттербия. Навеска вещества составляла 30 мг. [c.75]

Иттербий. Аналитические линии иттербия практически свободны от наложений. Исключение составляет лишь наименее интенсивная линия аз, на которую накладывается ,82-линия тербия. Однако наиболее часто анализ на иттербий проводят по линии Линии = 1472,6 X) и х (Х= 1265 X) испытывают селективное поглощение соответственно в гадолинии ( 1-край поглощения— 1474,0 X) и эрбии ( 1-край поглощения—1265,5 X), а линия Yb P2 относительно слаба и при работе на спектрографе описанной выше конструкции находится в неудобной области спектра. [c.174]

При работе на спектрографе и спектрометре влияние различных искажающих факторов на контур линии комбинационного рассеяния учитывают обычно следующим образом. [c.309]

При фотографическом методе исследования аппаратная функция фотослоя сохраняет свою геометрическую ширину при переходе от возбуждающей линии к линии комбинационного рассеяния. Поэтому рабочая формула для расчета истинной ширины линий комбинационного рассеяния при работе на спектрографе имеет следующий вид [c.312]

Определению гафния при работе на спектрографе ИСП-28 мешают 5% окиси железа, 1% окиси марганца, 0,1% окиси тория. [c.327]

Работу на спектрографе ДС-1 ведут в первом или втором порядках спектра по линиям На и Ос. Применяют панхроматические пластинки или плен- [c.368]

Близость химических свойств гафния и циркония и их соединений исключает применение методов с использованием явления фракционного испарения. Поэтому определение гафния приходится проводить всегда на фоне многолинейчатого спектра циркония при непосредственном возбуждении спектров в дуге или искре. Для достижения высокой чувствительности и точности определения гафния в цирконии имеет значение правильный выбор аналитических линий, условий возбуждения и регистрации спектров. Как правило, высокая концентрационная чувствительность определения гафния достигается при работе на спектрографах с большой линейной дис-nejp nen и высокой разрешающей силой. Приемы введения пробы в разряд и возбуждения спектров могут быть самыми разнообразными. [c.183]

Наивысшая чувствительность определения гафния в цирконии при работе на спектрографе КСА-1 с однолинзовым конденсором была достигнута при следующих условиях. Пробу двуокиси циркония (20 мг), смешанную с. 10 мг графитового порошка, плотно набивают в канал графйтового электрода (диаметр 4 мм, глубина канала 5 мм, диаметр 2 мм) и сжигают в дуге постоянного тока в 10 а. Электрод с пробой служит анодом дуги верхний электрод — графятовый стержень, заточенный на конус. На щель спектрографа (ширина 0,01 мм) проектируется сильно увеличенное изображение центральной части межэлектродного промежутка, Время экспозиции 2 мин. Каждая спектрограмма на фотопластинке спектральная тип I, получается при двухкратном фотографировании на одно место пластинки спектров двух пар электродов. Аналитическая пара линий Н 2641,41 — Хт 2626,0. Градуировочный график рекомендуется строить в координатах 1 С, lg с учетом фона на спектрограммах. Вероятная ошибка единичного определения 0,003 — 0,03% Н составляет 20—30% при определении более 0,03% Н1 ошибка снижается до 10%. [c.186]

Описание различных аналитических инструкций дано в табл. 9.4.10.1 (а, б, в). Методы Ре 1—Ре4 и Ре 8—Ре 15 пригодны для общего использования, а методы Ре 5—Ре 7 можно применять только для некоторых видов анализа. Методы Ре 1 и Ре 3, а также Ре 2 и Ре 4 подходят соответственно для решения одинаковых задач. Различие состоит в том, что в случае методов, обозначенных большими цифрами, при работе на спектрографах высокой разрещающей силы (например, на спектрографах системы Литтрова) и [c.170]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология