Диодный метод

В диодном методе поверхность образцов служит коллектором, а поверхность сравнения — эмиттером насыщенного диода. Для устранения эффектов пространственного заряда анодный ток поддерживают предельно малым, поэтому в области задерживающих потенциалов анода (нри отрицательных значениях суммы 1 + крп) ток / определяется выражением [c.438]

Если рассматривать исключительно изменения работы выхода на поверхности образца, диодный метод становится значительно проще, так как необходимо определить только смещение зависимости тока от приложенного напряжения на оси напряжения как результат изменения, и измерения удобно проводить в области, ограниченной пространственным зарядом. При этом возможны разнообразные варианты взаимного расположения катода и коллектора. Чтобы измерения были точными, необходимо убедиться, что прямые до и после смещения параллельны друг другу. [c.439]

Поверхностные потенциалы возникают при образовании на новерхности твердого тела адсорбционных слоев в результате асимметричного распределения электронов на новерхности. Если имеется такое асимметричное распределение, то следует ожидать, что адсорбированные частицы будут обладать дополнительным моментом. Фактически дело обстоит именно так, и имеется прямая связь между поверхностным потенциалом и дипольным моментом. Поверхностный потенциал адсорбированного ксенона измеряется сравнительно легко диодным методом (см. разд. 3.3.5), если в качестве второго электрода в центре колбы с напыленной металлической пленкой поместить небольшой вольфрамовый катод. [c.92]

Р и с. 18. Конструкции электродов, используемых для определения к. р. п. диодным методом. [c.114]

Дж. Причард. Такая независимость показана в интервале 195—273°С для адсорбции атомарного водорода диодным методом вплоть до 100 мч и точными объемными измерениями для адсорбции этилена. При очень низких температурах наблюдаются различия, которые могут быть обусловлены влиянием подвижности. [c.114]

Дж. Причард. Первый вопрос доктора Мюллера относится к характеру ПП ксенона до и после занолнения монослоя. Полученная кривая относится к адсорбции в первом слое. Это ясно показано опытами при 63°К. При этой температуре наблюдается ступенчатое завершение двух монослоев. Кривая ПП во время адсорбции первого монослоя идентична кривой нри 77°К, и объем ксенона, адсорбированного во втором слое, такой же, как и в первом слое. Значение ПП второго слоя на серебре и золоте составляет 10% значения ПП первого слоя. Эти результаты получены диодным методом, в котором вся ячейка и жидкое кислородное охлаждение были помещены в откачанный контейнер. Этот метод еще не применялся для определения ПП многослойно адсорбированного этана. [c.114]

Дифференциальный анализ водорода. Данный метод, описанный Холлом и Лютинским [149], основан на зависимости реакционной способности водорода при его обмене с дейтерием от природы поверхности, на которой он находится. Пока этот способ использовался только для выявления форм водорода, связанного на металле и на окисле применительно к нанесенной платине, однако метод может оказаться полезным и для выявления различий в реакционной способности поверхности разных металлов при достаточно низкой температуре реакции. Этот метод использовался также для идентификации данных по программированной термодесорбции форм водорода, адсорбированного на дисперсной платине (платиновой черни) [150]. Программированная термодесорбция. Температура, необходимая для десорбции газа с металлической поверхности, зависит от энергии связи газа с поверхностью. Для чистых металлических образцов отдельные пики спектра термодесорбции часто прини-сывают разным типам поверхностных адсорбционных центров. Сводка таких данных приведена Хейуордом [151]. Авторы работы [152] изучали программированную термодесорбцию водорода с дисперсного платинового катализатора (платиновой черни) [152], а в обзоре [153] описана методика исследования таких образцов, предусматривающая десорбцию в поток газа-носителя. По-видимому, возможные изменения десорбционного спектра, полученного для разных газов, например окиси углерода, водорода или азота, могут дать сведения о поверхностном составе катализаторов на основе сплавов. Хотя чаще исследуют металлические образцы без носителя, в благоприятных условиях можно изучать и нанесенные металлы [33] при этом весьма полезно сочетать этот метод и ИК-спектроскопию. Изменения работы выхода. Изменение работы выхода как следствие адсорбции газа может дать сведения о составе поверхности, если известно, что эти изменения для двух чистых компонентов биметаллического катализатора значительно отличаются. Надежнее всего использовать метод для выяснения распределения компонентов сложной системы. Захтлер и сотр. [132, 135] применили фотоэлектрический метод для изучения адсорбции окиси углерода на различных металлических пленках, а Уоллей и др. [154] использовали диодный метод, исследуя адсорбцию окиси углерода на пленках Рс1—Ag. [c.444]

Измерения ПП, появляющегося при изменении КРП, требуют присутствия отсчетной поверхности. В идеальном случае она должна быть совершенно инертной, т. е. она не должна физически адсорбировать, хемосорбировать или реагировать с исследуемыми газообразными адсорбатами. Физическую адсорбцию предотвратить можно только, если проводить исследования в вакууме это значительно усложняет проведение экспериментов. Поверхность должна быть проводящей, по следует по возможности избегать металлических поверхностей (за исключением специально загрязненных), так как даже по отношению к инертным газам они имеют большую способность к физической адсорбции, чем другие поверхности. В большинстве хемосорбционных исследований ошибка, вносимая физической адсорбцией, мала, поскольку количества, адсорбированные на отсчетной поверхности и хемо-сорбированные на исследуемой поверхности, почти одинаковы. В диодном методе не возникает затруднений, потому что отсчет-ная поверхность (обычно вольфрамовая нить) остается чистой в присутствии многих адсорбатов благодаря тому, что она все время нагрета до высокой температуры. Во всяком случае работа в условиях пространственноограничивающего заряда маскирует изменение работы выхода нити. При применении конденсаторного метода отсчетную пластинку лгожно сделать из неактивных металлов, например золота или, при работе с азотолг, платины. В настоящее время обычно используется метод, заключающийся [c.126]

Позднее диодный метод тппроко использовался в режиме (б) для пзмерепия ПП в процессе адсорбции на папылеппых пленках. Вокруг центральной петли вольфрамового катода помещали пленку из исследуемого вещества, которая служила анодом. Поскольку при этом в эмиссии участвуют все участки нити, а не только те, которые расположены в непосредственной близости [c.145]

Использование тугоплавких металлов в опытах по флеш-десорбции привело к возрождению более старых измерений диодным методом, в которых в качестве анода используются нити и ленты. Джонс и Петина [62] применяли такие методы для построения графиков зависимости поверхностного потенциала от заполнения в системе У — N2. Использованная ими ячейка изображена на рис. 25. Адсорбирующий анод представляет собой полоску из вольфрамовой фольги толщиной 0,02 мм, длиной 10 см и шириной 1,5 мм, укрепленную вертикально и натянутую с помощыо [c.149]

СКОЛЬКИМИ различными методами путем термоионных измерений работы выхода фотоэлектрическим определением работы выхода диодным методом и путем измерения изменений емкости конденсатора, образованного двумя пластинками вольфрама, расположенными близко друг к другу во время адсорбции газа, — методом, использованным с большим успехом Миньоле и Томпкинсом. Эти методы дают согласующиеся результаты, показывающие, что одни газы при адсорбции вызывают прогрессирующее увеличение работы выхода, а другие —ее уменьшение. [c.42]

Лангмюр и Кингдон [93] использовали диодный метод в сочетании с термоэлектронными измерениями для изучения адсорбции щелочных металлов и кислорода на вольфрамовом аноде. Устройство электродов в диоде показано на рис. 18, о. Полученные ИЛ1И результаты были не очень точными для цезия и тория [c.113]

В использованной недавно видоизмененной методике анод представляет собой металлическую пленку, напыленную на стенки цилиндрической ячейки (см, рис, 18, г). При помощи такой системы электродов Миньоле [30] проверил результаты, полученные конденсаторным методом, и обнаружил прекрасное согласие в значениях поверхностных потенциалов для адсорбции Нг, Ог, N2 и Хе на вольфраме, а также Хе на ртути. Например, для системы У + Хе эти значения составляли -Ь1,11 в (диод) и + 1,14 в (конденсатор), а для адсорбции Нг на вольфраме получено —0,50 в (диод) и —0,48 в (конденсатор). При —196° поверхностный потенциал системы Ш + Нг падал с ростом давления до —0,41 в при 2 10 мм рт. ст., вследствие того что адсорбирующийся молекулярный водород создавал положительный поверхностный потенциал, В случае адсорбции водорода диодный метод дал более отрицательные значения потенциалов и показал несколько большую величину адсорбции, чем конденсаторный. [c.115]

Это было приписано присутствию атомов Н, образующихся под влиянием раскаленного вольфрамового катода. Миньоле [89] подтвердил также полученные конденсаторным методом данные относительно поверхностных потенциалов при адсорбции Нг на напыленных платиновых пленках соответствующие значения равны —0,15 в (диод) и —0,14 в (конденсатор). Тем же диодным методом Блойе, Д Ор и Миньоле [88] получили для адсорбции СО и атомарного Н на напыленных пленках меди величины поверхностных потенциалов +0,30 в и —0,33 в соответственно, что согласуется с цифрами, полученными для СО конденсаторным методом [88], [c.116]

Зтилен. При —183° С кривая зависимости между поверхностным потенциалом и степенью заполнения (см. рис. 1) имеет 8-образную форму для обоих металлов. Однако, возможно, что начальная линейная часть не характерна для всей поверхности пленки. Если вероятность прилипания не очень мала и адсорбированные молекулы этилена неподвижны, то часть пленки, параллельная электроду сравнения, заслонена от впускаемого газа, и регис-рируемый потенциал будет иметь ложные заниженные значения. Этот факт наблюдался в отдельных опытах с окисью углерода, когда измерения по диодному методу показали, что адсорбция является неподвижной нри —183° С, и когда было возможно прямое сравнение результатов, полученных на юй же пленке методами вибрирующего конденсатора и диодным. [c.108]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология