Галогенирование в аллильном положении

Реакции замещения по аллильному положению достаточно подробно изучены только на примере галогенирования. [c.70]

Галогенирование в аллильное положение (электрофильное замещение) [c.65]

Аналогичное соотнощение скоростей процессов [а) и (б) наблюдается при низкой концентрации галогена (даже при низкой температуре). Поэтому для галогенирования алкенов в аллильное положение часто используют N-бромсукцинимид (N-БСИ), способный создавать очень низкую концентрацию радикалов брома [c.65]

Говоря О взаимодействии с первичной, вторичной или третичной связями С—Н, следует иметь в виду два противоположных эффекта. В то время как энергия диссоциации уменьшается от первичной к третичной С—Н-связи, пространствен ные трудности возрастают в той же последовательности. Рост пространственных затруднений может в некоторых случаях иметь решающее значение. Например, при галогенировании реакционная способность аллильного положения с увеличением разветвленности снижается в ряду [c.146]

Галогенирование в а-положение к двойной связи углерод углерод. Галогенирование в аллильное положение иногда проходит при действии свободных галогенов при освещении [c.282]

При термическом галогенировании гомологов этилена идет замещение водорода в аллиЛьном положении (см. 32) [c.149]

Энергия диссоциации связи находится в зависимости от устойчивости радикала, образующегося в результате диссоциации. Как известно, устойчивость радикала определяется его способностью к делокализации одиночного, неспаренного электрона. Эта способность увеличивается при введении как электронодонорных, так и электроноакцепторных заместителей. Так, она возрастает при переходе от первичных ко вторичным и третичным алкильным радикалам (благодаря +1-эффекту алкильных групп) и оказывается особенно большой у радикалов, содержащих по соседству с радикальным центром ароматические ядра или кратные связи (благодаря —М-эффекту этих групп). Иэвестна феноменальная устойчивость свободных триарилметильных радикалов, существующих в растворе без доступа кислорода в равновесии со своим димером неопределенно долгое время. Бензильный и аллильный радикалы относятся к короткоживущим радикалам, однако для их образования требуется значительно меньше энергии (см. табл. 5), чем для образования других алкильных или арильных радикалов, и, следовательно, при подходящих условиях гомолитический разрыв в первую очередь будут испытывать именно аллильные или соответственно бензильные С—Н-связи углеводородов. Так, радикальное галогенирование гомологов бензола, например, этилбензола, в мягких условиях приводит к образованию исключительно а-галогеналкилбенэола вследствие большой устойчивости бензильного радикала, а радикальное галогенирование алкенов — к вступлению галогена исключительно в аллильное положение [c.152]

Содержание хлора в модифицированном бутилкаучуке 1,1— 1,3 масс.%. Атомы хлора в аллильном положении отличаются большой подвижностью и галогенированные звенья способны участвовать в реакциях вулканизации. [c.304]

Вместо N-бромсукхщнимада можно использовать N-хлорсукцинимид, который хлорирует алкены но аллильному положению. Реакцией, родственной аллильному галогенированию по Циглеру считается прямое газообразное хлорирование нроинлена при 400 - 500 "С (Д.М. Львов, 184 г.) [c.441]

Реакция. Радикальное замещение по связи С—Н действием N-гало-генамида, предпочтительно N-хлор- или N-бромсукцинимида. Метод особенно пригоден для введения галогена в бензильное или аллильное положение (превращения Аг—СН3 -> Аг— Hj—Hal, С=С—СН3 -> С=С—СН2—Hal и т. д.), предпочтительный растворитель-тетрахлорид углерода. ( Аллильное галогенирование [10]). [c.71]

N-Бpoм yкцинимид используется для бромирования алкенов в аллильное положение, этот реагент создает постоянную низкую концентрацию брома (разд. 29.8), Каждую молекулу НВг, образующуюся при галогенировании, Н-бромсукцинимид превращает в молекулу ВГд [c.201]

Многие методы синтеза галогенпроизводных уже рассматривались при описании свойств углеводородов (свободнорадикальное галогенирование алканов, реакции присоединения к кратным углерод-углеродным связям, галогенирование в аллильное положение, теломеризация, галогенирование алкилборанов). [c.115]

Отрицательный знак константы реакции указывает на то, что электронодонорные заместители в ароматическом ядре способствуют галогенированию. Поэтому часто считают, что атакующие галоген-радикалы, несмотря на их формальную электронейтральность, обладают электрофильным характером и атакуют преимущественно положения с повышенной электронной плотностью. Несмотря на это, приведенные константы реакции говорят за это допущение только условно, так как для хлор-радикала (несомненно самого сильного электроотрицательного реагента) должна была бы наблюдаться самая сильная зависимость от полярных влияний заместителей в ядре. Однако мы уже видели в предыдущей главе, что большее (меньщее) значение константы реакции всегда соответствует высокой (низкой) селективности реакции (см. стр. 471). Так, богатый энергией хлор-радикал может отрывать водородный радикал в экзотермичной реакции у самых стабильных углеводородов (например, метана) самостоятельно, без существенного содействия углеводорода, В случае бром-радикала такая реакция уже невозможна, поэтому бромированию должны, содействовать эффекты в субстрате, которые дают возможность образующемуся радикальному электрону делокализоваться на большей части молекулы (аллильная и бензильная системы). Именно это и выражается приведенными константами реакции. Согласно этим данным, бромирование Ы-бромсукцинимидом является особенно селективным. Следовательно, N-бpoм yкцинимидoм могут быть пробромированы практически лишь столь легко превращающиеся Б радикалы системы, как аллильные и бензильные соединения. [c.537]

Реакцию можно индуцировать светом, инициаторами или термически. Литературные данные о результатах таких реакций бромирования противоречивы и еще не вполне понятны. Согласно одной из новых гипотез, радикальное галогенирование N-бромсукцинимидом должно быть возможно только в том случае, если последний присутствует в твердой форме, например если проводить реакцию в четыреххлористом углероде, в котором N-бромсукцинимид практически нерастворим. Тогда реакция происходит на поверхности его кристаллов, причем гладко реагируют только такие субстраты, которые имеют молекулярные размеры, сравнимые с системой 0 = С—N. Это имеет место, в частности, в случае аллильной системы [см. табл. 86], которая поэтому молсет хорощо располол иться на поверхности кристаллов. Тогда в комплексе энергия активации снижена па величину энергии взаимодействия. С увеличением разветвленности аллильного положения укладка на поверхности бромсукцин-имида и вместе с этим галогенирование затрудняются. В общем реакционная способность аллильного положения снижается в [c.535]

Второй путь введения функциональных групп в алкены — реакции в аллильном положении. Аллильные водороды, т. е. Н-атомы, стоящие у углерода, соединеганого с двойной связью С—С, легко поддаются окислению и галогенированию. Большинство подобных реакций галогенирования проходит по свободнорадикальному механизму, однако возможен и ионный механизм. [c.16]

При термическом галогенировании гомологов этилена идет замещение водорода в аллильном положении. Так, пропилен при хлорировании по Львову — Шешукову (при температуре около [c.140]

Галогенирование в аллильное и бензильное положение осуществляют N-xлop- и Н-бромсукцинимидом (радикальный механизм) [10] (Б-10). [c.65]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология