Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Поверхность радиус кривизны

    Давление насыщенного пара над плоской поверхностью (радиус кривизны равен оо) в соответствии с уравнением Клаузиуса—Клапейрона, характеризуется зависимостью  [c.112]

    Здесь Гпл(оо) — температура плавления кристалла с плоской поверхностью Гпл(р)—температура плавления кристалла с поверхностью, радиус кривизны которой равен р — поверхностное натяжение (свободная поверхностная энергия) поверхности раздела кристалл/расплав ре — плотность кристалла. Кроме поверхностной энергии, Темкин включил в рассмотрение кинетические явления на поверхности раздела фаз, которым соответствует линейная зависимость скорости роста от переохлаждения на фронте кристаллизации. Рассматриваемые в гл. V кинетические явления на поверхности раздела фаз — это молекулярные процессы, определяющие, какой должна быть степень отклонения температуры этой поверхности от равновесной, чтобы скорость перехода молекул из расплава в кристалл приобрела данное значение. Линейная зависимость скорости роста от переохлаждения выражается следующим образом  [c.403]


    Формулы (XI.13) и (XI.14) с достаточной точностью можно применить и для цилиндрических поверхностей радиусом кривизны более 1000 мм. [c.323]

    Интересна особенность, характерная для мыльных пузырей. Они имеют нарул<ную и внутреннюю поверхности, радиусы кривизны которых почти одинаковы (толщиной пленки можно пренебречь), и обладают одним центром кривизны. В результате давление в пузырях равно удвоенному значению, получаемому по формуле (П. 152), Так же как и для сплошной жидкости, давление в мелких пузырьках больше, чем в крупных. Если соединить эти пузырьки друг с другом какой-нибудь трубкой, то воздух будет переходить в крупный пузырек до тех пор, пока мелкий не исчезнет совсем. [c.86]

    Форма электродов, влияя на напряжение разряда, определяет характер его развития. Наилучшей является такая форма электродов, при которой разряд равномерно распределяется по всей рабочей поверхности электрода. В идеальном случае рабочей поверхности должна придаваться так называемая эквипотенциальная ( естественная ) форма. Такая форма образуется на электроде в процессе продолжительного горения разряда. Часто приближением к такой форме может быть сферическая поверхность, радиус кривизны которой зависит от диаметра электродов, размера межэлектродного промежутка и применяемой атмосферы разряда. [c.373]

    Величина остаточных напряжений сжатия в сформированном на поверхности металла эмалевом покрытии зависит от конфигурации поверхности (радиуса кривизны), разнотолщинности металлической основы аппарата, жесткости конструкции и ряда других ее особенностей, которые следует учитывать при прочностных расчетах аппаратуры с эмалевым покрытием, в частности, при выборе допускаемых напряжений. Следует также иметь в виду, что с повышением температуры величина остаточных напряжений сжатия уменьшается и что, следовательно, прочность композиции металл — эмаль при температуре эксплуатации аппарата становится ниже, чем до начала работы. [c.40]

    В машиностроении интерференция применяется для контроля и аттестации концевых мер, контроля плоскостности измерительных поверхностей, качества поверхности, радиусов кривизны, плоскостности оптических деталей и т. д. В применяемых в измерительной технике интерферометрах обычно используются широкие пучки света и интерференция наблюдается при отражении от двух плоскостей. При этом могут иметь место два случая  [c.13]

    Цилиндры устанавливали под прямым углом друг к другу. Направление движения составляло угол 45° к осям обоих цилиндров. Условия испытания обеспечивали непрерывное перемещение точки контакта по поверхности обоих цилиндров. Результаты испытаний определялись свойствами исходных, не-нарушенных поверхностей трения. На этой машине трения удобно изучать влияние на трение и износ удельных нагрузок, обработки поверхностей, радиуса кривизны цилиндров. [c.46]


    Рассмотренные выше соотношения для адсорбционного равновесия на плоской поверхности с достаточной степенью точности могут быть применены и к искривленным поверхностям, радиус кривизны которых значительно превышает толщину адсорбционной пленки. В случае же очень малых радиусов кривизны (например, для очень тонких пор или очень малых частиц адсорбента) необходимо вводить соответствующие поправки. Поэтому в настоящем параграфе дадим обобщение рассмотренных ранее соотношений на случай искривленной поверхности. [c.310]

    Рассмотрим срединную, поверхность оболочки вращения, образованную вращением произвольной кривой г=f r) относительно оси ог (рис. 8.13). Первый главный радиус кривизны этой поверхности — радиус кривизны меридиана. Второй главный радиус кривизны —длина нормали к поверхности оболочки, замеренная от касательной к меридиану до оси вращения ог. Произведение (1// 1) (1/У а) = носит в дифференциальной геометрии название полной или гауссовой кривизны поверхности. В декартовых координатах уравнение поверхности вращения записывается следующими соотнощениями  [c.342]

    Прибор, построенный по усовершенствованной измерительной схеме со сбалансированным мостом и нулевым методом отсчета позволяет производить измерения толщины покрытия с точностью до 0,02 мм на стальных и чугунных изделиях с плоскими, выпуклыми и вогнутыми поверхностями, радиус кривизны которых не менее 45 мм. [c.438]

    При измерении твердости на криволинейных поверхностях радиус кривизны их должен быть не менее 5. нм. При измерении твердости на образцах с радиусом кривизны менее 5. нм числа твердости имеют относительное зна чение — для сравнения твердости образцов, имеющих одинаковую кривизну испытуемой поверхности. [c.44]

    Массоотдача к плоской твердой пластине. При ламинарном режиме обтекания твердой поверхности, радиус кривизны которой велик по сравнению с толщиной диффузионного пограничного [c.364]

    Испытание проводят на образце с поверхностью, которая подготовлена так, чтобы ее шероховатость составляла < 0,2 мкм. Толщина слоя, удаляемого с поверхности спеченного образца, должна быть не менее 0,2 мм. Подготовку образца проводят таким образом, чтобы изменение поверхности вследствие горячей или холодной обработки было минимальным. При определении твердости образцов с искривленной поверхностью радиус кривизны поверхности должен быть не менее 15 мм. Для того чтобы определить твердость образца с радиусом кривизны менее 15 мм, нужно подготовить плоскую поверхность минимальной шириной 3 мм для проведения испытания. [c.83]

    При электрохимической обработке местные потери особенно велики при входе раствора в межэлектродный зазор через отверстие в катоде. В этой области возникает резкое падение давления. В рабочем зазоре электролит, как правило, движется вдоль поверхностей, радиус кривизны которых во много раз превышает величину зазора, поэтому роль местных потерь здесь невелика и основное значение приобретают потери на трение. [c.42]

    При поверке ВТС типа ВЭ проводят внешний осмотр, опробование, определение параметров ВШ трансформаторного типа, параметров ЗГ, параметров усилителя. Обязательной должна бьггь операция определения основной погрешности измерений 5а с помощью серийно вьшускаемых стандартных образцов удельной электрической проводимости и дополнительной погрешности измерения <5, при толщине изделия менее минимально допустимой, а также при измеш нии формы поверхности (радиуса кривизны) или диаметра зоны контроля [c.244]

    Другой комплект СО позволяет определить влияние различных факторов шероховатости поверхности, радиуса кривизны, непарал-лельности поверхностей. Толщиномеры группы Б проверяют также на способность определять участки с локальным уменьшением толщины стенки. Проверку выполняют по образцам с плоскодонными отверстиями. [c.243]

    При контроле заготовок с вогЕ1утой цилиндрической поверхностью радиусом кривизны Я рабочую поверхность наклонного преобразователя в направлении ис- [c.378]

    Для случая ламинарного течения пленки жидкости малой толщины (до 1—2 мм) по плоской поверхности совпадающие между собой теоретические зависимости, позволяющие определить скорость течения и толщину пленки, были даны В. Нуссельтом и Лэмбом. В литературе [4, 20] указывается, что предложенное Нуссельтом решение может быть распространено также на поверхности, радиус кривизны которых велик сравнительно с толщиной жидкостной пленки, т. е. для труб. [c.67]

    Этого недостатка можно избежать, применяя фокусировку в точку. Для фокусировки в точку поверхность кристалла должна являться частью тороида. На пластинке (рис. 20), изогнутой по радиусу 2R, выделим сечение AB . Вращая это сечение вокруг линии, связывающей фокусы F и F, получим тороидальную поверхность, радиусы кривизны которой в точке В будут равны 2/ и BD. Из рис. 20 ясно, что BD =Л51п0 = 2/ 81п20. Кристалл, изогнутый таким способом, фокусирует падающие на него лучи в точку F. Мощность подобного монохроматора много больше, и время экспозиции уменьшается примерно в 20 раз. [c.33]

    Благодаря достаточно -высокой эластичности даже холодные тонкие декоративные слоистые пластики можно гнуть чтобы избежать, растрескивания. поверхности, радиус кривизны должен быть не меньше 300 мн. Как уже было сказано выше,, для формования изогнутых поверхностей применяют недоотвержденные слоистые пластики на основе модифицированных аминосмол, так называемые плиты для последующего формования. Они обычно менее прочны и менее стойки к действию воды, и это ограничивает их применение главным образом футеровкой стен, комнатной мебели и т. д. [c.232]


    Измерение твердости по Роквеллу производится на образцах с плоской и криволинейной поверхностями. При из.мерении твердости на образцах с криволинейной поверхностью радиус кривизны последней должен быть не менее 15 мм. [c.42]

    Принцип этой установки (но Кошуа) ясен из рис. 8,в. Изогнутый по цилиндрической поверхности кристалл применяют для фокусировки рентгеновских лучей, прошедших через кристалл. Плоскости кристалла перпендикулярны его поверхности. Радиус кривизны кристалла также равен диаметру круга Роуланда. Шлифовка кристалла для этой установки не требуется. Такой спектрометр можно использовать двумя путями либо для фокусировки расходящегося пучка рентгеновских лучей от большой пробы в линию на круге Роуланда (от В к А) или, наоборот, для получения луча, расходящегося из точки (от А к В). Основное преимущество установки, работающей на прохождение, заключается в облегчении измерений при очень малых углах Брэгга. Существуют различные доступные механические устройства для установки изогнутых кристаллов опи описаны в работах Сапдстрома [c.213]


Смотреть страницы где упоминается термин Поверхность радиус кривизны: [c.114]    [c.35]    [c.146]    [c.40]   
Курс коллоидной химии 1974 (1974) -- [ c.67 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Зависимость поверхностного натяжения от давления и состава одной из фаз при постоянстве радиуса кривизны поверхности разрыва

Зависимость поверхностного натяжения от радиуса кривизны поверхности разрыва

Зависимость поверхностного натяжения от температуры и состава одной из фаз при постоянстве радиуса кривизны поверхности разрыва

Зависимость состава поверхностного слоя от радиуса кривизны поверхности разрыва в бинарной системе



© 2025 chem21.info Реклама на сайте