Расплавы кристаллов

Различают проводники первого и второго рода. В проводниках первого рода перенос заряда осуществляется либо при помощи электронов, либо при помощи электронов и дырок. В проводниках второго рода электрическая проводимость обусловливается положительными и отрицательными иона-м и. Металлы и полупроводники являются проводниками первого рода, а водные растворы солей, кислот, щелочей, солевые расплавы, кристаллы солей — проводники второго рода. В солевых расплавах и кристаллах солей существенную роль играет также электронная проводимость. [c.361]

I ступени 3) отделение маточного раствора от кристаллов I ступени п их плавление 4) кристаллизация на II ступени расплава кристаллов I ступени 5) отделение маточного раствора от кристаллов II ступени и их плавление. Расплав кристаллов II ступени выводят с установки в качестве товарного продукта. На установках большой производительности исходным сырьем служат ароматические углеводороды С8, полученные в процессах изомеризации (см. гл. 4). [c.114]

Кристаллизацией называют выделение твердой фазы в виде кристаллов главным образом из растворов и расплавов. Кристаллы представляют собой однородные твердые тела различной геометрической формы, ограниченные плоскими гранями. Каждому химическому соединению обычно соответствует одна или несколько кристаллических форм, отличающихся положением и числом осей симметрии. Явление образования нескольких кристаллических форм у данного химического соединения носит название полиморфизма. Кристаллы, включающие молекулы воды, называют кристаллогидратами, причем в зависимости от условий проведения процесса кристаллизации одно и то же вещество может кристаллизоваться с разным числом молекул воды. [c.632]

Приводят в действие мешалку и наблюдают за понижением уровня ртути в капилляре. Иногда, особенно прн работе с водными растворами, температура охлаждаемой жидкости может опуститься ниже истинной температуры замерзания (переохлаждение), после чего начинается ее кристаллизация (о ходе охлаждения см. также стр. 103 и сл.). Вследствие выделения при этом теплоты кристаллизации температура повышается до истинной температуры замерзания и некоторое время остается постоянной. Замечают эту температуру, затем из внешней пробирки 4 вынимают пробирку 3 и нагревают ее рукой, чтобы расплавить кристаллы льда, после чего снова помещают пробирку в охладительную смесь для повторного определения температуры замерзания. Эту операцию повторяют еще раз, если расхождение превышает 0,003 градуса. [c.84]

Ра с плав обогащен по сравнению с химическим соединением компонентом А (точка 3). После израсходования всех кристаллов В при температуре Iq останется некоторое количество жидкости состава С, система станет двухфазной (расплав С + тв. А В, ) и моновариантной. Поэтому при дальнейшем охлаждении из жидкости выделяются кристаллы А Вт, а состав ее меняется вдоль кривой СЕ, пока не будет достигнута эвтектическая точка Е. Так как при эвтектической температуре жидкость насыщена н химическим соединением, и компонентом А, процесс заканчивается образованием эвтектики (тв. А + тв. А Вт). Таким образом, в процессе кристаллизации химического соединения точкам на прямой DF отвечает система, состоящая из трех фаз расплава, кристаллов В и кристаллов химического соединения АдВ . [c.175]

Пользуясь правилом рычага, можно для каждой точки найти весовые количества равновесных жидких слоев. Если точка 1 при охлаждении расплава, перемещаясь по перпендикуляру через область расслоения в сторону более низких температур, достигнет линии ЕР, расплав Р окажется насыщенным по отношению к веществу В. При этом из расплава начнут выделяться кристаллы вещества В. Число фаз в системе станет равным трем (две жидких и одна твердая), и, следовательно, система будет находиться в инвариантном равновесии. По мере выпадения из расплава кристаллов вещества В компоненты будут перераспределяться между жидкими слоями. В результате этого процесса состав как жидкости Р, так и жидкости Е все время остается неизменным, и мы будем наблюдать лишь постепенное уменьшение количества жидкости. Первым исчезнет расплав Р и останутся две фазы — расплав Е и кристаллы В. Система станет моновариантной, и, следовательно, температура при дальнейшем выпадении кристаллов В будет падать. В С оставшийся расплав затвердевает, как эвтектика. [c.192]

Пробирку с водой вынуть, всыпать в нее навеску мочевины, полученную у лаборанта, и растворить при помешивании. Закрыть пробирку пробкой с термометром и мешалкой, вставить в охладительную смесь и, помешивая раствор, определить температуру замерзания раствора. Нагревая пробирку рукой, расплавить кристаллы льда и повторить определение. [c.112]

Наибольшее поверхностное натяжение у воды, обладающей высокой полярностью большой электрический момент 0,607 X X 10 Кл-м, малые размеры молекул, наличие водородных связей. В жидкостях, полученных при плавлении ионных кристаллов, сохраняются ионные связи между частицами, и они хорошо проводят электрический ток (электролиты). Поверхностное натяжение у этих жидкостей высокое. Еще выше оно (до 0,30 Дж/м ) при сохранении ковалентных и ионных связей в расплавах кристаллов силикатов и алюминосиликатов. Наибольшее поверхностное натяжение у жидких металлов, оно на порядок выше поверхностного натяжения полярных жидкостей и некоторых расплавов ионных кристаллов. [c.209]

Одновременно линии АЕ и ВЕ указывают, как изменяется состав жидкой фазы по мере кристаллизации висмута и кадмия. Как при выделении из расплава кристаллов висмута, так и при кристаллизации кадмия содержание компонентов в жидком сплаве приближается к составу эвтектики (точка Е). При достижении указанного состава жидкой фазы и соответствующей точке Е температуры начинается совместная кристаллизация обоих металлов. Сплав застывает при постоянной температуре. [c.192]

К этому плаву прибавляют 150 мл горячего (80") сухого толуола и продолжают перемешивать в течение 5 мин. Всю массу быстро переливают в сухой стакан (примечание 3) и медленно перемешивают от руки, пока вся масса пе закристаллизуется (примечание 4). Холодный толуол быстро декантируют и прибавляют 150 мл теплого толуола. Смесь нагревают, чтобы расплавить кристаллы (примерно до 68°), затем снова дают ей охладиться при перемешивании. Толуол еще раз декантируют и прибавляют 150 мл горячего (60°) сухого бензола. Полученную массу опять расплавляют и вновь охлаждают при перемешивании. Кристаллическую массу, все еще покрытую слоем бензола, быстро переносят в воронку Бюхнера, которая должна быть достаточно большой, чтобы вместить все содержимое стакана. Воропку немедленно покрывают резиновой диафрагмой и применяют отсасывание (примечание 5). Кристаллы быстро покрывают сухим хлористым метиленом (150 мл), сушат, применяя отсасывание, и быстро переносят в стеклянный вакуумный сушильный шкаф, в [c.60]

ТОНКИМ слоем подается на движущуюся металлич. ленту, на к-рой он охлаждается до полного затвердевания. В вальцевом аппарате (рис. 5) продукт кристаллизуется на наружной пов-сти охлаждаемого изнутри вращающегося полого барабана (вальца), част ично погруженного в ванну с расплавом кристаллы снимаются с барабана неподвижным ножом. В дисковых аппаратах отверждение продуктов происходит на пов-стн охлаждаемых изнутри вращающихся дисков. [c.529]

Явления, связанные с действием сил поверхностного натяжения при выращивании из расплава кристалла, изучены мало. Можно назвать лишь несколько работ [29—32], где на основании приближенных решений уравнения Лапласа даются рекомендации по выбору условий вытягивания из расплава кристаллов определенной формы. [c.95]

При недостатке АЬОз можно наблюдать скопление алюмината иттрия также в виде зон, соответствующих положению фронта кристаллизации. Образование таких зон можно объяснить кинетическими факторами. Согласно существующим представлениям, перед фронтом кристаллизации имеется неподвижный пограничный слой расплава (диффузионный слой), через который примеси, не входящие в состав кристалла и отталкивающиеся фронтом кристаллизации, диффундируют от фронта кристаллизации обратно в расплав. При скорости кристаллизации, близкой к скорости диффузии примеси через неподвижный слой расплава, кристалл не захватывает механические примеси. Если же скорость кристаллизации выше скорости указанной диффузии примеси (в нашем случае сверхстехиометрического избытка оксида иттрия), то последний накапливается перед фронтом кристаллизации. Состав расплава ИАГ смещается в сторону алюмината иттрия и происходит кристаллизация последнего. В кристалле образуется зона поликристаллического агрегата. Вслед за этим выделяется зона чистого ИАГ до нового обогащения расплава оксидом иттрия. [c.173]

Роторные кристаллизаторы обычно работают непрерывно. При охлаждении расплава кристаллы образуются преимущественно на внутренней поверхности охлаждаемого цилиндра, откуда они непрерывно снимаются и попадают в расплав. Благодаря интенсивному перемешиванию охлаждаемого расплава достигаются сравнительно высокие коэффициенты теплопередачи от 700 до 3500 Bт/(м K) [2, 99, 100]. К достоинствам роторных кристаллизаторов мол<но отнести также возможность их использования для фракционирования вязких расплавов. [c.100]

Рассматриваемые кристаллизаторы имеют развитую поверхность теплообмена, но из-за отсутствия очищающих устройств их нельзя использовать для кристаллизации расплавов, кристаллы которых склонны к оседанию на поверхности охлаждения. [c.108]

Снова расплавить кристаллы в пробирке и, охладив под краном водой, потереть стеклянной палочкой о стенку пробирки в растворе. Объяснить происходящие изменения. [c.103]

Кристаллические фазы областей ниже линии солиду-сл казаны на диаграмме Mg - Са (рис. 35). В точке D (явный максимум) состав жидкой фазы одинаков с составом выпадающих из расплава кристаллов химического соединения Mg ag, что говорит о прочности данногр IЯ8 [c.198]

Таким образом, в тот момент, когда фигуративная течка всей системы достигает положения i, система состоит из двух фаз— кристаллов кадмия и жидкой эвтектики, кристаллизация которой должна происходить ири постоянной температуре (144 °С). В процессе кристаллизации жидкой эвтектики система состоит нз трех фаз расплава, кристаллов кадмия, как выделившихся раньше, так и образующихся при кристаллизации эвтектической смеси, и кристаллов висмута, выделяющихся из жидкой эвтектики. По окончании кристаллизации сиегема состоит из двух кристаллических фаз, которые и сохраняются при дальнейшем охлаждении. [c.375]

Таким образом, в процессе кристаллизации химического соединения точкам на прямой d во всех трех случаях отвечает система, состоящая из трех фаз расплава, кристаллов a- aSiOg и кристаллов химического соединения. [c.387]

Опыт 1. Определение концентрации раствора. Раствор налить в сухую пробирку и поместить в стакан микрохолодильника. При появлении первых кристаллов в пробирку быстро перенести термометр Бекмана. Подогревая рукой пробирку, расплавить кристаллы, после чего снова поместить пробирку с термометром в микрохолодильпик. Процесс охлаждения раствора проводить при помешивании. Помешивание прекратить, когда температура будет на 0,2° ниже температуры кристаллизации растворителя. Раствор охладить без перемешивания на 0,2—0,3°. Снова начать перемешивание до установления температуры кристаллизации раствора. Температуру замерзания раствора определять не менее трех раз, добиваясь уменьшения разброса результатов измерения. [c.185]

Образование конгруэнтно плавящегося соединения А Вп иа расплава. Пусть соединение АтВ образует с чистыми компонентами А и В диаграммы простого эвтектического типа. Тогда строение диаграммы (рис. 13.7,6) будет иметь следующий вид. На кривой ликвидуса имеется дополнительный участок Е18Е2, отвечающий процессу выделения из расплава кристаллов химического соединения А, В . По ординате химического соединеиия диаграмма как бы разделяется на две самостоятельные диаграммы эвтектического типа А—АтВ и АтВт,—В. В левой части нет компонента В как составляющего, в правой компонента А. [c.273]

Вытягиваемый из расплава кристалл поднимает за собой столб жидкости, который удерживается над поверхностью расплава только за счет сил новерхност Юго натяжения, действующих на границах фаз . Иными словами, поверхность жидкости, поднимающейся за растущим кристаллом, стремится приобрести форму, соответствующую минимуму свободной поверхностной энергии. Это должно вызывать искривление не только наружной поверхности жидкого столбика, но и внутренней границы между жидкой и твердой фазами. [c.95]

При вытягивании кристаллов методом Чохральского форма наружной поверхности жидкого столбика оказывает непосредственное влияние на геометрию растущего кристалла. Поэтому имеющиеся работы по исследованию поверхностных явлений касаются главным образом определения формы наружной поверхности столба расплава и нахохадения связи между высотой столба и диаметром вытягиваемого кристалла. Работа [29] является первой попыткой рассмотреть влияние механизма смачивания на форму кристалла. Автор считает, что при отсутствии потерь тепла с поверхности кристалла (идеальная экранировка) диаметр кристалла полностью опередляется механизмом смачивания. В работе приводится приближенное решение уравнения наружной поверхности жидкости столбика в случае вытягивания из расплава кристалла цилиндрической формы. [c.95]

Оптимальные температуры травления кристаллов в расплаве смеси компонентов А и С определяются эмпирически. Кристалл, предназначенный для травления, закрепляется на штоке, режим травления подбирается пробными погружениями нижней части кристалла в расплав. В случае переохлаждения расплава начинается нарастание на кристалл твердой фазы, в случае перегрева расплава кристалл подплавляется оптимальной является область температур расплава, при которых кристалл не оплавляется и не обрастает твердой фазой. В этом случае протравленная поверхность кристалла оказывается свободной от видимых невооруженным глазом остатков расплава и не требует специальной очистки. В то же время при 50-кратном увеличении на поверхности кристалла видны налипшие на нее оптически анизотропные, пластинчатые кристаллы, имеющие форму треугольников, ромбов, шестиугольников (см. рис. 90). Согласно диаграмме состояний системы УгОз — А 20з, в переохлажденном расплаве смеси л У20з уА 20з при х/г/<1/3, кроме жидкой, присутствует твердая фаза а-А 20з. Оптический анализ твердой фазы, нарастающей на кристалл в случае переохлаждения расплава, показал присутствие двух кристаллических фаз ИАГ и а-АЬОз. Учитывая сказанное, а также морфологию пластинчатых кристалликов, налипших на поверхность 224 [c.224]

Наиболее широко распространены точки зрения на явление модифицирования как на процесс, совершаюндийся в коллоидной системе. Одни считают, что в начале процесса кристаллизации эвтектики А1—81 с добавкой натрия образуется система из очень мелких зародышей кристаллизации (алюминия, кремния и натрия), плавающих в расплаве. Натрий является поверхностно активным элементом, избирательно адсорбирующимся на определенных гранях растущих в расплаве кристаллов кремния. Вследствие адсорбции скорость кристаллизации сильно понижается. Задержанный рост кристаллов дает возможность зарождению новых центров кристаллизации. В конечном счете получается мелкодисперсная модифицированная структура эвтектического спла- [c.21]

Теоретически можно выращивать из расплава кристаллы любого вещества, которое плавится обратимо без химического разложения. Однако на практике некоторые соединения (например, 5102) настолько склонны к переохлаждению, что путем охлаждения расплава трудно получить что-нибудь, кроме стекла. Хотя у органических соединений существует тенденция к переохлаждению, особенно при наличии сложного строения, часто бывает возможным осуществить их кристаллизацию или охлаждением расплава в течение достаточного количества времени, или путем введения в расплав затравки в виде зародыша или псевдозародыша. [c.225]

Однокальциевый алюминат может образовываться по реакциям в твердой фазе и путем кристаллизации из расплава. В зависимости от условий обжига и охлаждения, а также химического состава расплава форма кристаллов СА может быть различной. При равновесной кристаллизации из расплава кристаллы СА характеризуются призматической формой, быстрое же охлаждение расплава приводит к появлению дендритоподобных сростков. Кристаллам СА свойственны хорошая спайность, нередко с отчетливым двойни уова-нием, и прямое погасание. Образование СА ускоряется при введении в сырьевую смесь фтористых соединений ( aFs, ЫагЭгРб и т. п.) и борного ангидрида в количестве 0,5—2,0%. Температура плавления минерала равна 1873 К. I [c.400]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология