Эквипотенциали

Метод электротепловой аналогии заключается в том, что исследование переноса теплоты заменяется более простым в экспериментальном отнощении исследованием распространения электричества в геометрически подобной модели рассматриваемого тела. При этом электрическое напряжение соответствует разности температур, сила электрического тока — потоку теплоты, а электрическое сопротивление — термическому сопротивлению. Применяются два вида моделей с сосредоточенными и распределенными параметрами. Модели изготовляются из материала с непрерывной проводимостью (электропроводной бумаги, жидкого электролита и т. д.) или в виде сеток, узлы которых воспроизводят свойства моделируемого объекта. Условия на границах моделируются с помощью электродов, прикрепленных к наружным кромкам модели. К электродам подводится электрическое напряжение. Электрическое напряжение в некоторой точке модели отвечает температуре в сходственной точке моделируемого объекта. С помощью чувствительного зонда определяется положение эквипотенциальных линий, соответствующее изотермическим поверхностям в теплопроводном теле. По известному положению изотерм можно рассчитать тепловой поток, пользуясь формулой д = %М1Ап, где Д/ — разность температур, соответствующая измеренной разности электрических потенциалов, я Ап — расстояние по нормали между эквипотенц-иальными линиями. [c.289]

Нг, Яз — эквивалентные сопротивления почвы от нулевой зоны (рис. 13, точка В) до нулевой эквипотенциали (точка О) и от точки С до точки О по прямой, соединяющей анод с катодом [c.30]

Остановимся на анализе экспериментальных измерений в системе защиты с шаровым анодом и протяженным сложной формы и ограниченной длины катодом. На рис. 15 представлены три варианта расположения электродов. Как видим, нулевая линия является нулевой эквипотенци-алью. [c.34]

Скручивание Р-складчатых листов. а — область карты (0, -ф) с двугранными углами основной цепи иескрученных параллельной ( ) н антипараллельной ( ) р-структур и левой скрученной р-структуры. Пунктирная линия соответствует эквипотенциали I ккал/моль (рис. 2.5). б —в скрученной р-структуре скручена каждая цепь. Ход основной цепи показан пунктирной линией. Прослежены иаправлення карбонильных (Д) и амидных (О) групп, в — скрученные, подобно (б), две параллельные цепи могут образовывать между собой водородные связи (0). Для этого угол между цепями должен быть равен 25°. г — схема леВ011 скрученной параллельной р-структуры. [c.96]

Поверхностный дефект, например трещина, создает дополнительное препятствие прохождению тока через ОК. На рис. 5.1 схематично показано расположение линий равных значений плотности тока (сплошные) - изолиний плотности тока и линий равных значений электрического потенциала (штриховые) - эквипо-тенциалей для случая использования постоянного тока. Указанные линии взаимно ортогональны. Сравнение характера расположения линий при отсутствии дефекта (рис. 5.1, а) и при наличии дефекта (рис. 5.1, б) показывает, что дефект сплошной электропроводящей среды, ориентированный поперек изолиний плотности тока, искажает как изолинии, так и эквипотенциали, что должно вызывать изменение значения разности потенциалов между фиксированными точками поверхности (между электродами 3 и 4). Это указывает на принципиальную возможность осуществления дефектоскопии и дефектометрии электропроводящих материалов электропотенциальным методом. [c.498]

Рис. 17. Конформационная карта полиизобутилена. Эквипотенциали проведены с интервалами 10 ккал/моль на мономерную единицу. Валентные углы в главной цепи 114° [82]

Эквипотенциали проведены с интервалами 4 ккал1моль на две связи С—С. Валентные углы главной цепи приняты равными 114,6° [c.56]

Рис. 24 представляет собой схему эквипотенциальных линий и траекторий электронов для двойного изображения, которое отчетливо разрешается. Если исходить из предположения, что атомы имеют общие электроны с субстратом, их можно рассматривать как проводники и провести эквипотенциали так, как это показано. Отсюда следуют два вывода [c.210]

Рис. 8.10. Конформационная карта метиламида N-ацетил-L-аланина, рассчитанная методом P ILO (эквипотенциали проведены с интервалом 1 ккал/моль) [69].

На рис. 7.10 приведены конформационные карты Ug (учтено 8 мономерных единиц) поливинилиденхлорида, построенные В. Г. Дашевским и И. О. Муртазиной [30, с. 6] для валентных углов 1=062=114,6° (рис. 7.10а) и 1=125°, 2=113° (рис. 7.106) [ 1 — угол ССС (с вершиной СНа), 2 — угол ССС (с вершиной I2)]. Первая карта похожа на карту работы [24] и для глобального минимума дает спираль с К 2,5. Вторая карта вместо двух осей симметрии по диагоналям имеет лишь центр инверсии. Эквипотенциали на второй карте, по-видимому, близки к линиям уровней потенциальной поверхности, однако надо иметь в виду, что истинные линии уровней могли бы быть получены только в том случае, если бы каждая точка карты соответствовала минимуму по другим параметрам, в частности o j и а . Поскольку в случае (б) валентные углы главной цепи взяты из оптимального поиска (см. ниже), то изоэнергетические линии близки к линиям уровней лишь вблизи минимума. [c.332]

Рис. 7.12. а—Конформационная карта нзотактического полихлорвинила для всех валентных углов ССС, равных 114,6 . Эквипотенциали проведены с интервалами 2 ккал/моль на мономерную единицу, учтено 5 мономерных единиц. [c.336]

Эквипотенциали проведены с интервалами 1 ккал/моль на мономерную единицу. [c.338]

Эквипотенциали построены с потенциалами Китайгородского. Цифры около них указывают относительные энергии в ккал/моль на мономерную единицу. Крестиком обозначено положение хглобального минимума. Пунктиром показаны линии равных значений ё. [c.351]

Модель поперечного (или продольного) сечения нижнего строения печи (существующей или проектируемой) выполняют в любом удобном масштабе из плексигласа. Для каждого материала (шамотный кирпич, бетон, набойка), входящего в конструкцию, делают отдельный отсек соответствующей формы. Модель заполняют электролитом так, чтобы электропроводность его в отсеках была пропорциональна теплопроводности каждого строительного материала. При пропускании электрического тока через такую модель можно снять эквипотенциали (изотермы) для плоского или осесимметричного сечения, характерные для стационарного теплового состояния, ио возможно также и объемное моделирование, что в ряде случаев также необходимо и целесообразно. [c.100]

Передвигая вдоль поверхности ванны зонд, можно отыскать точки изолиний (в частности, эквипотенциали). К моделям электродов прикладывают напряжение порядка 40—50 в от трансформатора 5. На зонд с потенциометра 6 подают долю этого напряжения, например, 50 20 1%, контролируемого вольтметром 7. Последовательно с зондом включают нуль-индикатор (микроамперметр или катодный вольтметр 8). Проводя зондом между электродами, находят точку, где нуль-индикатор показывает минимум тока. Эта точка на ванне соответствует точке эквипотенциалей с потенциалом, равным напряжению, заданному на зонд. Над ванной укреплен стол с бумагой 9, а зонд соединен вилкой 10 с карандашом И. Карандаш отмечает точки эквипотенциалей. [c.55]

Картина распределения поля представлена на рис. 3. Эквипотенциали для удобства обозначены в процентах напряжения между электродами и им приписывают любой потенциал в соответствии с масштабным коэффициентом. Из рассмотрения картины поля, можно заключить, что ионы, если пренебречь их начальными тепловыми скоростями и считать местом их образования факел пламени, будут двигаться в области, ограниченной пунктирными кривыми. [c.58]

Картина распределения поля приведена на рис. 8. Эквипотенциали обозначены в процентах от величины поляризующего напряжения и в вольтах для максимального напряжения. Однако при исследовании поля потенциалы могут быть приписаны к эквипотенциалям в соответствии с масштабными коэффициентами /С = 10 =0,05. [c.61]

Пористый электрод при прохождении тока не является эквипотенци- [c.288]

Пусть мы определяем давление в точке М (фиг. 1 -53), которая лежит на эквипотенциали Л =0,4, где — приведенный или единичный напор. [c.307]

При наглядном фафическом изображении течений на плоскости Е х,у) наряду с линиями тока полезны также линии равного потенциала ср х,у) = onst, или эквипотенциали. Так как V< = q, то расстояния. между двумя эквипотенциалями характеризуют величину скорости течения q. Кроме того, из (27) следует равенство Уф V -p = О, а это значит, что в любой точке плоскости течения проходящие через нее эк-випотенциаль и линия тока взаимно ортогональны. Следовательно, линии тока и эквипотенциали всегда образуют на плоскости течения ортогональную сеть. Вытекающее из (27), в силу определения операторов (5), равенство [c.226]

Рис. 62. Схема слоистой кристаллической решетки (а) и строение двойного слоя на границе слоистый полупроводник/электролит (б) [133] (показано распределение заряда и (пунктиром) эквипотенциали в обедненном слое внутри кристалла)

Справочник химика 21

Химия и химическая технология