Метод муара

Двухкристальный интерферометр. В интерферометрах, изготовленных из одного монокристаллического блока, помимо решения задачи рекомбинации когерентных пучков, обеспечивается механическая и тепловая стабильность. Однако при использовании интерферометрического метода изучения и контроля совершенства структуры с помощью картин муара представляет интерес создание прибора из двух независимых частей, одна из которых является данным образцом. Подобный прибор важен также при точных измерениях длин и параметров с помощью трансляционного муара. В работе Бонзе и те-Каата [150] описан двухкристальный интерферометр, в котором (рис. 100) разделитель и зеркало изготовлены из одного блока i, а анализатор — из другого 2. Как показано на рисунке, кристалл [c.295]

Большинство методов здесь рассматриваются весьма сжато. Метод муара будет более детально рассмотрен во второй части одновременно с примерами (стр. 194). [c.16]

Среди разнообразных методов исследования при помощи электронного микроскопа просвечивающего типа можно выделить группу методов, различающихся условиями образования изображения. К этой группе целесообразно отнести светлопольный и темнопольный методы, метод муара и микродифракцию. [c.15]

Наиболее универсальным является обычно применяемый светлопольный метод, при помощи которого можно исследовать препараты, приготовленные любым из описанных в главе II способов. Темнопольный метод в принципе пригоден для изучения как кристаллических, так и аморфных тел, однако на современном уровне развития электронной микроскопии его целесообразно применять почти исключительно для изучения кристаллических препаратов. Остальные методы предназначены для исследования кристаллов (или для препаратов, содержащих достаточно ярко выраженные элементы кристаллической структуры), причем для осуществления, метода муара необходимо подбирать определенным образом ориентированные друг относительно друга кристаллы с некоторыми оптимальными значениями толщин и параметров кристаллической решетки. Несмотря на некоторые ограничения, эти методы вполне заслуживают право на самостоятельное существование. Микродифракция является сочетанием электронной дифракции [c.15]

Характеристика Метод муара Методы когерентной оптики [c.171]

Интересно отметить, что метод муара в принципе может быть применен для определения разрешающей способности микроскопа. Действительно, при условии достаточно высоко развитой техники препарирования (получение пленок без искажений кристаллической структуры, надежная их взаимная ориентация) можно получить набор муаровых картин с различными и наперед заданными расстояниями между полосами. [c.199]

Глубокое изучение структуры ориентированных пленок соз-дал о основу для ряда приложений этого явления. Здесь прежде всего следует обратить внимание на получение тонких монокри-сталлических слоев различных веществ, на развитие метода муара, позволяющего косвенным путем разрешать атомно-крис- [c.12]

Косвенное разрешение атомно-кристаллической структуры методом муара [c.376]

Измерения локальных напряжений и деформаций выполнялись высокотемпературными методами тензометрии и муара на технических объектах в нашей стране и за рубежом. [c.113]

При проектировании и расчете на прочность элементов нефтегазохимических аппаратов и трубопроводов важно знать действительное распределение напряжений и деформаций в штатных и аварийных ситуациях. Для многих элементов конструкций, имеющих сложную пространственную форму, трудно получить надежные данные о распределении и концентрации напряжений путем расчета даже с применением современных численных методов и ЭВМ. Широко используемый при натурных испытаниях метод тензометрии также не позволяет полностью решить эту задачу, так как с его помощью деформации и напряжения определяются лишь в точках непосредственной установки тензодатчиков, которые могут не совпадать с зонами наибольших напряжений. Поэтому при исследовании напряженно-деформированного состояния сложных натурных конструкций наряду с тензометрией целесообразно использовать методы, позволяющие определять поля деформаций и напряжений, такие как хрупкие тензочувствительные и фотоупругие покрытия, интерференционный муар, голографическую интерферометрию и термовидение. [c.479]

Таким образом, метод муара позволяет разрешить кристаллические решетки с межплоскостными расстояниями в 1—2 А и обнаружить в них дефекты структуры. Есть основания полагать, что метод будет эффективен для изучения тонкого механизма пластической деформации кристаллов, осуш ествляемой в микроскопе, образования сплавов, явлений упорядочивания и разупорядочивания, роста ориентированных слоев, в частности окисных пленок на металлах. Вместе с тем следует подчеркнуть, что интерпретация различных деталей в муаровых картинах — задача очень сложная, которая еш е далека от сколько-нибудь полного решения. Здесь необходима осторожность в еш,е большей степени, чем при непосредственном наблюдении кристаллических решеток. Теоретическое рассмотрение показывает [45—47], что в обоих случаях изображение возникает благодаря интерференции между лучами, дифрагированными в кристаллической решетке. Большинство деталей изображения может быть интерпретировано при помощи кинематической теории, которая дает только геометрическое описание дифракционной Картины. Но для полного понимания проблемы необходимо привлекать динамическую теорию и рассматривать взаимодействие между дифрагированными волнами внутри кристалла, что приводит к изменению распределения электронной интенсивности в плоскости изображения. Кроме того, формирование конечной картины зависит от степени совершенства осветительной системы, аберраций объективной линзы и характера объекта. [c.199]

Косвенный метод разрешения кристаллических решеток при помощи явления муара [c.194]

Неполное заполнение внедряемым веществом межслоевых объемов оценивается количественно как фактор заполнения [6-10]. Он определяется методами темнопольной просвечивающей электронной микроскопии (по размерам блоков муаров) или рентгеноструктурного анализа. Расчетная плотность заполненного внедренного вешества на единицу площади поверхности углеродного слоя и расчетная плотность атомов углерода на единицу площади слоя позволяет получить стехиометрическую формулу соединения СупМС1з <, где у — расчетное отношение атомов углерода к числу ионов металла для одного слоя, п — ступень внедрения, — избыточное количество атомов хлора. [c.286]

Морщинистые покрытия ( муар ) получают, применяя алкидные эмали, к-рые наносят на окрашиваемую поверхность толстым слоем методом распыления. Рисунок муар проявляется при —80 °С в течение 25—40 мин. Полное высыхание покрытия происходит при темп-рах от 80 °С (14 ч) до 160 °С (2 ч). Характер рисунка определяется вязкостью эмали и толщиной нанесенного слоя. Покрытия муар находят ограниченное применение (из-за трудности удаления пыли и грязи с поверхности) для декоративной отделки аппаратуры п приборов. [c.336]

В материалах, в которых межплоскостные расстояния меньше, чем предел разрешения электронного микроскопа, отдельные дислокации удается увидеть, применив метод увеличения изображения периодических структур с помощью так называемого эффекта муара, схема которого показана на рис. 317 если накладываются друг па друга две [c.355]

Дальнейшее увеличение разрешения может быть достигнуто с помощью косвенных методов. Еще в 1927 г. Шубников [60] указал на возможность использования явления интерференционных картин муара для наблюдения регулярного расположения атомов в кристаллической решетке., Позже он сделал предположение [61] о возможности использования картин муара для изучения дислокаций в кристаллах, указав на существование взаимосвязи между искажениями в исходных сетках и в интерференционных картинах. [c.377]

Площади кристаллических пластин, облучаемые при образовании рентгеновского муара, определяются геометрией освещения и могут быть увеличены сканированием. В опубликованных работах эти площади имеют поперечники порядка 1—5 мм ж более. Периоды муара меняются в пределах от немногих микрон до миллиметров, откуда следует, что этим методом можно изучать относительные деформации Ай/й в пределах от 10 до 10 и повороты отдельных участков кристалла на величины от одной до десятых долей угловой секунды. Интерпретация подобных деформаций в настоящее время представляется неясной. [c.289]

С другой стороны, картины муара являются важным методом изучения разных процессов и структур, связанных с проявлением или нарушением идеальной периодичности в атомной структуре кристаллов. [c.186]

Алексей Васильевич был очень наблюдательным человеком, часто подмечающим явления, которые ускользали от внимания других. Так родилось его замечательное исследование муара, подмеченного при наложении друг на друга сетчатых тканей. Подметив это явление и изучив его, Алексей Васильевич прогнозировал возможность исследования этим методом структур кристаллических твердых тел на атомарном уровне. От незначительного на первый взгляд явления к большим, часто даже философским проблемам — таков путь мысли Алексея Васильевича Шубникова. В этом отношении характерна и другая его работа О фигурах проворачивания [c.396]

Метод муара — косвенный метод структурного анализа. Пользуясь им, можно исследовать структуру кристаллических тел и, в частности, характер распределения различного рода дис- покаций в кристаллических решетках. Основан он на явлении интерференции электронных лучей, дифрагированных от двух наложенных друг на друга кристаллических решеток с близкими кристаллографическими параметрами. Интерференцирующие лучи образуют сложную картину (муаровые узоры), которую, однако, можио расшифровать, зная показатели одной из кристаллических решеток. [c.134]

Хотя метод муара и прямое исследование кристаллических решеток начали интенсивно развиваться совсем недавно, оба эти нанравленияследует считать весьмаперспективными, так как они позволяют получать сведения относительно тонкой структуры реальных кристаллов. При этом сохраняется важное пре-имуш,ество электронной микроскопии получаемые данные относятся к отдельным участкам объекта, а не носят усредненный характер, как это имеет место при использовании метода дифракции электронов или рентгеновских лучей. Более подробно этот метод будет изложен во второй части. [c.19]

Освоено производство обоев с предварительно нанесенны на оборотную сторону слоем клея, который при увлажнении его водой приобретает клейкость и те же свойства, что и стандартный клей для обоев. Рисунок на поверхность обоев наносится различными методами печати с выгравированных медных или деревянных пластин с помощью многоцилиндровых печатных машин, в том числе фотогравировальных цилиндров на флексографических мапгинах и ма-пшнах для мелкотрафаретной печати. Поверхность обоев облагораживают на специальных установках для получения бархатистой поверхности, под муар, полотно и др. [c.84]

Изучение приведенных фотографий показывает наличие в картинах муара большого количества дислокаций некоторые из них обведены кружками. В случае Ag/MoSz большая часть дислокаций расположена у границ зерен. Кроме того, картины муара содержат много нерегулярностей, расшифровка которых в терминах дислокаций не представляется возможной. Эти аномалии могут быть обусловлены дефектами упаковки, скоплениями вакансий и другими искажениями решеток. В некоторых случаях на картинах муара наблюдается волнистость, происходящая из-за малой разориентировки срастающихся кристаллов. Можно показать, что при дезориентации на малый угол а около нормали к поверхности изображение на картине муара повернется около той же оси на угол а -Ц—. Таким образом, метод муа- [c.386]

Картины муара свидетельствуют о значительных перспективах этого метода для изучения тонкой структуры пленок распределения и плотности дислокаций, определения вектора Бюргерса, движения дислокаций, поля напряжений около дислокационных линий и т. п. Другими приложениями является исследование процессов образования и роста зародышей при кристаллизации, в том числе образования окисных пленок, изучение процессов упорядочения и разупорядочения, определение строения границ зерен и блоков мозаики, доменной структуры, изучение тонкого механизма пластической деформации, осуществляемой прямо в микроскопе, и многие другие. Некоторые из этих задач уже изучаются, другие ждут своего решения. Кроме указанных приложений, большой интерес представляет использование муаровых узоров в качестве тестобъектов для определения [c.387]

Рентгеновская интерферометрия является замечательным достижением современной экспериментальной физики. Действительно, подобные интерферометры позволили реализовать возможность абсолютных измерений длин с точностью порядка ангстрема. В первых же экспериментах с таким прибором было обнаружено явление муара при рентгеновской дифракции, которое является, по-видимому, самым чувствительным методом регистрации и точных измерений нарушений идеальной структуры кристаллов. В отличие от оптических интерферометров, в рентгеновских приборах для разделения и отклонения когерентных пучков используется дифракция. Явление преломления в линзах не может дать надлежаш,его эффекта ввиду ничтожной величины разности (1 — п) для рентгеновских лучей. [c.270]

СИЛЬНО отражающим волнистым поверхностям, обладающим свер-канием . Полярные кривые таких поверхностей могут иметь двойной пикб2 и объективно оценить их очень трудно. Для оценки блеска тканей разработан метод измерения рассеянного света, отражающегося под углом 75° к нормали, восстановленной к поверхности образца, которая освещена под углом 45° (рис. 12.12). Образец вращается относительно нормали, и блеск характеризуется изменением (напоминающим переливы на шелке) величины отражения света от поверхности образца. Аналогичные проблемы возникают при оценке блеска покрытий эдталямн типа молотковых н муар . [c.386]

Вейард ближе всех подошел к хартри-фоковскому пределу — по его оценке, до предела остается всего лишь 0,09 а. е. (правда, Леви и Муаро [102] считают, что бесконечный базис мог бы дать еще 0,3—0,4 а. е.). Несмотря на то, что хартри-фоковский предел практически достигнут, пока еще не видно, какова же должна быть предельная длина связи С—С в этане. Действительно, метод СТО-ЗГ дает для связи С—С величину 1,538 А, метод 4-31Г — величину 1,529 А, 16 оптимизированных СТО-функций (по Стивенсу) — величину 1,518А и, наконец, 68 ГТО-функций на основе 122 ГТО-функций (по Вейарду) — величину 1,551 А. Если требовать точности в длинах связей порядка 0,02—0,03 А, то метод Хартри-Фока с достаточно большими базисами такую точность дает. Но не могут ли корреляционные эффекты изменить предельные хартри-фоковские связи на сотые или тысячные доли ангстрема Пока еще ответ на этот вопрос не получен. [c.309]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология