Кривые температурного высвечивания

Описанный метод температурного высвечивания кристаллофосфоров дает возможность судить о числе потенциальных ям в кристаллофосфоре, отличающихся друг от друга глубиной уровней. В зависимости от того, как резко различаются пики на кривой температурного высвечивания, можно делать заключение, как сильно отличаются эти уровни между собой по глубине. Площадь, ограниченная каждым пиком, является мерой высвеченных квантов, которую можно считать пропорциональной числу электронов, локализованных на том или ином энергетическом уровне кристаллофосфора. [c.27]

Еще в конце 1940-х годов в лаборатории люминесценции ФИАН СССР проводилось детальное изучение взаимного влияния редкоземельных активаторов (Се, 5т и Ей) в щелочноземельных кристаллофосфорах [160, 161]. Исследовались спектры поглощения, люминесценции, кривые температурного высвечивания, спектральная чувствительность вспышки и т. д. Исходя из значительных изменений в спектрах люминесценции одного активатора в присутствии дру- [c.97]

Рио. 238. Кривые температурного высвечивания ZnS u-фосфора. Скорость нагревания 2,2° в сек. Температурное высвечивание началось после различных длительностей О —естественного затухания при 290 К. Перед началом высвечивания фосфор охлаждался а—фосфор возбуждён при низкой температуре 0 = 0 б -О =25 сек. в —8 = 140 сек. г —0 = 25 мин., 5 — 0 = 45 мин. [c.379]

Мы видим, что положение кривой термического высвечивания определяется активатором, причём активаторы действуют неаддитивно. Полосы термического высвечивания SrS-Ей Sm-фосфора термически устойчивее полос фосфоров с единичными активаторами максимум кривой температурного высвечивания SrS-Ец-Sm-фосфора лежит при 170°С, тогда как максимумы SrS-Ей и SrS-Sm-фосфоров находятся соответ ственно при 90 и 130 С. Отсюда следует, Рис. 251. Кривые температурного вы- дтО глубокие уровни локализации [c.390]

На рис. 252 приведены кривые температурного высвечивания ЗгЗ Се Зш-фосфора для различных температур возбуждения [35]. Мы видим, что по мере повышения температуры возбуждения число электронов, локализую- [c.390]

Метод кривых термического высвечивания позволяет при помощи сравнительно простых средств изучать самые разнообразные явления, связанные с локализацией электронов на уровнях захвата. Кривые термического высвечивания, измеренные в широком температурном интервале, сразу же дают наглядное представление о полном спектре уровней захвата кристаллофосфора, о распределении электронов по этим уровням и о влиянии различных факторов как на это распределение, так и на спектр локальных уровней в целом. [c.83]

На рис. 33 приведена кривая термического высвечивания кристалла КС1 в видимой области в температурном интервале от —180 до -f 200°С. Нагревание кристалла происходило равномерно со dT [c.94]

Отсутствие высокотемпературных пиков в кривых термического высвечивания активированных щелочно-галоидных кристаллов нельзя объяснить каким-либо температурным тушением Ч. Б. Лущик показал [158], что введение в кристалл активатора повышает температуру тушения, а не понижает ее. [c.222]

Кривые термического высвечивания. У многих веществ (кристаллофосфоров, минералов, кварца и др.), предварительно возбужденных ультрафиолетовой, рентгеновской или радиоактивной радиацией, при нагревании возникает свечение, получившее название термолюминесценции. Оно наблюдается при температурах, значительно меньших тех, при которых появляется видимое температурное излучение. [c.411]

Приведённые схемы люминесцентного процесса для флуо- и фосфоресценции имеют, конечно, скорее качественный, чем количественный характер. Далеко не все параметры энергетической модели поддаются непосредственному определению. Ширина запрещённой области энергетического спектра между обеими полосами разрешённых энергий может быть грубо оценена из кривых поглощения и явлений фотопроводимости. Последняя позволяет судить о поведении электрона в полосе проводимости. Распределение уровней загрязнения относительно верхней границы полосы проводимости, откуда падает электрон, находит своё отражение в кривых спектрального состава люминесцентного излучения. Распределение уровней прилипания относительно той же границы может быть качественно прослежено по кривым температурного высвечивания фосфоресценции [94, 223, 224, 225, 226]. Самым крупным недостатком схемы является неконкрет-ность представлений о локализованных энергетических состояниях. Взаимоотношение их с основными элементами решётки и связь с физико-химическими особенностями строения пока не поддаются интерпретации. Тем не менее, большое число наблюдений удовлетворительно увязывается со схемой. Ниже приведена интерпретация ряда свойств люминесценции в свете рассматриваемой модели. [c.284]

Необходимость существования локальных уровней различной глубины, допущенная нами в схеме, изображённой на рис. 194, следует, например, с большой наглядностью из хода кривых температурного высвечивания фосфоров, возбуждённых при низких температурах и постепенно нагреваемых. Яркость свечения этих фосфоров с повышением температуры нередко-проходит через несколько максимумов, причём в отдельных случаях наблюдается и изменение спектрального состава излучения. Подобные кривые температурного высвечивания дают цинк-силикатные фосфоры [439]. Эти кривые имеют три максимума свечения, интенсивность и положение которых зависят от химического состава фосфора. На рис. 197 приведена кривая темнературного высвечивания NaGl Ni-фo фopa, исследованного И. А. Парфиано-вичем [382], имеющая два максимума при 70 и 170° С. Очевидное объяснение-возникновения максимумов на кривых температурного высвечивания состоит в том, что по мере повышения температуры сначала высвечиваются уровни наименьшей глубины после освобождения этих уровней температура срелы оказывается, однако, ещё недостаточной для освобождения электронов с более глубоких уровней. Интенсивность свечения падает. Прш [c.334]

Фосфоры, обладающие i -центрами, способны светиться в видимой и ультрафиолетовой областях. Их свечение в последнее время изучено М. Л. Кацем [238—240]. На рис. 285 дано положение ультрафиолетовой полосы излучения КС] и КВ г-фосфоров. На рис. 286 представлена кривая температурного высвечивания КС1 и КВг-фос-форов для ультрафиолетового излучения. По оси ординат отложены яркости свечения, отнесённые к скорости нагревания. [c.420]

Рис. 287. Кривая температурного высвечивания видимого излучения КСЬфосфора при равномерном нагревании (0,75 в сек.).

И. А. Парфианович [305], исследуя температурное высвечивание фосфоров Na l — Ag и Na l — Си, в которые активатор был введен методом электролиза, обнаружил, что кривые в обоих случаях содержат только по одному пику, максимум которого совпадает с первым пиком полученных нами кривых термического высвечивания для этих же фосфоров. На основе указанного факта Парфианович предложил изображенную на рис. 111 схему кинетики [c.220]

Кривые б, в, г и д описывают температурное высвечивание ZnS Си-фосфора, возбуждавшегося при комнатной температуре и до начала термического высвечивания уже частично затухшего. Перед началом высвечивания фосфор сильно охлаждался. Кривая б даёт температурное высвечивание фосфора, предварительно естественно затухавшего 25 сек., кривая в —140 сек., г —25 мин. и д—45 мин. Приведённые кривые имеют качественное значение, так как пх форма может меняться от температуры возбуждения, однако оии указывают на существование у 2о8-Си-фосфоров, по крайней мере, двух систем уровней локализации, лежащих на различной глубине мелких уровней, высвечивание которых происходит в основном при температуре 235°К, и более глубоких, соответствующих температуре высвечивания Я 310° К. Кривые рис. 238 указывают также на размытость обеих систем уровней и более быстрый уход электронов прп нормальном затухании фосфора с самых мелких уровней одной и той же системы уровней по мере естественного затухания фосфора наблюдается постепенный сдвиг максимума кривых температур-ого высвечивания в сторону высоких температур. Этот ход кривых ещё паз подтверждает сильное влияние распределения электронов по уровням пазличной глубины на ход процессов свечения. [c.379]

На рис. 287 приведена кривая температурного высвечиваия КС1-фосфора в видимой части спектра при равномерном нагревании. По оси абсцисс отложены температуры, по оси ординат—яркости свечения. Как видно из рис. 286 и 287, кривые высвечивания имеют ряд характерных максимумов, что указывает на существование у фосфоров данного типа уровней локализации различной глубины. Системы уровней, соответствующие видимому и ультрафиолетовому излучению, различны. [c.420]

На кривой высвечивания полиэтилена среднего давления (ПЭСД) (рис. 9.5) проявляются максимумы в тех же температурных интервалах. При этом наблюдается некоторое уменьшение а-максимума и существенное увеличение низкотемпературного 244 [c.244]

Термическая обработка образцов ПЭ приводит к изменениям температурных положений максимумов свечения. Кривая высвечивания образца ПЭСД, который был расплавлен и выдерживался при 100° С в течение 6 ч (рис. 9.7), имеет сушественные отличия по сравнению с исходным ПЭСД. Структурные изменения в ПЭСД, сопровождающиеся увеличением степени кристалличности, отчетливо проявляются на кривой высвечивания РТЛ, низкотемпературный максимум резко увеличился, а высокотемпературный — уменьшился). [c.245]

В таких растворителях, как дипропиловый эфир или смесь метилциклогексана с изопентапом, интенсивность РЛ при 77° К через время порядка 10 мин з меньшается настолько, что практически невозможно провести высвечивание до конца . Если постепенно поднимать температуру стекла, то интенсивность РЛ выше некоторой температуры резко возрастает и высвечивание может быть быстро проведено до конца . Если непрерывно регистрировать Ь как функцию времени I при 77° К, а затем при нагревании стекла, то площади под кривыми Щ) для изотермического процесса. 1 и для термического процесса 3 будут пропорциональны числу фотонов, высветившихся в этих условиях. Большой интерес представляет вопрос зависит ли общая светосумма + 82 = = 8 от температурных условий высвечивания На этот вопрос можно получить ответ, если поставить эксперименты с разными временами изотермического высвечивания при 77° К с последу-юшнм быстрым подъемом температуры [7, 163, 164, 180]. [c.51]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология