Криста л лины

Первоначально температура жидкости плавно снижается. При температуре, соответствующей точке В (/крист), в жидкости появляются первые кристаллы, и затем происходит полное затвердевание жидкости. При этом, вследствие выделения энергии образования кристаллической решетки (скрытой теплоты кристаллизации), несмотря на дальнейшее охлаждение, температура некоторое время будет оставаться постоянной (линия ВС). После прекращения процесса кристаллизации наблюдается равномерное понижение температуры (охлаждение твердого вещества— линия СВ). [c.62]

Сравните ваши результаты с рис 9 17 (см с 177) Кристал лизация рассматриваемой смеси начинается в точке I с выпаде ния кристаллов твердого раствора а состав которых соответ ствует точке а В дальнейшем температура понижается до Тр с изменением составов равновесных фаз по линиям аЯ и 1Р При температуре Тр проис ходит перитектическое превра щение кристаллов а (состава Р ) и жидкости (состава Я) в кристаллы р (состава Р ) чему соответствует площадка es на кривой охлаждения После израсходования всей жидкости остаются кристаллы аир Сусл = 2 —2 + 1 = 1 температура начинает понижаться [c.163]

Указанная особенность спектров ЭПР пирамид <г>-кристал-лов кварца с аномально плеохроичной дымчатой окраской свидетельствует о различии заселенности примесными ионами алюминия трех эквивалентных положений кремния в элементарной ячейке кварца. Исследование спектров ЭПР для образцов синтетического кварца с дымчатой окраской, приготовленных из различных пирамид роста, показало, что отношение интенсивностей различных групп линий непосредственно зависит от собственной симметрии грани, сформировавшей данную пирамиду роста. Так, для пирамид ромбоэдра <г> и , имеющих собственную симметрию 1, спектр ЭПР состоит из трех пар групп линий с различной интенсивностью для пирамид <+х> с симметрией [c.73]

В 1856 г. был получен первый анилиновый краситель. Анилин — вещество основного характера — выделен впервые в 1826 г. О. Унфердорбеном (1806—1873). Он был назван кристал-лином в связи с легкой кристаллизуемостью его солей. В 1834 г. О. Рунге обнаружил в каменноугольной смоле основание, получившее название кианол . В 1841 г. Ю. Ф. Фрицше действием едкого кали на индиго получил основание и назвал его анилином (от слова анил — испанского названия индиго). Наконец, в 1842 г. Н. Н. Зинин осуществил знаменитую реакцию восстановления нитробензола в анилин (бензидам). А. В. Гофман в следующем году установил, что четыре перечисленных основания идентичны, и предложил оставить для них одно название — анилин . [c.177]

В отличие от метода рентгенографии изучение ЯМР полимеров позволяет получать сведения об их динамической степени кристал--личности. В аморфной части этих полимеров при температурах вы. ше температуры Гсуж молекулярное движение сужает линию поглощения, поэтому линия ЯМР как бы состоит из узкой и широкой частей. Так как I Q(H)dH, согласно формуле (8.7), пропорционален 224 [c.224]

В отличие от чистых компонентов большинство смесей, состоящих из двух компонентов, кристаллизуется (плавится) не при постоянной температуре, а в определенном температурном интервале, который определяется составом системЕ г, Минимальная температура, при которой начинается плавление двухкомпонентной системы (или заканчивается крист 1ллизация расплава), называется эвтектической температурой Тд. Линия D, ниже которой не может существовать жидкая фаза, называется линией солидуса (от латинского слова solid — твердый). Фигуративная точка Е — точка пересечения линии ликвидуса с линией солидуса — отвечает расплаву, который одновремен- [c.404]

Кристаллизация висмута и кадмия до достижения температуры кристал.тшзации эвтектики происходит постепенно номере снижения температуры, поэтому образуются сравнительно крупные кристаллы, которые можно рассматривать в поле микроскопа. ] сли кристаллизация происходит по линии АО, то в поле микроскопа видны кристаллы висмута на сплошном поле эвтектики. Кристаллов висмута будет тем больше, чем больше содержание висмута в исследуемом сплаве. Если кристаллизация сплава происходит в области составов, соответствующих линии ОВ, то в поло микроскопа будут видны криста.ллы кадмия на поле эвтектики, причем кристаллов кадмия будет тем больше, чем бо.льше кадмия в исходном сплаве. Это позволяет на основе микроскопического исследования оценивать с некоторой точностью состав сплава. [c.117]

В условиях, которым отвечает точка Ь[Р2) , раствор станет насыщенным и в отношении А, т. е. при продолжающейся кристал-лизации С начнется осаждение А. В процессе совместной кристаллизации С и А изменение состава кристаллической массы отвечает линии 5з5 (с6[ ), а состав жидкой фазы — линии 1зЕ(Р2е). На этой стадии охлаждения система одиовариаитна каждой температуре отвечает единственный состав жидкой фазы, в соответствии с чем фигуративная точка и окажется на кривой. Когда составу жидкой фазы будет отвечать точка Е, раствор окажется насыщенным всеми компонентами и оставшаяся жидкая масса отвердеет без изменения состава сйстема становится безвариантной, т. е. характеризуется единственными значениями температуры и концентра- [c.320]

Линия Н2О—к представляет собой луч двойной соли, который делит диаграмму на две вторичные. Область 4 соответствует двухфазной системе кристаллам АВХ2 У 20)п и насыщенному этими кристаллами раствору. Область 5 — раствору состава 1, кристал- [c.154]

На рис. 50 приведено изменение параметров кристаллической структуры и реакционной способности в зависимости от температуры термообработки углеродного материала. Как следует из рисунка, межплоскостное расстояние уменьшается с повышением температуры обработки, а начиная с 2800 °С делается постоянным и равным 0,3355 нм, что соответствует высокой степени упорядоченности кристаллической структуры со степенью графитации 99 %. Одновременно происходит непрерывный рост размеров кристаллитов. При температурах выше 2600 °С резко увеличиваются размеры кристаллитов, которые достигают величины более 100 нм, ц их определение из рентгеноструктурных данных по уширению линий (002) и (004) не может быть произведено с достаточной точностью. На тех же образцах углеродного материала определяли размеры кристаллитов из данных об изменении теплопроводности от температуры опыта. По местоположению максимума этой зависимости можно рассчитать размер кристал/1итов. [c.120]

Для сокращения расхода пара охлаждение до температуры, соответствующей давлению в основном конденсаторе 3, ведут без включения эжектора 2, пропуская пар по обводной линии 6 непосредственно в конденсатор 3. После окончания кристаллизации давление в криста.илизаторе повьпцают до атмосферного и суспензию сливают в цснтриф гу, [c.646]

Анодное растворение в режимах ЭХП тонкого поверхностного слоя металла, зафязненного радиоактивными в-вами,-один из осн. методов радиохим. дезактивации оборудования. При ЭХП обычно удаляется слой металла от 2,5 до 80 мкм. Конечная шероховатость пов-сти определяется исходной шероховатостью, продолжительностью ЭХП, условиями проведения процесса (т-ра, плотность тока), составом электролита (р-ры щелочей, солей, но чаще всего смеси к-т). Получению высокого качества ЭХП мешают большие размеры кристал-литных зерен, неравномерная структура, наличие неметаллич. включений (напр., карбвдов), гл 6окие следы прокатки, ока-линные зафязнения, слишком высокая начальная шероховатость пов-сти. [c.460]

Стрелки изображают направление переходов. Сначала изотропный расплав нли раствор пере- расываются на линию напряженной нематической фазы Н, из которой происходит кристал--лизация с образованием КВЦ (ситуация несколько утрирована, У линий для КВЦ должен быть небольшой отрицательный наклон). Прн этом выделяется теп--лота кристаллизации А // и система проваливается / на линию для равновесных> (т. е. ненапряженных) КВЦр. Ломаная линия КСЦ —Из комментариев не требует (Из —изотропный раствор или расплав) [c.383]

Наконец, можно предположить что массовая скорость кристал лизации постоянна и процесс идет в изогидрических условиях число кристаллов также остается постоянным. Тогда линия нара стания общего количества кристаллов во времени, как и дру гих абсолютных величин, будет иметь вид прямой (рис. 8), как было например, в наших лабораторных опытах при постоянном тепло вом потоке [246]. Тогда, чтобы сохранить постоянным число кри сталлов, согласно соответствующему расчету, линейная скорость [c.52]

ДИНИТРОАЦЕТАНИЛИД H3 ONH H3(NOj)2, желтые крист. ( л 125—126 °С раств. в сп., эф., хлороформе, ацетоне. Получ. ацетилированием 2,4-динитроани-лина уксусным ангидридом. Примен. в произ-ве сернистых красителей. [c.175]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология